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公开(公告)号：KR1020140006574A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020120073904
申请日：2012-07-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The present invention relates to a voltage supply device outputting stable output voltage by using a regulator. According to an embodiment of the present invention, the voltage supply device comprises: a non-overlapping clock generator for generating clock signals; a charge pump for outputting pumping voltage by receiving clock signals and responding to the received clock signals; and a regulator receiving pumping voltage and controlling the received pumping voltage to output output voltage. The regulator contains: a reference voltage circuit generating reference voltage based on the pumping voltage; a sampling device outputting distributed voltage by distributing the output voltage; an error amplifier outputting voltage difference between the distributed voltage and the reference voltage; and a pass element receiving pumping voltage and controlling pass voltage based on the output from the error amplifier to constantly maintain output voltage. [Reference numerals] (110) Non-overlapping clock generator; (120) Positive charge pump; (131) Reference voltage circuit; (133) Pass element
Abstract translation: 本发明涉及通过使用调节器输出稳定输出电压的电压供给装置。 根据本发明的实施例，电压供给装置包括：用于产生时钟信号的非重叠时钟发生器; 电荷泵，用于通过接收时钟信号并响应于所接收的时钟信号来输出泵浦电压; 以及接收泵浦电压并控制所接收的泵送电压以输出输出电压的调节器。 调节器包括：基于电压产生参考电压的参考电压电路; 采样装置，通过分配输出电压输出分布电压; 输出分布电压和参考电压之间的电压差的误差放大器; 以及接收泵浦电压的通过元件，并且基于来自误差放大器的输出来控制通过电压以恒定地保持输出电压。 （附图标记）（110）非重叠时钟发生器; （120）正电荷泵; （131）参考电压电路; （133）通过元素
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公开(公告)号：KR101300587B1
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：KR1020090121573
申请日：2009-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2885
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 하전된 금속 입자를 전기력 또는 자기력을 이용해 이동시켜서 비아 홀을 충진하므로 비아 홀의 하부에서부터 위로 충진이 이루어져서 비아 홀의 내부에 공극이 발생하지 않거나 최소화되고, 종래 기술에 따른 구리 전기도금 방식과 비교하면 본 발명은 매우 빠른 시간 내에 크고 깊은 비아 홀을 금속 입자로 채울 수 있어서 실리콘 관통 비아(TSV)의 공정 가격 및 공정 시간을 단축시키며, 수지성분이 많이 포함되어 있는 메탈 페이스트를 사용하는 건식 충진 방식과 비교하면 본 발명은 하전된 금속 입자를 사용함으로서 더 밀한 TSV 금속 배선을 형성할 수 있는 이점이 있다.
TSV(through silicon via), 비아 충진(via filling), 3차원 패키징(3D packaging), 금속 입자(metal particle)-
公开(公告)号：KR101168155B1
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020080122151
申请日：2008-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B24B37/00 , B24B37/34 , H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼(wafer)와 같은 피 가공소재를 화학 기계적 폴리싱(chemical mechanical Polishing, CMP)을 통하여 연마하는 화학 기계적 연마장치가 제공된다.
상기 화학 기계적 연마장치는 그 구성 일 예로, 장치 베이스 상에 이동 가능하게 제공된 이동형 장치 프레임;과, 피 가공소재를 연마토록 상기 장치 프레임 사이에 회전 구동 가능하게 제공되는 피 가공소재 연마유닛; 및, 상기 장치 베이스 상에 상기 피 가공소재 연마유닛의 하측에 설치되고 상기 피 가공소재가 장착되는 피 가공소재 홀더유닛을 포함하여 구성될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 기존 연마장치의 구조를 개선하여 반도체 웨이퍼와 같은 정밀 가공을 요하는 소재의 연마 평탄성과 정밀성을 부가하면서도, 소재 전체면으로 균일한 연마를 가능하게 하는 개선된 효과를 얻을 수 있다.
