-
公开(公告)号：KR101895605B1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：KR1020110121332
申请日：2011-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5621 , G11C16/06
Abstract: 본발명은프로그램속도가향상된플래시메모리장치및 그것의프로그램방법을제공한다. 본발명에따른플래시메모리장치는메인영역및 메인영역에저장될데이터를일시적으로저장하는버퍼영역을포함하는메모리셀 어레이, 버퍼영역에대해버퍼데이터의쓰기또는읽기동작을수행하는페이지버퍼및 버퍼데이터의쓰기모드에따라버퍼데이터의쓰기속도가달라지도록페이지버퍼를제어하는제어로직을포함한다.
-
公开(公告)号：KR101893145B1
公开(公告)日：2018-10-05
申请号：KR1020110129581
申请日：2011-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1008 , G06F11/1072 , G11C29/52
Abstract: 본발명에따른비휘발성메모리장치및 상기비휘발성메모리장치를제어하는메모리제어기를포함하는메모리시스템의블록복사방법은, 상기비휘발성메모리장치의소스블록으로부터데이터를읽는단계, 상기읽혀진데이터의에러를정정하는단계, 상기에러정정된데이터를버퍼링하는단계, 및상기버퍼링된데이터를상기비휘발성메모리장치의타겟블록으로재프로그래밍방식을이용하여프로그램동작을수행하는단계를포함하고, 상기재프로그래밍방식은저장될데이터값에대응하는문턱전압의산포의폭을좁히도록복수의프로그래밍들을수행한다.
-
公开(公告)号：KR101785007B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020110057432
申请日：2011-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7203 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C2211/5641
Abstract: 여기에는멀티-비트메모리장치및 메모리제어기를포함하는데이터저장장치의온-칩버퍼프로그램방법이제공되며, 상기온-칩버퍼프로그램방법은상기데이터저장장치의성능을측정하는단계와; 상기측정된성능이상기데이터저장장치의목표성능을만족하는지의여부를판별하는단계와; 그리고상기판별결과에따라상기데이터저장장치의온-칩버퍼프로그램스케쥴링방식으로서복수의스케쥴링방식들중 하나를선택하는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种包括多位存储器件和存储器控制器的数据存储设备的片上缓冲器编程的方法，所述方法包括：测量所述数据存储设备的性能; 确定测量的性能是否满足交错数据存储设备的目标性能; 并且根据确定结果选择多个调度方案中的一个作为数据存储设备的片上缓冲器程序调度方案。
-
公开(公告)号：KR1020170026181A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020160106930
申请日：2016-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B5/305 , C07C211/51 , C07C229/60 , C08G73/10 , C08G73/1007 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/1053 , C08G73/1082 , C08J5/18 , C08J2379/08
Abstract: 하기화학식 1-1로표현되는모노머, 이로부터얻어진중합체, 중합체를포함하는보상필름, 광학필름및 표시장치에관한것이다. [화학식 1-1]Z, L, L, R내지 R, n, m, p 및 a 내지 f는명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 由化学式1-1表示的单体，其中在化学式1中，Z，L 1，L 2，R 1至R 6，n，m，p和a至f与详细说明中所定义的相同。
-
公开(公告)号：KR101662273B1
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020090116010
申请日：2009-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C7/04 , G11C13/0035 , G11C16/26 , G11C16/349
Abstract: 본발명은웨어-레벨링기능을갖는비휘발성메모리장치및 그것을포함하는메모리시스템에관한것이다. 본발명에따른비휘발성메모리장치는메모리코어및 비휘발성메모리장치내부에메모리셀의마모도를제어하기위한제어부를포함한다. 제어부는메모리셀의선택된영역의전하측정셀로부터실제마모도의데이터를얻어서마모도를판단하고, 선택된영역의마모도를소거회수테이블에저장해놓아메모리셀의마모도가다른영역보다높은경우메모리셀의다른영역을사용하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 비휘발성메모리장치내부에메모리셀의마모도를제어하기위한제어부및 실제마모도를측정할수 있는전하측정셀을구비하기때문에메모리시스템의수명을연장시킬수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101635506B1
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020100028008
申请日：2010-03-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483
Abstract: 여기에는불 휘발성메모리장치로부터데이터를읽는방법이제공되며, 그러한방법은읽기요청에응답하여상기불 휘발성메모리장치로부터읽기요청된데이터를읽고; 상기읽기요청된데이터의오류가정정가능하지않을때, 서로다른읽기해상도들을갖는적어도두개의연판정읽기동작들중 상대적으로낮은레벨의연판정읽기동작을활성화시키고, 상기상대적으로낮은레벨의연판정읽기동작에의해서상기불 휘발성메모리장치로부터읽혀진데이터에의거하여, 상기읽기요청된데이터의오류가정정가능한지의여부를판별하는것을포함한다. 상기상대적으로낮은레벨의연판정읽기동작동안상기읽기요청된데이터를읽는동작이생략된다.
