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公开(公告)号：KR1020150132816A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：KR1020150155949
申请日：2015-11-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/32 , C23C28/00
Abstract: 본발명은그래핀층형성을위한방법및 기판에관한것으로서, 구체적으로는고압의열처리를이용하는고품질그래핀층형성방법및 이를위한기판에관한것이다. 본발명은기판층의상부에반응방지층을형성하는단계; 상기반응방지층의상부에그래핀층을형성함에있어촉매로서작용하는금속촉매층을형성하는단계; 상기일련의층들을적층한기판에대하여고압의열처리공정을거치는단계; 및상기금속촉매층의상부에그래핀층을성장시키는단계를포함하는것을특징으로하는그래핀층형성방법을개시하며, 본발명에의하여그래핀층의성장공정에앞서기판에고압의열처리공정을가함으로써금속촉매층의결정성을개선하고그 조밀화(densification)를향상시키며, 금속촉매층에대하여큰 점착력(adhesion energy)을가지는물질을반응방지층으로사용하여금속촉매원자의이동(migration)을억제함으로써그래핀층형성에필요한고온의공정을거치더라도금속촉매층이우수한표면평탄도를유지할수 있게하여상기금속촉매층의상부에고품질의그래핀층을형성할수 있는효과를갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及用于形成石墨烯层的方法和基材，更具体地说，涉及一种使用高压退火形成高品质石墨烯层的方法及其基板。 根据本发明，形成石墨烯层的方法包括：在基材层的上部形成反应防止层的工序; 在反应防止层的上部形成石墨烯层时形成作为催化剂的金属催化剂层的工序; 在其上形成有所述一系列层的基板上进行高压退火处理的步骤; 以及在金属催化剂层的上部生长石墨烯层的步骤。 根据本发明，在石墨烯层形成工艺之前对基板进行高压退火处理，以改善金属催化剂层的结晶度和致密化。 使用对于金属催化剂层具有高附着能的材料作为反应防止层，以抑制金属催化剂原子的迁移，以便即使经历石墨烯层形成所需的高温处理形成之后也能保持金属催化剂层的优异的表面平坦度 金属催化剂层上部的高品质石墨烯层。
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公开(公告)号：KR1020140121137A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130037436
申请日：2013-04-05
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L21/02664 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02658 , H01L29/1606 , H01L45/1616
Abstract: 본 발명은 그래핀층 형성을 위한 방법 및 기판에 관한 것으로서, 구체적으로는 고압의 열처리를 이용하는 고품질 그래핀층 형성 방법 및 이를 위한 기판에 관한 것이다.
본 발명은 기판층의 상부에 반응방지층을 형성하는 단계; 상기 반응방지층의 상부에 그래핀층을 형성함에 있어 촉매로서 작용하는 금속촉매층을 형성하는 단계; 상기 일련의 층들을 적층한 기판에 대하여 고압의 열처리 공정을 거치는 단계; 및 상기 금속촉매층의 상부에 그래핀층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법을 개시하며, 본 발명에 의하여 그래핀층의 성장 공정에 앞서 기판에 고압의 열처리 공정을 가함으로써 금속촉매층의 결정성을 개선하고 그 조밀화(densification)를 향상시키며, 금속촉매층에 대하여 큰 점착력(adhesion energy)을 가지는 물질을 반응방지층으로 사용하여 금속 촉매 원자의 이동(migration)을 억제함으로써 그래핀층 형성에 필요한 고온의 공정을 거치더라도 금속촉매층이 우수한 표면 평탄도를 유지할 수 있게 하여 상기 금속촉매층의 상부에 고품질의 그래핀층을 형성할 수 있는 효과를 갖는다.Abstract translation: 本发明涉及形成石墨烯层和基材的方法，更具体地说，涉及使用高压退火和基材形成高质量石墨烯层的方法。 形成石墨烯层的方法包括：在基材层上形成反应防止层的步骤; 在反应防止层上形成石墨烯层的形成作为催化剂的金属催化剂层的工序; 在高压下层叠一系列层的基板退火的工序; 以及在金属催化剂层上生长石墨烯层的步骤。 本发明可以提高金属催化剂层的结晶性，并且可以在石墨烯层生长过程之前通过在高压下退火基板来改善致密化。 此外，本发明使得金属催化剂层尽管由于金属催化剂原子的迁移由于利用对金属催化剂具有很强的附着力的物质的限制而使得形成石墨烯层所需的高温处理也能保持优异的表面平坦度 层作为防反应层; 从而在金属催化剂层上形成高质量的石墨烯层。
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公开(公告)号：KR1020130116689A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：KR1020120039303
申请日：2012-04-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: The synthesis of antimony telluride (Sb-Te) paste and a method for forming a p-type thermoelectric material using paste are provided to manufacture a thermoelectric element by a thermal process and the synthesis of paste, thereby obtaining high power. CONSTITUTION: Antimony telluride paste is synthesized (S10). The antimony telluride paste is printed on a substrate (S20). The printed substrate is dried to evaporate solvent (S30). Binders are evaporated from the dried substrate. To synthesize an antimony telluride compound, a thermal process is performed at higher temperature compared to the temperature of the drying process (S40). [Reference numerals] (AA) Sb-Te Powder(75wt%) + solvent (22.4wt%) + Binder (0.2wt%) + Glass Powder (2.4wt%); (BB) Dry for 10 to 20 minutes in an oven at 100-200°C; (CC) Input a specimen along with tellurium powder; (DD) First stage; (EE) Heat for 10 minutes at 260°C in a vacuum atmosphere; (FF) Second stage; (GG) Heat for 10 minutes at 260°C in a N_2 atmosphere; (HH) Third stage; (II) Heat for more than 20 minutes at 430°C in a N_2 atmosphere; (JJ) Fourth stage; (KK) Heat for more than 10 minutes at 500°C in a N_2 atmosphere; (S10) Paste synthesis stage; (S20) Screen print stage; (S30) Drying stage; (S40) Heat treatment stage
Abstract translation: 目的：提供锑碲化合物（Sb-Te）糊的合成和使用糊料形成p型热电材料的方法，以通过热处理和糊剂的合成制造热电元件，从而获得高功率。 构成：合成碲化锑膏（S10）。 将碲化锑膏印刷在基板上（S20）。 将印刷基板干燥以蒸发溶剂（S30）。 粘合剂从干燥的基材蒸发。 为了合成碲化锑化合物，与干燥处理的温度相比，在更高的温度下进行热处理（S40）。 （AA）Sb-Te粉末（75重量％）+溶剂（22.4重量％）+粘合剂（0.2重量％）+玻璃粉末（2.4重量％）; （BB）在100-200℃的烘箱中干燥10至20分钟; （CC）输入样品和碲粉末; （DD）第一阶段; （EE）在真空气氛中在260℃下加热10分钟; （FF）第二阶段; （GG）在N_2气氛中在260℃下加热10分钟; （HH）第三阶段; （II）在N_2气氛中在430℃下加热20分钟以上; （JJ）第四阶段; （KK）在N_2气氛中在500℃下加热10多分钟; （S10）糊状合成阶段; （S20）丝网印刷阶段; （S30）干燥阶段; （S40）热处理阶段
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公开(公告)号：KR1020130099451A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120020972
申请日：2012-02-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/194 , C23C16/01
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene is provided to massively manufacture graphene devices with an environment-friendly method. CONSTITUTION: A method for manufacturing graphene comprises: a step (S100) of forming a graphene layer on a base substrate; a step (S110) of attaching a target substrate to the graphene layer; and a step (S120) of transcribing the graphene layer on the target substrate by separating the graphene layer from the base substrate. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Yes; (CC) No; (DD) End; (S100) Forming a graphene layer on a base substrate; (S110) Attaching a target substrate to the graphene layer; (S120) Transcribing the graphene layer on the target substrate by separating the graphene layer from the base substrate; (S130) Whether S100 or S120 is implemented again or not on the same base substrate
Abstract translation: 目的：提供石墨烯制造方法，以环保方式大量生产石墨烯装置。 构成：制造石墨烯的方法包括：在基底基板上形成石墨烯层的工序（S100） 将目标衬底附着到石墨烯层的步骤（S110）; 以及通过从所述基底基板分离所述石墨烯层来转录所述目标基板上的所述石墨烯层的步骤（S120）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）是的; （CC）否; （DD）结束; （S100）在基底基板上形成石墨烯层; （S110）将目标基板安装到石墨烯层上; （S120）通过将石墨烯层与基底基板分离来转印目标基板上的石墨烯层; （S130）是否在同一基板上再次实现S100或S120
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公开(公告)号：KR1020130037457A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020110101866
申请日：2011-10-06
