公开(公告)号：KR1020070092079A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：KR1020060070603

申请日：2006-07-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  이정익 ,  양용석 ,  박상희 ,  황치선 ,  정승묵 ,  도이미

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5008 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088

Abstract: A high efficiency organic light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve a hole injection efficiency by arranging a barrier buffering layer between a hole transport layer and a light emitting layer. A hole injection layer(32) is made of a hole injection-supporting material on an anode(22). A hole transport layer(42) is arranged on the hole injection layer. A barrier buffering layer is arranged on the hole transport layer and made of a combination of materials used for the hole transport layer and a light emitting layer. The light emitting layer(52) is arranged on the barrier buffering layer. An electron transport layer(72) is arranged on the light emitting layer. An electron injection layer(82) is arranged on the electron transport layer. A cathode is arranged on the electron injection layer.

Abstract translation: 提供一种高效率有机发光二极管及其制造方法，通过在空穴传输层和发光层之间配置阻挡缓冲层来提高空穴注入效率。 空穴注入层（32）由阳极（22）上的空穴注入支撑材料制成。 在空穴注入层上配置有空穴输送层（42）。 阻挡缓冲层布置在空穴传输层上，并且由用于空穴传输层和发光层的材料的组合构成。 发光层（52）配置在阻挡缓冲层上。 电子传输层（72）布置在发光层上。 电子注入层（82）布置在电子传输层上。 阴极排列在电子注入层上。

公开(公告)号：KR1020070061246A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060074493

申请日：2006-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  이진호 ,  백규하 ,  도이미

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0525

Abstract: A method for fabricating an organic thin film transistor is provided to minimize deterioration of an organic layer by minimizing substrate heating effect. A source gas is absorbed onto a surface of a substrate by implanting the source gas into an inside of a reactor(S10). A source gas purging process is performed to purge the source gas absorbed onto the substrate or the remaining source gas within the reactor(S20). An inorganic oxide layer is formed by supplying an oxygen gas and generating plasma(S30). The oxygen gas and the plasma are intercepted(S40). A purge gas supply process is performed to purge the reactive residues and the remaining gas by supplying the purge gas(S50).

Abstract translation: 提供一种用于制造有机薄膜晶体管的方法，以通过最小化衬底加热效应来最小化有机层的劣化。 通过将源气体注入到反应器的内部，源气体被吸收到基板的表面上（S10）。 进行源气体净化处理以清除吸收到基板上的源气体或反应器内的剩余源气体（S20）。 通过供给氧气并产生等离子体形成无机氧化物层（S30）。 截断氧气和等离子体（S40）。 进行净化气体供给处理以通过供给吹扫气体来清除反应性残留物和剩余气体（S50）。

公开(公告)号：KR1020070059835A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020060041797

申请日：2006-05-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  박상희 ,  추혜용 ,  정승묵 ,  이정익 ,  양용석 ,  도이미

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5032 ,  H01L51/56

Abstract: An organic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to obtain operation stability and uniformity of the device by controlling a size of an active driving unit. An organic light emitting device(400) includes a plurality of organic light emitting units(420,440,460) on a substrate(401). An active driving unit(410) is laminated on one side of top and bottom of each organic light emitting unit(420,440,460). The active driving unit(410) is made of transparent semiconductor material and conductive material. The organic light emitting unit(420,440,460) includes a transparent first electrode, an organic light emitting layer formed on the first electrode, and a transparent second electrode formed on the organic light emitting layer.

Abstract translation: 提供有机发光器件及其制造方法，通过控制有源驱动单元的尺寸来获得器件的操作稳定性和均匀性。 有机发光器件（400）在衬底（401）上包括多个有机发光单元（420,440,460）。 有源驱动单元（410）层叠在每个有机发光单元（420,440,460）的顶部和底部的一侧上。 主动驱动单元（410）由透明半导体材料和导电材料制成。 有机发光单元（420,440,460）包括透明第一电极，形成在第一电极上的有机发光层和形成在有机发光层上的透明第二电极。

