公开(公告)号：KR101141139B1

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：KR1020080131659

申请日：2008-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유민기 ,  황치선 ,  박상희 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01B7/18 ,  H01B7/00

Abstract: 본 발명은 투명 전도막에 대한 것으로서, 이 전도막은 제1 투명층, 상기 제1 투명층 위에 형성되어 있는 금속층, 그리고 상기 금속층 위에 형성되어 있는 제2 투명층을 포함하며, 상기 제1 투명층 또는 상기 제2 투명층은 질화막 또는 황화막으로 형성되어 있다. 따라서, 산화물/금속/산화물의 적층 구조를 가지는 투명 전극을 사용하면서 일부에 질화막을 형성함으로써, 투명도를 유지하면서 저저항의 금속 전극을 형성할 수 있다.
투명 소자, 투명 전도막, 투명 전극

公开(公告)号：KR1020120006218A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：KR1020100066837

申请日：2010-07-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  양신혁 ,  변춘원 ,  유민기 ,  정순원

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  H01L29/22 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391 ,  H01L27/11502

Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory transistor with a dual gate structure is provided to apply operating voltage by connecting a first gate electrode and a second gate electrode, thereby improving electric field mobility characteristics. CONSTITUTION: A first gate electrode(102) is arranged on a substrate(100). A first gate insulating film(104) is arranged on the first gate electrode. Source and drain electrodes(106) are arranged on the first gate insulating film. A channel film is arranged on the first gate insulating film between the source and drain electrodes. A second gate insulating film(112A) is arranged on the channel film. A second gate electrode(118) is arranged on the second gate insulating film.

Abstract translation: 目的：提供具有双栅极结构的非易失性存储晶体管，通过连接第一栅电极和第二栅电极来施加工作电压，从而提高电场迁移率特性。 构成：第一栅电极（102）布置在基板（100）上。 第一栅极绝缘膜（104）布置在第一栅电极上。 源极和漏极（106）布置在第一栅极绝缘膜上。 沟道膜布置在源极和漏极之间的第一栅极绝缘膜上。 第二栅极绝缘膜（112A）布置在沟道膜上。 第二栅极电极（118）布置在第二栅极绝缘膜上。

公开(公告)号：KR101090692B1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：KR1020080129686

申请日：2008-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  유민기 ,  정승묵 ,  황치선 ,  추혜용

IPC: G06F3/042 ,  B32B27/00 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명은터치패널필름및 그의제조방법에관한것으로, 본발명에따른터치패널필름은플라스틱재질의투명기판; 기판상에형성된금속씨드; 및금속씨드상에형성된투명전도층을포함하고, 금속씨드의도입으로투명전도층, 예를들면, ITO 층을저온에서결정화시킬수 있고, 이로인해투과성에영향을미치지않으면서내구성을개선시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020110054863A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020090111657

申请日：2009-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 나노신소재

Inventor： 정승묵 ,  정우석 ,  유민기 ,  황치선 ,  조경익 ,  김상희 ,  박장우

IPC: H01B1/22 ,  H01B1/02 ,  H01L21/203

Abstract: PURPOSE: A transparent conductive film is provided to ensure stable specific resistivity and thermal stability by comprising titanium in indium tin oxide and tin oxide. CONSTITUTION: A transparent conductive film with excellent thermal stability comprises a mixture in which titanium is mixed with indium tin oxide and tin oxide. A method for preparing the transparent conductive film comprises the steps of: (S11) preparing raw material powders including an induim oxide powder or rare earth metal indium powder, tin oxide powder or metal tin powder, and titanium oxide powder or metal titanium powder as a main component; (S12) forming a transparent conductive film from the raw material powders using a sputtering apparatus; and (S13) heat-treating the formed transparent conductive film at a temperature of 300 °C or less.

Abstract translation: 目的：提供透明导电膜以通过在氧化铟锡和氧化锡中包含钛来确保稳定的电阻率和热稳定性。 构成：具有优异的热稳定性的透明导电膜包括其中钛与氧化铟锡和氧化锡混合的混合物。 制备透明导电膜的方法包括以下步骤：（S11）制备包含氧化铟粉末或稀土金属铟粉末，氧化锡粉末或金属锡粉末以及氧化钛粉末或金属钛粉末的原料粉末 主要成分; （S12）使用溅射装置从所述原料粉末形成透明导电膜; 和（S13）在300℃以下的温度对所形成的透明导电膜进行热处理。