-
公开(公告)号：KR101616097B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020090108544
申请日：2009-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/12 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
Abstract: 본발명의기술적사상의실시예에따른불휘발성메모리장치의프로그램방법은단계적으로증가하는프로그램전압을메모리셀에인가하는단계, 상기메모리셀의초기상태에서타겟상태로의문턱전압의변화량에기초하여, 프로그램루프동안상기메모리셀에인가될검증전압의개수를결정하는단계, 및상기메모리셀의상기타겟상태로의프로그램여부를검증하기위하여, 상기결정된적어도하나의검증전압을상기메모리셀에인가하는단계를포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020160001911A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020140080048
申请日：2014-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F13/1673 , G06F2212/7201 , G06F2212/7203 , G11C7/1072 , G11C16/102
Abstract: 본발명은불휘발성메모리, 랜덤액세스메모리; 그리고메모리컨트롤러를포함하는솔리드스테이트드라이브에관한것이다. 불휘발성메모리는, 복수의불휘발성메모리칩들및 버퍼칩을포함한다. 메모리컨트롤러는, 내부버스, 호스트인터페이스, 메모리인터페이스, 버퍼제어회로, 그리고프로세서로구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及包括非易失性存储器，随机存取存储器和存储器控制器的固态驱动器。 非易失性存储器包括非易失性存储器芯片和缓冲器。 存储器控制器包括内部总线，主机接口，存储器接口，缓冲器控制电路和处理器。
-
公开(公告)号：KR1020150130633A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020140057304
申请日：2014-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C29/52 , G11C2013/0057
Abstract: 본발명에따른불휘발성메모리장치의읽기방법은, 제 1 읽기전압에따라상기불휘발성메모리장치의선택된메모리영역의데이터를독출하는단계, 상기독출된데이터의에러를검출및 정정하는단계, 상기독출된데이터의에러정정이불가한경우, 상기독출된데이터에포함되는논리 '0' 또는논리 '1'의수나비율을참조하여상기선택된메모리영역을독출하기위한제 2 읽기전압을결정하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的非易失性存储器件的读取方法包括以下步骤：根据第一读取电压读取非易失性存储器件的所选存储区域中的数据; 检测和校正读取数据的错误的步骤; 并且当不可能校正读取数据的错误时，参考读取数据中包括的逻辑'0'或'1'的数量或速率，确定用于读取所选存储区域的第二读取电压的步骤。
-
公开(公告)号：KR1020150091667A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020140012171
申请日：2014-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/08
CPC classification number: G11C8/08 , G11C5/02 , G11C7/04 , G11C8/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/30 , G11C16/32
Abstract: 본 발명에 따른 기판에 수직한 방향으로 형성되고, 비트라인들과 공통 소스 라인 사이에 연결된 복수의 스트링들을 갖는 복수의 메모리 블록들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 워드라인 구동 방법은: 워드라인 설정 시간을 단축하기 위하여 소정의 시간 동안 옵셋 펄스를 워드라인으로 인가하는 단계; 및 상기 소정의 시간 이후에 상기 옵셋 펄스의 레벨보다 낮거나 높은 타겟 펄스를 상기 워드라인으로 인가하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 一种非易失性存储器件的字线驱动方法，包括垂直形成在衬底上并包括连接在公共源极线和位线之间的多个串的多个存储块，包括以下步骤：施加 偏移脉冲到字线预设的一段时间，以减少字线设置时间; 以及在预设时间之后将高于或低于偏移脉冲的电平的目标脉冲施加到字线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
287
records
(took 0.038 seconds)
