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公开(公告)号：KR101134131B1
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020100087970
申请日：2010-09-08
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판의 표면에 텍스처를 형성하는 표면조직화공정을 포함하는 실리콘 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 표면조직화공정의 앞에 상기 기판의 데미지를 제거하는 전처리공정을 더 포함하며, 상기 전처리공정이 NaOCl을 포함하는 용액에 상기 기판을 침지한 상태에서 초음파를 가하여 이루어진다.
본 발명은, 초음파 및 NaOCl을 이용한 전처리공정을 거친 실리콘 기판에 표면조직화공정을 실시함으로써, 태양전지의 변환효율을 감소시키지 않으면서 기판의 표면조직화과정에서 식각되는 실리콘의 양을 감소시켜 태양전지 제조시의 재료비용을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 종래의 전처리공정에 비하여 낮은 농도의 용액을 이용하여 낮은 온도에서 전처리공정을 실시함으로써, 제조비용이 감소하는 효과가 있다.
나아가 NaOCl 용액을 사용함으로써, 캐리어의 수명이 증가하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020120025828A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：KR1020100087970
申请日：2010-09-08
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for processing the surface of a silicon substrate for a silicon solar cell is provided to reduce manufacturing costs by reducing amount of silicon which is etched in a surface texturing process. CONSTITUTION: A silicon substrate is dipped in solution including NaOCl. Concentration of the NaOCl which is dipped in the solution is 1 to 10wt% range. Ultrasonic waves are added to the dipped silicon substrate. Damage of the silicon substrate is eliminated through a head end process. The head end process is processed at 10 to 30degrees for 1 to 10minutes. A texture is formed on the surface of the silicon substrate. An oscillation frequency of the ultrasonic waves is 20 to 40kHz.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理硅太阳能电池的硅衬底的表面的方法，以通过减少在表面纹理化工艺中蚀刻的硅的量来降低制造成本。 构成：将硅衬底浸入含NaOCl的溶液中。 浸入溶液中的NaOCl的浓度为1〜10重量％。 超声波被添加到浸渍的硅衬底中。 通过头端工艺消除硅衬底的损坏。 头端过程在10至30度处理1至10分钟。 在硅衬底的表面上形成纹理。 超声波的振荡频率为20〜40kHz。
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公开(公告)号：KR101976678B1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：KR1020170171319
申请日：2017-12-13
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/042
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公开(公告)号：KR101877847B1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：KR1020170024089
申请日：2017-02-23
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/03926 , H01L31/02366 , H01L31/1884
Abstract: 본발명은박막태양전지용연성기판의응력완화방법에관한것으로, 더욱상세하게는연성기판의후면에패터닝된금속막을증착시킴으로써연성기판의전면에증착되는금속전극이갖는압축/인장응력을상쇄시킬수 있는, 박막태양전지용연성기판의응력완화방법에관한것이다. 본발명에따르면, 연성기판의후면에패터닝된금속막을증착시킴으로써연성기판전면에증착된금속전극의압축/인장응력을상쇄시킬수 있다. 또한기판의후면에증착되는금속막에는패턴이형성되어있어기판의후면부에조사해주는할로겐램프타입히터의조사광이기판후면부의빈 공간(금속막이형성되지않은공간)을통해기판을투과한후 바로기판전면의금속전극에전달되기때문에기판전면부의공정온도조절이용이한장점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR20180046169A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR20160141091
申请日：2016-10-27
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/048 , H01L31/0232 , H01L31/042 , H01L31/049
CPC classification number: H02S40/10 , H01L31/049
Abstract: 본발명은중기간또는단기간동안사용할수 있는간단한구조의태양전지패키지에관한것으로, 광전변환에의해전기에너지를생산하는태양전지셀; 상기태양전지셀의전면에위치하는전면밀봉시트; 및상기태양전지셀의후면에위치하는후면밀봉시트를포함하여구성되며, 상기후면밀봉시트에흡습제입자가분산되어있거나, 상기전면밀봉시트및 상기후면밀봉시트모두에흡습제입자가분산되어있고, 상기전면밀봉시트와상기후면밀봉시트가접착되어상기태양전지셀을밀봉하고있는것을특징으로한다. 본발명은, 흡습제입자가분산된밀봉시트를사용하여태양전지셀을밀봉함으로써, 밀봉시트만으로패키징한간단한구조임에도불구하고흡습제입자에의해서습기로부터태양전지셀을보호하여중기간또는단기간동안사용할수 있는태양전지패키지를제공할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020170126352A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020160056666
申请日：2016-05-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H02S20/26
CPC classification number: H01L31/03923 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H02S20/26 , Y02E10/50
Abstract: 본발명은반투명특성을가지면서도효율이우수한 CIGS 태양전지및 이의제조방법에관한기술을제공하며, 본발명의일실시예에따른반투명 CIGS 태양전지는투명전도성기판, 투명전도성기판상에형성되고밴드갭이광흡수층보다높은 AgGaS중간층, 중간층상에 400nm 이하의두께로형성되고밴드갭이 1.5 eV 이상인 CIGS계광흡수층을포함하며, 광흡수층상에순차적으로버퍼층, 투명전도층, 전면전극이적층된구조를갖으며, 후면전극으로투명반도체산화물을사용하고밴드갭이 1.5 eV 이상으로높은 CIGS 광흡수층을사용함에따라가시광선영역의일부광을투과시켜반투명특성을가지면서도투명전도성기판과광흡수층의사이에밴드갭이큰 중간층을포함함에따라태양전지의투명성과효율을동시에향상시키는효과를갖는다.