公开(公告)号：KR100974884B1

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：KR1020080048419

申请日：2008-05-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  유민기 ,  변춘원 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 접촉 저항을 개선한 무인듐 투명 전도막을 포함한 다층 전자 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 다층 전자 소자는 기판, 기판상에 형성된 n개의 산화물층과 n-1개의 금속층이 교대로 적층되어 있는 투명 전도막, 및 상기 투명 전도막 상에 형성된 상부 기능층을 포함하며, 상기 상부 기능층과 접촉하는 상기 투명 전도막의 상부 산화물층은 접촉 저항이 감소되는 소정 형태로 패터닝된 접촉 부위를 갖는다. 이와 같이 인듐을 사용하지 않으면서 접촉저항이 낮은 저저항 투명 전도막을 형성할 수 있음에 따라 층간 접촉 저항이 커서 일어나는 전자 소자 특성의 저하를 방지할 수 있다.
투명 전도막, 무인듐, 패터닝

公开(公告)号：KR1020100073066A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020080131650

申请日：2008-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유민기 ,  정우석 ,  정승묵 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: C01G15/00 ,  C01G9/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

Abstract: PURPOSE: A sputtering target, a transparent touch film, and a manufacturing method thereof are provided to obtains a metal oxide composition capable of securing the crystallization of the transparent touch film under 150 deg C. CONSTITUTION: A sputtering target contains an oxide including zinc, indium, and tin. A transparent touch film comprises a substrate(100) and the oxide including the zinc, the indium, and the tin. The transparent touch film additionally includes a metallic oxide film(110) formed on the substrate. The metallic oxide film is formed by sputtering(200) zinc oxidate(ZnO) and indium tin oxide(ITO).

Abstract translation: 目的：提供一种溅射靶，透明触摸膜及其制造方法，以获得能够确保透明触摸膜在150℃下结晶的金属氧化物组合物。构成：溅射靶含有包含锌， 铟和锡。 透明触摸膜包括基底（100）和包括锌，铟和锡的氧化物。 透明触摸膜还包括形成在基板上的金属氧化物膜（110）。 金属氧化物膜通过溅射（200）氧化锌（ZnO）和氧化铟锡（ITO）形成。

公开(公告)号：KR100961184B1

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：KR1020080081818

申请日：2008-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  박상희 ,  변춘원 ,  조경익 ,  정승묵 ,  유민기 ,  황치선 ,  추혜용

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/453

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막의 스퍼터링 타겟용 조성물, 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟용 조성물은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 포함하고, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 주성분으로 하는 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계; 상기 분말을 소정 형태로 성형하는 단계; 및 상기 성형체를 소결하는 단계로부터 제조된다.
스퍼터링 타겟, 조성물, 산화물 반도체, 박막

公开(公告)号：KR100961182B1

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：KR1020070132757

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  유민기 ,  조두희 ,  신재헌 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 투명 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, p-type 채널을 갖는 투명 전자 소자를 제조하는 경우, 저온에서 결정성 박막 형성이 용이한 물질로 버퍼층을 형성한 후 그 상부에 구리 산화물 계열 또는 ZnO 계열의 물질로 채널층을 형성함으로써, 저온 공정만으로도 p-type 채널층의 막질을 향상시켜 뛰어난 안정성을 갖는 p-type 투명 전자 소자를 제조할 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, p-type 채널과 n-type 채널을 동시에 형성할 수 있으므로 제조 공정 및 제조 비용을 절감할 수 있으며, 하드 마스크층을 이용하여 한번의 패터닝에 의해 소스 및 드레인을 형성할 수 있으므로 CMOS로 구현이 가능하여 디스플레이 구동 소자의 설계 마진 및 성능을 크게 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
투명 전자 소자, TTFT, n-type, p-type, 채널, 버퍼층, 저온, 안정성

公开(公告)号：KR100911376B1

公开(公告)日：2009-08-10

申请号：KR1020070113970

申请日：2007-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유민기 ,  추혜용 ,  황치선 ,  박상희 ,  정우석 ,  신재헌 ,  조경익

IPC: H04N13/00 ,  H04W4/02

Abstract: 본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다.
이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다.
그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다.
증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자

公开(公告)号：KR1020090066245A

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：KR1020080129095

申请日：2008-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유민기 ,  박상희 ,  황치선 ,  조두희

IPC: H01B1/02 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L51/5215

Abstract: A transparent oxide conductive layer, and its preparation method are provided to obtain a low surface resistance and a high transparency in a visible ray range. A transparent oxide conductive layer comprises transparent oxide layers(20,40) and a metal layer(30) which are laminated alternatively, wherein the transparent oxide layers are an indium-free oxide layer comprising ZnO as a main component, and the metal layer contains Ag.

Abstract translation: 提供透明氧化物导电层及其制备方法以获得可见光范围的低表面电阻和高透明度。 透明氧化物导电层包括交替层叠的透明氧化物层（20,40）和金属层（30），其中透明氧化物层是以ZnO为主要成分的不含铟的氧化物层，并且金属层含有 银。