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: Synthesis of zinc antimonide paste and a method for forming a p-type thermoelectric material using paste are provided to reduce manufacturing costs by using the zinc antimonide paste instead of Bi-Te based paste. CONSTITUTION: ZnSb powder, solvent, binder and glass powder are mixed to synthesize zinc-antimony paste(S10). The zinc-antimony paste is printed on a substrate(S20). The printed substrate is dried in an oven in a temperature of 100-200>= for 10-20 min(S30). A three-step thermal process is performed on the dry substrate in vacuum and nitrogen atmosphere(S40). [Reference numerals] (AA) ZnSb Powder(75 wt%) + Solvent(20.6 wt%) + Binder(2 wt%) + Glass Powder(2.4 wt%); (BB) Drying in an oven in a temperature of 100-200°C for 10-20 minutes; (CC) First step; (DD) Thermal processing in vacuum of 330°C for 10 minutes; (EE) Second step; (FF) Thermal processing in N_2 of 330°C for 10 minutes; (GG) Third step; (HH) Thermal processing in N_2 of 380°C over 18 minutes; (S10) Paste synthesizing step; (S20) Screen printing step; (S30) Drying step; (S40) Thermal processing step;
Abstract translation: 目的：提供锑化锑糊的合成和使用糊料形成p型热电材料的方法，以通过使用锑锑膏代替Bi-Te基膏来降低制造成本。 构成：将ZnSb粉末，溶剂，粘合剂和玻璃粉末混合以合成锌 - 锑膏（S10）。 将锌 - 锑膏印刷在基板上（S20）。 将印刷的基板在烘箱中在100-200℃的温度下干燥10-20分钟（S30）。 在真空和氮气气氛下在干燥基板上进行三步热处理（S40）。 （AA）ZnSb粉末（75重量％）+溶剂（20.6重量％）+粘合剂（2重量％）+玻璃粉末（2.4重量％）; （BB）在烘箱中在100-200℃的温度下干燥10-20分钟; （CC）第一步; （DD）330°C真空热处理10分钟; （EE）第二步; （FF）N_2中330℃热处理10分钟; （GG）第三步; （HH）热处理N_2在380°C超过18分钟; （S10）糊合成步骤; （S20）丝网印刷步骤; （S30）干燥步骤; （S40）热处理步骤;
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120137053A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020110056341
申请日：2011-06-10
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/513
Abstract: PURPOSE: A graphene electronic device having a multi-layered gate insulating layer is provided to improve electrical characteristics of a grapheme by forming a gate insulating layer of a double layer between a graphene channel layer and a gate electrode. CONSTITUTION: A conductive substrate serves as a gate electrode. A gate insulating layer(120) is arranged on the substrate. A graphene channel layer(130) is formed on the gate insulating layer. A source electrode(141) and a drain electrode(142) are arranged on both ends of the graphene channel layer. The gate insulating layer comprises and inorganic material insulating layer and an organic compound insulating layer on the inorganic material insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件，以通过在石墨烯通道层和栅电极之间形成双层栅极绝缘层来改善图形的电特性。 构成：导电衬底用作栅电极。 栅极绝缘层（120）布置在衬底上。 在栅极绝缘层上形成石墨烯沟道层（130）。 源极电极（141）和漏电极（142）布置在石墨烯通道层的两端。 栅绝缘层包括无机材料绝缘层和无机材料绝缘层上的有机化合物绝缘层。
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公开(公告)号：KR102233994B1
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020180109395
申请日：2018-09-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3205 , H01L21/02 , H01L21/8234
Abstract: 본발명은금속산화물이매트릭스고분자에원자단위로분산되어있으면서서로화학적으로결합되어있는유무기절연막에관한것으로, 상기절연막은높은절연상수와낮은누설전류, 얇은두께및 우수한절연특성을가지며, 트랜지스터에게이트절연막으로적용하여유연전자소자및 회로의성능을극대화할수 있다.
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公开(公告)号：KR102217314B1
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：KR1020200033146
申请日：2020-03-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은다결정성열전물질의제조방법및 이로부터제조된열전물질및 열전소자에관한것으로, 상기다결정성열전물질은 (a) 중합성단량체및 광개시제를포함하는중합성조성물과열전입자가혼합된중합성분산액을스크린프린팅하여열전입자가면 방향에대해수직방향으로정렬된필름을형성하는단계; 및 (b) 상기필름을임계시간간격으로광경화하여경화필름을제조하는단계;를단위공정으로포함하고, (c) 상기경화필름을고온열처리하는단계를더 포함함으로써우수한전기전도도를가지는열전물질및 우수한성능지수를가지는열전소자를제공할수 있다.
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