公开(公告)号：CN102148141A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110006321.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  樱田隆 ,  木山诚 ,  善积祐介

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种GaN衬底和半导体器件。该半导体器件能够以高成品率制造且具有优异特性。该半导体器件包括：GaN衬底(10)，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长的至少单层半导体层(20)，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。

公开(公告)号：CN1977366B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm-3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm-3。

公开(公告)号：CN101441999A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810172909.X

申请日：2008-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二 ,  木山诚

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管，其中，制造半绝缘氮化物半导体衬底的方法包括以下步骤：在下衬底上形成掩模，在所述掩模中以250μm～2000μm的间隔Dw来排列具有10μm～100μm的宽度或直径Ds的点状或带状覆盖部分；用HVPE方法，在1040℃～ 1150℃的生长温度下，通过供应V族/III族比例R5/3设定为1至10的III族原料气体和V族原料气体以及含有铁的气体在下衬底上生长氮化物半导体晶体；以及去除下衬底，从而获得自支撑半绝缘氮化物半导体衬底，其具有不小于1×105Ωcm的比电阻和不小于100μm的厚度。由此，能获得其中翘曲较少且较不可能发生破裂的半绝缘氮化物半导体晶体衬底。

公开(公告)号：CN1969380A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200680000315.X

申请日：2006-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边达也 ,  三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管11中，支撑衬底13由AlN、AlGaN或GaN构成，具体地。AlyGa1－yN外延层15具有用于150秒或以下的(0002)面XRD的半幅全宽。在氮化镓支撑衬底13和AlyGa1－yN外延层(0＜Y≤1)之间设置GaN外延层17。在AlyGa1－yN外延层15上设置肖特基电极19。肖特基电极19构成高电子迁移率晶体管11的栅电极。在氮化镓外延层15上设置源电极21。在氮化镓外延层15上设置漏电极23。

公开(公告)号：CN1774821A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480009899.8

申请日：2004-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n－型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n－型氮化物半导体层(2)更远处的p－型氮化物半导体层(6)，以及安置在n－型氮化物半导体层(2)和p－型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p－型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。

公开(公告)号：CN1744326A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510099023.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  冈久拓司 ,  樱田隆

IPC: H01L29/38 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L29/772 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 在肖特基二极管11中，氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b，其载流子浓度大于1×1018cm－3。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米，但不大于1000微米。另外，氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×1014cm－3，但不大于1×1017cm－3。

公开(公告)号：CN1467809A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03110439.8

申请日：2003-04-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山下正史 ,  坪仓光隆 ,  木山诚

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L22/14

Abstract: 确定背栅特性的方法和装置用以减少制作背栅特性有缺陷的半导体电路元件。最初，得出第一C－V曲线30表示加于晶片20正面的电压与电容值之间的关系，其中所述晶片20用作半导体电路元件的衬底。继而，通过将电压加于晶片20背面得出第二C－V曲线32。根据从所述第一C－V曲线30和第二C－V曲线32得出的电压漂移量34，对晶片20确定半导体电路元件的背栅特性。