화학 기계적 폴리싱(CMP), 드럼형 CMP 장치, 웨이퍼 연마, 연마패드-
公开(公告)号：KR1020120076297A
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020110115828
申请日：2011-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박건식
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/20 , C01B31/02
CPC classification number: C01B32/186 , H01L21/20 , H01L29/1606
Abstract: PURPOSE: A method for forming graphene, an electric component using the same and a method for forming the same are provided to prevent damage of the graphene generated in the transcription process by omitting a process which transferring the graphene to a device. CONSTITUTION: An insulating layer(11) is formed on a substrate(10). A seed layer and a protective layer are successively formed on the insulating layer. A seed pattern and a resist pattern(13) are formed by patterning the seed layer and the protective layer. The seed pattern is composed of a first seed pattern(12a) and a second seed pattern(12b). Graphene is formed at one sidewall of the see pattern by using one method among a chemical vapor deposition method, an ion injection method, and an epitaxial growth method.
Abstract translation: 目的：提供一种形成石墨烯的方法，使用该方法的电子部件及其形成方法，以通过省略将石墨烯转移到装置的方法来防止在转录过程中产生的石墨烯的损伤。 构成：在基板（10）上形成绝缘层（11）。 在绝缘层上依次形成种子层和保护层。 种子图案和抗蚀剂图案（13）通过图案化种子层和保护层而形成。 种子图案由第一种子图案（12a）和第二种子图案（12b）组成。 通过化学气相沉积法，离子注入法和外延生长法中的一种方法，在观察图案的一个侧壁处形成石墨烯。
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公开(公告)号：KR1020120061424A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020100122740
申请日：2010-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027 , B41N1/06 , B41M1/10
CPC classification number: B41N1/00 , B41M1/10 , B41N1/06 , H01L21/0274 , G03F7/0002 , G03F7/12
Abstract: PURPOSE: An intaglio printing plate which includes an auxiliary pattern and a manufacturing method thereof are provided to improve accuracy of a pattern by uniformly filling ink on the edge of the pattern. CONSTITUTION: A pattern to be printed is located on a pattern part(100). A non-pattern part is arranged on a region which excludes the pattern part. An auxiliary pattern part(210) includes a repetition pattern of a predetermined shape formed within the pattern part. A part of the pattern part is divided by a pattern structure formed by the auxiliary pattern part. A cross sectional surface of a repetition pattern part has a mesh structure.
Abstract translation: 目的：提供一种包括辅助图案的凹版印刷版及其制造方法，以通过在图案的边缘均匀地填充墨来提高图案的精度。 构成：要打印的图案位于图案部分（100）上。 非图案部分布置在排除图案部分的区域上。 辅助图案部分（210）包括形成在图案部分内的预定形状的重复图案。 图案部分的一部分被由辅助图案部分形成的图案结构划分。 重复图案部分的横截面具有网格结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101087140B1
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020080129603
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 디척킹 불량을 방지하고 소비전력 손실을 줄일 수 있는 플라즈마 처리 장치의 기판 척킹/디척킹 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치는, 플라즈마 처리시 기판을 안착하는 정전척; 상기 정전척에 상기 기판을 착탈하기 위해 전압을 인가하는 정전척 전원 공급부; 플라즈마 처리시 상기 정전척의 내부에 삽입되고, 플라즈마 처리 완료후 상기 정전척으로부터 상승하여 상기 기판을 상기 정전척으로부터 분리하는 리프트 핀; 상기 리프트 핀과 접지단 사이에 연결되고, 플라즈마 처리가 완료되면 상기 기판의 접지 전압으로부터 충전되는 충전부; 및 상기 충전부의 충전 전압이 소정 전압 이상일 경우, 상기 리프트 핀을 기판 접촉면 이상으로 상승시키고 상기 충전부에 충전된 전하를 상기 전원 공급부로 인가하는 제어부를 포함한다.
플라즈마 식각 장치, 척킹, 디척킹-
公开(公告)号：KR1020110070781A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020100117612
申请日：2010-11-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06K19/0704 , G06K19/0723 , H02J7/0029
Abstract: PURPOSE: An RFID(Radio Frequency ID) tag device equipped with a charge function is provided to recognize the RFID tag in a long distance and prevent the reducing of the recognition ratio due to the shortage of the electric power supply. CONSTITUTION: A charge unit(220) charges the specified voltage. The DC power supply unit (211) generates the power source from the RF signal. A block unit(214) connects/blocks the power source between the DC power supply and the power supply unit. An over voltage prevention part(215) is connected in the output terminal of the DC power supply and connected in parallel with the charge unit to prevent the over voltage of the charge unit. The power supply unit is connected to the output terminal of the DC power supply. The charge unit is charged with the power source generated from the DC power supply unit and the 'the external power source generated from the power supply unit.
