유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
    73.
    发明公开
    유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치 审中-实审
    有机光电器件和图像传感器和电子器件

    公开(公告)号:KR1020160018029A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:KR1020140101908

    申请日:2014-08-07

    Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 그리고상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고제1 화합물을포함하는활성층을포함하고, 상기제1 화합물은하기화학식 1 또는 2로표현되고, [화학식 1] [화학식 2]상기제1 화합물은용액상태와박막상태에서의파장에따른흡광곡선의반치폭의비율이하기관계식 1을만족하는유기광전소자및 이를포함하는이미지센서와전자장치에관한것이다. [관계식 1] FWHM2/FWHM1

    Abstract translation: 本发明涉及有机光电装置,包括该有机光电装置的图像传感器和电子装置。 有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有源层,并且包括第一化合物,其中第一化合物由化学式1或2表示,并且具有 根据溶液状态的波长和薄膜状态的满足式1的光吸收曲线的半值的比率。 [相互作用式1] FWHM2 / FWHM1 <2.5在式1中,FWHM1是根据溶液状态的波长的光吸收曲线的半值宽度,FWHM2是根据光吸收曲线的半值宽度 波长处于薄膜状态。

    광전 소자 및 이미지 센서
    74.
    发明公开
    광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
    光电器件和图像传感器

    公开(公告)号:KR1020140106768A

    公开(公告)日:2014-09-04

    申请号:KR1020130019422

    申请日:2013-02-22

    Abstract: The present invention relates to a photoelectric device which comprises: a transmissible metal electrode comprising a first metal; a diffusion preventing layer located on one side of the transmissible metal electrode comprising a second metal which has a lower thermal diffusivity than the first metal; an active layer located on one side of the diffusion preventing layer; and an opposite electrode located on one side of the active layer, and to an image sensor comprising the photoelectric device.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光电器件,它包括:一个包含第一金属的透射金属电极; 位于所述透射金属电极的一侧上的扩散防止层,包括具有比所述第一金属低的热扩散率的第二金属; 位于扩散防止层一侧的有源层; 以及位于有源层的一侧上的相对电极以及包括该光电装置的图像传感器。

    신규한 퀴나크리돈 유도체, 이를 포함하는 광활성층 및 광전 변환 소자
    77.
    发明公开
    신규한 퀴나크리돈 유도체, 이를 포함하는 광활성층 및 광전 변환 소자 审中-实审
    新型喹吖啶酮衍生物,以及包含它们的光敏层和光电转换装置

    公开(公告)号:KR1020130022894A

    公开(公告)日:2013-03-07

    申请号:KR1020110085898

    申请日:2011-08-26

    Abstract: PURPOSE: A novel quinacridone derivative, and a photoactive layer and a photoelectric conversion device containing the same are provided to selectively and effectively absorb light within the range of a certain wavelength, and to ensure thermal stability and light absorbing performance. CONSTITUTION: A novel quinacridone derivative is denoted by chemical formula 1. In chemical formula 1, T^1 to T^4 are independently a cyano group, halogen, a substituted or non-substituted C6-C30 aryl group, or a substituted or non-substituted C2-C30 heteraryl group; X^1 and X^2 are individually same or different oxygen, sulfur, or C(CN)_2; and R^1 to R^10 are individually hydrogen, a substituted or non-substituted C1-C30 alkyl group, a substituted or non-substituted C3-C30 cycloalkyl group, a cyano group, halogen, a substituted or non-substituted C6-C30 aryl group, or a substituted or non-substituted C2-C30 heteroaryl group.

    Abstract translation: 目的:提供一种新颖的喹吖啶酮衍生物,以及光活性层和含有它们的光电转换装置,以选择性地有效地吸收一定波长范围内的光,并确保热稳定性和光吸收性能。 构成:化学式1表示新的喹吖啶酮衍生物。在化学式1中,T 1至T 4独立地为氰基,卤素,取代或未取代的C 6 -C 30芳基或取代或未取代的 取代的C2-C30杂芳基; X ^ 1和X ^ 2分别是相同或不同的氧,硫或C(CN)2; 取代或未取代的C 1 -C 30烷基,取代或未取代的C 3 -C 30环烷基,氰基,卤素,取代或未取代的C 6 -C 30烷基, C30芳基或取代或未取代的C 2 -C 30杂芳基。

    트랜지스터와 트랜지스터의 제조방법 및 이를 적용하는유기발광 디스플레이 및 그 제조방법
    78.
    发明授权
    트랜지스터와 트랜지스터의 제조방법 및 이를 적용하는유기발광 디스플레이 및 그 제조방법 有权
    晶体管及其制造方法以及采用晶体管的有机发光显示器

    公开(公告)号:KR101186292B1

    公开(公告)日:2012-09-27

    申请号:KR1020060002687

    申请日:2006-01-10

    Abstract: 트랜지스터와 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용하는 유기발광디스플레이에 관해 개시된다. 개시된 트랜지스터는 상호 나란하게 배치되어 각 양단에 도핑된 고전도 영역과 양 고전도 영역 사이의 채널 영역을 각각 가지는 두 개의 다결정 실리콘층; 두 다결정 실리콘층을 공히 가로지르는 방향으로 연장되는 게이트; 그리고 상기 게이트와 상기 다결정 실리콘층들의 사이에 개재되는 게이트 절연층;을 구비하고, 상기 게이트의 일측 가장자리에 인접하여 마련되는 것으로 다결정 실리콘의 채널 영역과 고전도 영역 사이에는 상호 마주 보는 저전도영역이 형성되어 있는 구조를 갖는다. 구조적으로 길이가 연장된 채널을 가지며 그리고 마스크 없이 형성가능한 오프셋구조 또는 저도핑영역을 갖는다.
    OLED, 다결정,TFT, LDD

    산화물 박막 형성용 용액 조성물 및 상기 산화물 박막을 포함하는 전자 소자
    80.
    发明公开
    산화물 박막 형성용 용액 조성물 및 상기 산화물 박막을 포함하는 전자 소자 有权
    用于形成氧化物薄膜和包括氧化物薄膜的电子器件的溶液组合物

    公开(公告)号:KR1020100112522A

    公开(公告)日:2010-10-19

    申请号:KR1020100026314

    申请日:2010-03-24

    CPC classification number: H01B1/08 H01L29/26 H01L29/7869

    Abstract: PURPOSE: A solution composition for forming a metal oxide thin film, and an electronic device including the metal oxide thin film are provided to improve the threshold voltage and the current property of the electronic device. CONSTITUTION: A solution composition for forming a metal oxide thin film contains a first compound including zinc, a second compound including indium, and a third compound including magnesium. The atom number ratio of the zinc and the magnesium is 1:0.01~1:4. The third compound includes an element selected from the group consisting of magnesium acetate, magnesium chloride, magnesium nitrate, magnesium sulfate, and their hydrate.

    Abstract translation: 目的:提供用于形成金属氧化物薄膜的溶液组合物和包括金属氧化物薄膜的电子器件,以提高电子器件的阈值电压和电流特性。 构成:用于形成金属氧化物薄膜的溶液组合物含有包含锌的第一化合物,包含铟的第二化合物和包含镁的第三化合物。 锌和镁的原子数比为1:0.01〜1:4。 第三化合物包括选自乙酸镁,氯化镁,硝酸镁,硫酸镁及其水合物的元素。

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