公开(公告)号：CN1677652A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510062816.8

申请日：2005-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  水原秀树

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/03 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/4857 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/287 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种元件搭载基板以及使用该基板的半导体装置，在基材的上面具有顺次层积绝缘树脂膜、光致抗焊剂膜而得的结构。另外，在基材的下面具有顺次层积绝缘树脂膜、光致抗焊剂膜而得的结构。光致抗焊剂膜具有卡尔多型聚合物。

公开(公告)号：CN1674265A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059137.5

申请日：2005-03-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  山口健 ,  臼井良辅 ,  渡辺裕之 ,  成瀬俊道 ,  加藤敦史

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，半导体片(30)及片状部件(40)设置在绝缘基础部件(20)上，且被利用注入模制法成形的模制树脂密封。片状部件(40)包围半导体片(30)的四边配置。包围半导体片(30)的片状部件(40)的纵向朝向一定的方向。在进行树脂注入时，使片状部件(40)的纵向实质上垂直于注入树脂的流向地将绝缘基础部件(20)置于模型成型器内。

公开(公告)号：CN1670911A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055803.8

申请日：2005-03-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/67265 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S438/975 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体元件的定位方法，包括：在基体材料上设置设有对准标记的半导体元件的工序；形成表面上设置了金属膜的绝缘膜，使其覆盖该半导体元件表面的工序；除去该绝缘膜及该金属膜的一部分，使对准标记露出的工序。通过检测露出的对准标记，把握基体材料上的半导体元件的电极的位置。

公开(公告)号：CN101350316B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810134326.8

申请日：2003-12-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  五十岚优助 ,  坂本则明

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/4835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置的制造方法，使用等离子体除去导电图案21表面上黏附的污染物，提高导电图案21和密封树脂28的粘附。通过选择地蚀刻导电箔10形成分离槽11，形成导电图案21。在导电图案21的规定位置安装半导体元件22A等电路元件，并和导电图案21电连接。通过自导电箔10上方照射等离子体除去分离槽11表面黏附的污染物。

公开(公告)号：CN101393871B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200810145511.7

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  中村岳史

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/244 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/095 ,  Y10S438/906 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜，再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。

公开(公告)号：CN1744314B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200510098020.8

申请日：2005-09-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  臼井良辅

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/00 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/183 ,  H05K1/185 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4644 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种具有层积结构的半导体装置及其制造方法。其提供一种使半导体装置小型化的方法。半导体装置(100)包括：基体部件(20)，半导体芯片(10a)、10b)，片状部件(12a、12b)，绝缘基体部件(30)，配线图案(34)，通路塞(32)，外部引出电极(36)，凹部(40)，树脂(50)。绝缘基体部件(30)具有多层结构，是层积多个绝缘膜而形成的。半导体芯片(10a)及片状部件(12a)安装在基体部件(20)，埋入绝缘基体部件(30)中。半导体装置(100)的表面形成有凹部(40)，其深度直至某配线导体层，在凹部(40)安装有半导体芯片(10b)、片状部件(12b)。

公开(公告)号：CN102027591A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980117207.4

申请日：2009-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  中里真弓 ,  伊藤克实

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备，在CSP型半导体模块的制造方法中，提高半导体模块的生产效率。该半导体模块的制造方法包含如下工序：将形成有多个半导体元件(10)的半导体晶片(1)粘接在具有伸展性的第一绝缘树脂层(20)上的工序，其中所述半导体元件(10)具有元件电极(12)；切割半导体晶片(1)的工序；拉伸第一绝缘树脂层(20)以扩大半导体元件(10)的间隔的工序；隔着第二绝缘树脂层将设置有电极的金属板和扩大了间隔的状态的多个半导体元件(10)压接，使电极与元件电极(12)电连接的压接工序；选择性地除去金属板以形成与各半导体元件(10)对应的配线层，并形成通过第一绝缘树脂层(20)和第二绝缘树脂层连结的多个半导体模块的工序；切断第一绝缘树脂层(20)及第二绝缘树脂层以实现半导体模块的单个化的工序。

公开(公告)号：CN101924085A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010165026.3

申请日：2006-11-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柴田清司 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电路装置及电路装置的制造方法，以把突起结构埋入绝缘树脂的方式来层叠配线层、绝缘树脂和电路元件，提高突起结构与电路元件的电极的连接可靠性。电路装置(10)具备把配线层(20)、绝缘树脂层(30)和电路元件(40)按该顺序压接层叠的结构。配线层(20)在与电路元件(40)的各元件电极(42)对应的位置处设置有突起电极(22)。绝缘树脂层(30)由加压时引起塑性流动的材料形成。突起电极(22)贯通绝缘树脂层(30)而与对应的元件电极(42)电连接。

公开(公告)号：CN101803007A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106516.7

申请日：2008-07-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长松正幸 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/113 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09527 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种元件搭载用基板及其制造方法、电路装置及其制造方法、便携式设备。在以往的元件搭载用基板及使用该基板的电路装置中，在基板上形成有配线层，并使该配线层的一部分突出而用作凸起电极，因此，存在难以实现薄型化的问题。在本发明的元件搭载用基板及使用该基板的电路装置中，在绝缘基材(4)设有通孔(7)，配线层(5)经由通孔(7)在绝缘基材(4)表面突出。而且，配线层(5)的突出部(11)作为凸起电极而使用，在绝缘基材(4)上安装有半导体元件(2)。根据该结构，元件搭载用基板实现薄型化，使用该基板的电路装置也实现薄型化。

公开(公告)号：CN1942049B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610154318.0

申请日：2006-09-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小原泰浩 ,  臼井良辅 ,  児岛则章

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K3/46 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明涉及一种电路衬底及电路衬底的制造方法，电路衬底具有：多个配线层；具有纤维状充填材料和树脂并使多个配线层绝缘的绝缘层；在贯通绝缘层的通路孔的侧壁形成的导体部。从侧壁突出并被导体部内包的纤维状充填剂的长度大于导体部的膜厚。由此，能够提高绝缘层和导体部的密接性，且能够提供可靠性高的电路衬底。