公开(公告)号：KR100626660B1

公开(公告)日：2006-09-22

申请号：KR1019990024566

申请日：1999-06-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성현 ,  정태형 ,  도이미 ,  황도훈 ,  추혜용

IPC: H05B33/10

Abstract: 발광 고분자를 이용한 고분자 발광 소자의 발광 효율을 획기적으로 높이기 위해 고분자의 상분리(Phase separation) 현상을 이용한 발광소자가 개시된다. 본 발명은 서로 다른 성질을 갖는 발광 고분자와 절연 고분자를 섞어 투명 기판에 도포한 후, 상 분리를 통해 발광 고분자의 사슬 굵기를 전자와 정공의 상호작용에 의한 충돌 단면적(collisional cross section)보다 좁거나 비슷하게 유지하게 함으로써 서로 반대방향으로 진행하는 전자와 정공이 효율적으로 결합하게 되고, 이에 따라 발광효율을 극대화 할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 절연 물질을 열 안정성이 높은 물질로 선택을 하여 열화에 의한 소자의 퇴화도 막을 수 있으며, 절연성이 좋은 물질을 이용하여 상분리를 유도하므로 국소 방전에 의해 성장하는 빛이 나지 않는 어두운 부분(dark spot and/or black spot)의 성장도 막을 수 있는 부수적 효과도 있다.
발광소자, 고분자, 상분리

公开(公告)号：KR100600827B1

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1019990039629

申请日：1999-09-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성현 ,  황도훈 ,  정태형 ,  추혜용 ,  도이미 ,  박혁 ,  이정익

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 강유전체를 이용한 유기물 반도체 전계효과 트랜지스터와 그를 사용한 능동구동형 디스플레이의 화소 구동회로에 관한 것이다. 구동 전압을 낮추고, 반도체층 내의 전하 운반자의 전계효과 이동도를 높이며, 안정한 물질로 구성된 유기물 반도체 전계효과 트랜지스터를 제공하고, 그 내부의 축전지에 전하를 빠르고 효율적으로 축적할 수 있는 능동구동형 디스플레이의 화소 구동회로을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 소자 내의 유전층으로 강유전체를 사용하여 유기물을 이용한 전계효과 트랜지스터의 구동 전압을 낮추고 유기물 내의 전하 운반자의 전계효과 이동도를 높인다. 또한, 이처럼 유전층으로 강유전체를 사용한 전계효과 트랜지스터를 능동구동형 디스플레이의 화소 구동회로에 적용하되, 강유전층의 자발분극의 반전 전류를 이용하여 능동구동형 디스플레이의 화소 구동회로 내의 축전지에 전하를 빠르고 효율적으로 축적할 수 있다.
유기물 전계효과 트랜지스터, 유기물 반도체층, 강유전체층, 능동구동형 디스플레이 화소 구동 회로, 축전지

公开(公告)号：KR100587486B1

公开(公告)日：2006-06-09

申请号：KR1020040071871

申请日：2004-09-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양용석 ,  추혜용 ,  이정익 ,  오지영 ,  박상희 ,  황치선 ,  도이미 ,  정승묵 ,  김미경

IPC: G02F1/13

CPC classification number: H04N17/04 ,  G02F1/1309 ,  G09G2320/043 ,  G09G2360/145 ,  H05B33/0896

Abstract: 본 발명은 디스플레이 판넬의 화상 및 수명 측정 장치에 관한 것으로, 측정을 위한 적어도 하나의 디스플레이 판넬이 내부에 위치되며, 내부의 온도 및 습도 조건을 일정하게 유지하는 챔버, 상기 챔버 내에 설치되며, 상기 디스플레이 판넬의 화상신호를 얻기 위한 적어도 하나의 카메라, 제어신호에 따라 측정에 필요한 펄스 형태의 바이어스 전압 및 전류를 제공하며, 상기 디스플레이 판넬의 구동시 전압 및 전류를 측정하여 디지털 데이터로 변환하는 바이어스 공급 및 측정부, 상기 카메라에 의해 얻어진 화상신호를 디지털 데이터로 변환하는 변환부, 및 상기 바이어스 공급 및 측정부와 상기 변환부로부터 상기 디지털 데이터들을 입력받아 파라메터들을 생성하고, 상기 파라미터들을 이용하여 상기 디스플레이 판넬의 수명을 분석하는 제어 및 데이터 처리부를 포함한다.
디스플레이 판넬, 수명, 카메라, 화상신호, 파라메터, 펄스 파형