Abstract translation: 目的：提供一种配备充电功能的RFID（射频识别）标签设备，用于长距离识别RFID标签，防止由于电源不足导致的识别率降低。 构成：充电单元（220）对指定的电压充电。 直流电源单元（211）从RF信号生成电源。 块单元（214）在DC电源和电源单元之间连接/阻断电源。 在直流电源的输出端子上连接有过电压保护部（215），与充电部并联连接，以防止充电部的过电压。 电源单元连接到直流电源的输出端子。 充电单元对从直流电源单元产生的电源和从电源单元产生的外部电源充电。
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公开(公告)号：KR1020110064828A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090121573
申请日：2009-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2885
Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor device is provided to move charged metal particles by electric power or magnetic power to fill a via hole, thereby minimizing voids inside the via hole. CONSTITUTION: A via hole is formed in a semiconductor substrate(101). An insulating film is formed on the inner sidewall of the via hole. A diffusion preventing film(109) is formed on the semiconductor substrate and the inner sidewall of the via hole. Electrically charged metal particles are diffused in a solvent(111). The metal particles are moved using electric power or magnetic power so that the via hole is filled with metal particles(113,115).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的方法，通过电力或磁力来移动带电金属颗粒以填充通孔，从而最小化通孔内部的空隙。 构成：在半导体衬底（101）中形成通孔。 绝缘膜形成在通孔的内侧壁上。 在半导体衬底和通孔的内侧壁上形成扩散防止膜（109）。 带电的金属颗粒在溶剂（111）中扩散。 使用电力或磁力使金属颗粒移动，使得通孔填充有金属颗粒（113,115）。
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公开(公告)号：KR1020110039192A
公开(公告)日：2011-04-15
申请号：KR1020100096841
申请日：2010-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0008
Abstract: PURPOSE: An inorganic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost by implementing the inorganic light emitting device without using a transparent electrode which requires complex process and high expense. CONSTITUTION: A patterned metal electrode(22) is formed on a substrate(21). An insulating layer(23) is spread on the patterned metal electrode. A fluorescent layer(24) for the emitting light is spread on the insulating layer. A mirror surface(27) for reflecting the light is spread on the fluorescent layer. A passivation layer(26) for the protecting the device is spread on the mirror surface.
Abstract translation: 目的：提供无机发光器件及其制造方法，以通过实施无机发光器件来简化制造工艺并降低制造成本，而不使用需要复杂工艺和高成本的透明电极。 构成：图案化的金属电极（22）形成在基板（21）上。 绝缘层（23）被铺展在图案化的金属电极上。 用于发光的荧光层（24）扩散在绝缘层上。 用于反射光的镜面（27）扩散在荧光层上。 用于保护器件的钝化层（26）被扩散在镜面上。
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公开(公告)号：KR1020100073025A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131603
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: PURPOSE: A substrate de-chucking method in a plasma processing device is provided to improve de-chucking capability and prevent sticking by effectively removing a remaining charge on a substrate surface according to the control of a de-chucking voltage. CONSTITUTION: A plasma generation is interrupted after completing a plasma processing about a substrate which is maintained on an electro-static chuck with the chucking voltage of electro-static voltage. A first reverse voltage is applied to the electrostatic chuck. A middle turn-off step which stops the first reverse voltage apply in the electrostatic chuck is executed. After the middle turn-off step, a second reverse voltage which is smaller than the first reverse voltage is applied to the electrostatic chuck. The second reverse voltage apply is interrupted in the electrostatic chuck and the substrate is grounded.
Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置中的基板去夹紧方法，以通过根据去夹紧电压的控制有效地去除基板表面上的剩余电荷来改善脱扣能力并防止粘附。 构成：在用静电电压的夹持电压完成对保持在静电卡盘上的基板的等离子体处理之后等离子体产生中断。 向静电吸盘施加第一反向电压。 执行停止施加在静电卡盘中的第一反向电压的中间关断步骤。 在中间断开步骤之后，将小于第一反向电压的第二反向电压施加到静电卡盘。 静电卡盘中的第二反向电压中断，基板接地。
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