Abstract:
PURPOSE: An organic light emitting diode device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency by forming a phase change thin film layer with phase change materials. CONSTITUTION: A phase change thin film layer (311) is formed on a substrate and is made of phase change materials. An anode layer is formed on the phase change thin film layer. An organic light emitting layer (330) and a cathode layer (340) are successively formed on the phase change thin film layer. The phase change thin film layer is reversibly changed by heat or light.
Abstract:
본 발명은 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 투명 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 기판 상에, 상 분리 현상을 이용하여 제 1 매질과 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 2 매질이 혼합된 형태를 갖는 제 1 광 경로 조절층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 광 경로 조절층 상에 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함한다. 상기와 같은 본 발명은, 저렴한 비용으로 간단하게 광 추출 효율이 향상된 유기 발광 다이오드를 제조할 수 있는 이점이 있다. 상 분리, 광 추출 효율, 유기 발광 다이오드
Abstract:
PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method of the organic light emitting device are provided to improve light extraction by suppressing the reflected light at a boundary surface between a substrate and a first electrode. CONSTITUTION: A substrate (111), a first electrode, an organic light emitting layer (113), and a second electrode are laminated on a light emitting unit (110). A nanostructure (120) includes a first opening (121) randomly distributed between the substrate and the first electrode. The nanostructure includes at least one of polyimide having a refractive index of 1.3 to 1.5, epoxy, polycarbonate, PVC, PVP, polyethylene, polyacryl, and parylene.
Abstract:
PURPOSE: The composition for etching a multilayer conductive thin film and an etching method using the same are provided to improve yield by forming a minute pattern with the wet etching. CONSTITUTION: The composition of the multilayer conductive thin film includes the acid for etching and the water. The acid for etching is selected from the group of hydrogen, nitrogen, hydrochloric acid, and sulfuric acid. The acid forms the complex with an oxide layer(20,40) and a metal layer(30). The transparent conductive film includes the water.
Abstract:
본 발명은 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 의해서 제어되는 유기 발광 다이오드를 포함하는 적어도 하나의 디스플레이 발광부 및 적외선 센서 및 상기 적외선 센서로 인체에서 발생하는 적외선 신호만을 걸러서 전송하는 적외선 필터를 포함하는 적어도 하나의 터치 감지부를 포함하되, 상기 디스플레이 발광부는 해상도에 상응하여 평면상에 배치되고, 상기 터치 감지부는 상기 해상도에 영향을 미치지 않는 한도 내에서 상기 발광부의 배열 사이에 균일하게 배치되는 것을 포함하는 유기 발광 다이오드 터치스크린 장치를 제공할 수 있다. 유기 발광 다이오드, 적외선 센서, 터치스크린
Abstract:
A method for fabricating p-type and n-type CIS(CuInSe2) thin films is provided to form a CIS thin film with a uniform structure and a small thickness by easily fabricating a CIS thin film having an n-type or p-type semiconductor characteristic without varying a band gap while making In2Se3 and Cu2Se3 differ from each other in a mole fraction. First alloy including In and Se and second alloy including Cu and Se are prepared in a thermal deposition apparatus including a tungsten boat(S10). A substrate is installed in the thermal deposition apparatus(S20). The substrate is heated to a first temperature and the temperature of the substrate is maintained at the first temperature(S30). The first alloy is evaporated to form a first thin film on the substrate maintained at the first temperature(S40). The substrate is heated to a second temperature and the temperature of the substrate is maintained at the second temperature(S50). The second alloy is evaporated to form a CIS thin film on the substrate maintained at the second temperature(S60). While the substrate is cooled, the first alloy can be evaporated(S70).
Abstract:
A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve a switch characteristic for light and electricity by using an electrical thin film transistor using a polycrystal silicon layer and an optical thin film transistor using an amorphous silicon layer. An electrical thin film transistor includes a metal layer(200), a silicon layer(300a) formed on the metal layer and serving as a heat carrier layer, an insulating layer(400) formed on the silicon layer, and a polycrystal silicon layer(500a) formed on the insulating layer and serving as a channel layer. An optical thin film transistor includes a metal layer serving as a gate electrode(GE2), an insulating layer formed on the metal layer and serving as a gate insulating layer(GS2), and an amorphous silicon layer formed on the insulating layer and serving as a channel layer.
Abstract:
A thin film transistor having n-type and p-type CIS(CuInSe2) thin films and a method for manufacturing the same are provided to change a current flow between a source and a drain by electrically controlling a gate voltage. A gate electrode(110a) is formed on a partial region of a substrate(100). A dielectric(120) covers the substrate and the gate electrode. Plural CIS layers are formed on the dielectric to cover the region on which the gate electrode is formed. Source/drain regions(150a) are formed and divided, thereby including a trench for exposing parts of surfaces of the plural CIS layers. Each CIS layer has a conductive type of n-type and p-type. The CIS layer is a structure of which a p-type CIS layer is formed on an n-type CIS layer. Each CIS layer is formed by using In2Se3 and Cu2Se3. A passivation layer(160) covers the source/drain regions and the exposed CIS layer.
Abstract:
본 발명은 유리 기판 상에 칼코게나이드계 원소를 포함하는 비정질의 GST막으로 형성되고 광을 흡수하여 광전류를 발생하는 광전도층과, 상기 광전도층의 양측에 형성되고, 상기 광전도층과 연결되어 상기 광에 의해 발생하는 광전류의 도통을 위해 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 광전도층 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성되고 상기 광전류의 온오프를 위해 형성된 게이트 전극을 포함하여 이루어진다. 이상과 같이 본 발명은 칼코나이드계 원소를 포함하는 비정질 상태의 GST막을 광전도층으로 이용하여 아주 높은 광전도성을 가질 수 있다.
Abstract:
본 발명은 유리 기판 상에 칼코게나이드계 원소를 포함하는 GST막으로 형성되고 광을 흡수하여 광전류를 발생시킬 수 있는 광전도층과, 상기 광전도층의 양측에 형성되고, 상기 광전도층과 연결되어 상기 광에 의해 발생하는 광전류의 도통을 위해 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 광전도층 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성되고 상기 광전류의 온오프를 위해 형성된 게이트 전극을 포함하여 이루어진다. 이상과 같이 본 발명은 칼코나이드계 원소를 포함하는 비정질 상태의 GST막을 광전도층으로 이용하여 아주 높은 광전도성을 가질 수 있다.