公开(公告)号：KR100584721B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040017235

申请日：2004-03-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기현 ,  이정헌 ,  김성현 ,  양용석 ,  도이미 ,  윤성민 ,  서경수 ,  장진

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 유기물 반도체 소자를 보호하기 위해 전체 상부면에 접착층 및 유기물과 무기물을 갖는 복합막을 포함하는 엔캡슐레이션 박막을 형성함으로써, 유기물 반도체 소자의 활성층 열화 원인인 수분 및 산소를 차단할 뿐만 아니라 소자의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다.
유기 박막 트랜지스터(OTFT), 엡캡슐레이션 박막, 고분자막, 무기막, 유기-무기 복합막

公开(公告)号：KR1020050040987A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020030075840

申请日：2003-10-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양용석 ,  이정익 ,  도이미

IPC: H01L21/336

Abstract: 본 발명은 반도체층을 무기물 반도체와 유기물 반도체의 다층으로 구성하여 함께 채널층으로 이용가능하도록 하는 전계효과 트랜지스터를 제공한다. 무기물 반도체층은 표면 졸겔법과 같은 습식 공정을 이용하여 증착하고, 그 위에 습식 또는 건식 공정으로 유기물 반도체층을 제조함으로써, 유기물 반도체층 만으로 계면을 형성하는 경우에 비해 계면 상태를 다양하게 개선시킬 수 있고 무기물과 유기물 반도체층 모두가 채널층의 역할을 하므로 전하수송 특성이 개선되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100475849B1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020020020908

申请日：2002-04-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기현 ,  오지영 ,  추혜용 ,  양용식 ,  이정익 ,  도이미 ,  정태형

IPC: H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5259 ,  H01L51/5253 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/23 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2998 ,  Y10T428/31855

Abstract: 습식 공정에 의하여 형성된 엔캡슐레이션 박막을 갖춘 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 유기 전기발광 소자는 기판상에 차례로 적층된 양극, 유기 발광층 및 음극을 포함하는 적층 구조와, 상기 적층 구조를 덮는 비닐 모노머의 중합 생성물로 이루어지는 고분자막을 포함하는 엔캡슐레이션 박막을 포함한다. 상기 유기 전기발광 소자를 제조하기 위하여 먼저 기판상에 양극, 유기 발광층 및 음극이 차례로 적층된 적층 구조를 형성한 후, 그 위에 비닐 모노머 및 중합 개시제를 함유하는 유기 용액을 코팅한다. 상기 적층 구조 위에 코팅되어 있는 유기 용액의 중합 반응을 유도하여 상기 적층 구조 위에 고분자막으로 이루어지는 엔캡슐레이션 박막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100470831B1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：KR1020020027863

申请日：2002-05-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  이효영 ,  김성현 ,  최성율 ,  정태형 ,  도이미

IPC: H01L29/02 ,  B82Y99/00

Abstract: 나노갭을 용이하고 재현성있게 제조하는 분자전자소자의 제조방법을 개시한다. 본 발명에서는, 기판 상에 제1, 제2 및 제3 반도체층을 순차 적층한 다음, 제2 반도체층의 측면을 식각함으로써 제1 반도체층과 제3 반도체층 사이에 나노갭을 형성한다. 나노갭이 형성된 결과물 표면에 금속막을 형성한 후 기판에 수직하게 절개하여 결과물의 상부와 하부를 전기적으로 단락시키고, 나노갭 부근의 단락된 두 금속막 상에 분자전자 소재를 도포하여 분자전자소자를 제조한다. 본 발명에 따르면 나노 리소그래피를 사용하지 않고서 분자전자소자를 제조하므로, 제조단가가 상승하는 문제없이 재현성이 뛰어나고 측정이 용이한 분자전자소자를 제조할 수 있다.