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公开(公告)号：KR101778723B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020160153512
申请日：2016-11-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/042 , H01L31/0687
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/0322 , H01L31/0687 , H01L31/1884 , Y02E10/544 , H01L31/03923 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 본발명은투명한후면전극을구비한 CIGS계태양전지셀의제조방법에관한것으로, 투명한산화물재질의후면전극층을형성하는단계; 상기후면전극층위에금속재질의후면전극패턴을형성하는단계; 상기후면전극패턴이형성된후면전극층위에 CIGS계광흡수층을형성하는단계; 상기광흡수층위에버퍼층을형성하는단계; 및상기버퍼층위에투명재질의전면전극을형성하는단계를포함하여구성되며, 상기후면전극패턴은금속재질의패턴사이에빛이투과하는투과부가형성되는것을특징으로한다. 본발명은, TCO 재질의후면전극층표면에광투과부가형성된금속재질의후면전극패턴을형성함으로써, 후면전극층과광흡수층사이에 GaO가형성되는양을줄일수 있고, GaO가형성되는경우에도후면전극패턴을통해전류가흐르기때문에후면전극층과광흡수층사이의계면저항이증가하는것을방지하여 TCO 재질의후면전극을사용하고도태양전지셀의광전변환효율이뛰어난효과를얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有透明背电极的CIGS太阳能电池的方法，包括：形成透明氧化物材料的背电极层; 在后电极层上形成金属材料的后电极图案; 在形成有后电极图案的后电极层上形成CIGS光吸收层; 在光吸收层上形成缓冲层; 并且在缓冲层上形成透明材料的前电极，其中后电极图案形成有透明部分，光透过所述透明部分在金属图案之间传输。 本发明中，通过形成TCO材料的底电极表面上形成光透射部分的金属材料构成的背面电极图案，并且即使高正规型电极可降低在背面电极层和光吸收层，背面之间性别高正规型的量， 防止由于跨越使用TCO材料hagodo的背面电极图案中的电流流动的背面电极层和光吸收的增加之间的界面电阻可以得到的太阳能电池的效果优良的光电转换效率。
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公开(公告)号：KR1020170079405A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150189914
申请日：2015-12-30
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은고품질의 FeS박막을상용화에적합한공정으로형성하는방법에관한것으로, Fe-산화물박막형성단계; 상기 Fe-산화물박막을 S가스분위기에서열처리하는 1차열처리단계; 및 1차열처리를거친박막에대하여 HS가스분위기에서열처리하는 2차열처리단계;를포함하는것을특징으로한다. 본발명은, Fe-산화물박막을형성한뒤에 S 가스분위기에서의 1차열처리와 HS 가스분위기에서의 2차열처리를순차적으로수행함으로써, 2차상이없고밀도가뛰어난고품질의 FeS박막을매우짧은열처리시간으로제조할수 있는뛰어난효과가있다. 또한, 본발명의제조방법은, 고품질의 FeS박막을대량생산에적합하고제조비용이낮은공정으로형성할수 있기때문에, 상용화가가능하며태양전지제조비용을크게낮출수 있는뛰어난효과를나타낸다.
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公开(公告)号：KR1020160006371A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140085798
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본발명은다양한스펙트럼을갖는빛을출사가능한광 바이어스장치및 이를이용한태양전지분광응답측정장치에관한것이다. 본발명에의한광 바이어스장치는, 빛을발광하는바이어스광원을구비한광원부; 입사된빛이경로를따라이동되는복수의광유로가구비된광가이드부; 및상기광가이드부입구에각각위치되거나, 또는상기광가이드부에서이동되는빛의경로상에위치되거나, 또는상기광가이드부출구에각각위치되는적어도하나의광필터가구비된복수의광필터부를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够照射具有各种光谱的光的偏光装置，以及使用其的太阳能电池光谱响应性测定装置。 根据本发明，光偏置装置包括：具有发光的偏置光源的光源部; 导光部，具有入射光沿其移动的多个光路; 以及多个光学滤光器部分，其具有一个或多个光学滤光器，分别位于导光部分的入口中，位于在导光部分中移动的光的路径中，或分别位于导光部分的出口中。
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