公开(公告)号：KR1020130113149A

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：KR1020120035503

申请日：2012-04-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  이정익 ,  조두희

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/529 ,  H01L51/5296

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting diode device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency by forming a phase change thin film layer with phase change materials. CONSTITUTION: A phase change thin film layer (311) is formed on a substrate and is made of phase change materials. An anode layer is formed on the phase change thin film layer. An organic light emitting layer (330) and a cathode layer (340) are successively formed on the phase change thin film layer. The phase change thin film layer is reversibly changed by heat or light.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光二极管器件及其制造方法，以通过形成具有相变材料的相变薄膜层来提高光提取效率。 构成：在基板上形成相变薄膜层（311），由相变材料构成。 在相变薄膜层上形成阳极层。 有机发光层（330）和阴极层（340）依次形成在相变薄膜层上。 相变薄膜层通过热或光可逆地改变。

公开(公告)号：KR101296684B1

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020090111625

申请日：2009-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  이정익 ,  신진욱 ,  이종희 ,  추혜용 ,  이주원 ,  한준한

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5275

Abstract: 본 발명은 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 투명 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 기판 상에, 상 분리 현상을 이용하여 제 1 매질과 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 2 매질이 혼합된 형태를 갖는 제 1 광 경로 조절층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 광 경로 조절층 상에 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함한다.
상기와 같은 본 발명은, 저렴한 비용으로 간단하게 광 추출 효율이 향상된 유기 발광 다이오드를 제조할 수 있는 이점이 있다.
상 분리, 광 추출 효율, 유기 발광 다이오드

公开(公告)号：KR1020130084848A

公开(公告)日：2013-07-26

申请号：KR1020120005744

申请日：2012-01-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  양신혁 ,  신진욱 ,  이정익 ,  한준한 ,  황주현 ,  주철웅 ,  문제현 ,  박승구 ,  허진우 ,  추혜용

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5268 ,  B82Y20/00 ,  H01L51/0096 ,  H01L2251/105 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/5203 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method of the organic light emitting device are provided to improve light extraction by suppressing the reflected light at a boundary surface between a substrate and a first electrode. CONSTITUTION: A substrate (111), a first electrode, an organic light emitting layer (113), and a second electrode are laminated on a light emitting unit (110). A nanostructure (120) includes a first opening (121) randomly distributed between the substrate and the first electrode. The nanostructure includes at least one of polyimide having a refractive index of 1.3 to 1.5, epoxy, polycarbonate, PVC, PVP, polyethylene, polyacryl, and parylene.

Abstract translation: 目的：提供有机发光器件和有机发光器件的制造方法，以通过抑制衬底和第一电极之间的边界面处的反射光来改善光提取。 构成：在发光单元（110）上层压基板（111），第一电极，有机发光层（113）和第二电极。 纳米结构（120）包括随机分布在基板和第一电极之间的第一开口（121）。 纳米结构包括折射率为1.3至1.5的聚酰亚胺中的至少一种，环氧树脂，聚碳酸酯，PVC，PVP，聚乙烯，聚丙烯和聚对二甲苯。

公开(公告)号：KR1020090105781A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：KR1020080081810

申请日：2008-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  유민기 ,  황치선 ,  조두희

IPC: H01L21/3063

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/04 ,  C23F1/16

Abstract: PURPOSE: The composition for etching a multilayer conductive thin film and an etching method using the same are provided to improve yield by forming a minute pattern with the wet etching. CONSTITUTION: The composition of the multilayer conductive thin film includes the acid for etching and the water. The acid for etching is selected from the group of hydrogen, nitrogen, hydrochloric acid, and sulfuric acid. The acid forms the complex with an oxide layer(20,40) and a metal layer(30). The transparent conductive film includes the water.

Abstract translation: 目的：提供用于蚀刻多层导电薄膜的组合物和使用其的蚀刻方法，以通过用湿蚀刻形成微小图案来提高产率。 构成：多层导电薄膜的组成包括蚀刻用酸和水。 用于蚀刻的酸选自氢，氮，盐酸和硫酸。 酸与氧化物层（20,40）和金属层（30）形成络合物。 透明导电膜包括水。

公开(公告)号：KR100916321B1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：KR1020070132649

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  변춘원 ,  신재헌 ,  박상희 ,  황치선 ,  추혜용

IPC: H05B33/02 ,  G06F3/03

CPC classification number: H01L27/323

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 의해서 제어되는 유기 발광 다이오드를 포함하는 적어도 하나의 디스플레이 발광부 및 적외선 센서 및 상기 적외선 센서로 인체에서 발생하는 적외선 신호만을 걸러서 전송하는 적외선 필터를 포함하는 적어도 하나의 터치 감지부를 포함하되, 상기 디스플레이 발광부는 해상도에 상응하여 평면상에 배치되고, 상기 터치 감지부는 상기 해상도에 영향을 미치지 않는 한도 내에서 상기 발광부의 배열 사이에 균일하게 배치되는 것을 포함하는 유기 발광 다이오드 터치스크린 장치를 제공할 수 있다.
유기 발광 다이오드, 적외선 센서, 터치스크린

公开(公告)号：KR100853197B1

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070024691

申请日：2007-03-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  서정대 ,  이상수 ,  조두희 ,  김경암

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/78681

Abstract: A method for fabricating p-type and n-type CIS(CuInSe2) thin films is provided to form a CIS thin film with a uniform structure and a small thickness by easily fabricating a CIS thin film having an n-type or p-type semiconductor characteristic without varying a band gap while making In2Se3 and Cu2Se3 differ from each other in a mole fraction. First alloy including In and Se and second alloy including Cu and Se are prepared in a thermal deposition apparatus including a tungsten boat(S10). A substrate is installed in the thermal deposition apparatus(S20). The substrate is heated to a first temperature and the temperature of the substrate is maintained at the first temperature(S30). The first alloy is evaporated to form a first thin film on the substrate maintained at the first temperature(S40). The substrate is heated to a second temperature and the temperature of the substrate is maintained at the second temperature(S50). The second alloy is evaporated to form a CIS thin film on the substrate maintained at the second temperature(S60). While the substrate is cooled, the first alloy can be evaporated(S70).

Abstract translation: 提供一种用于制造p型和n型CIS（CuInSe 2）薄膜的方法，通过容易地制造具有n型或p型半导体的CIS薄膜，形成均匀结构且厚度小的CIS薄膜 使In2Se3和Cu2Se3以摩尔分数彼此不同而不改变带隙的特性。 包括In和Se的第一合金和包括Cu和Se的第二合金在包括钨舟的热沉积设备中制备（S10）。 将基板安装在热沉积设备中（S20）。 将基板加热至第一温度，将基板的温度维持在第一温度（S30）。 蒸发第一合金以在保持在第一温度的基板上形成第一薄膜（S40）。 将基板加热至第二温度，并将基板的温度维持在第二温度（S50）。 蒸发第二合金以在保持在第二温度的基板上形成CIS薄膜（S60）。 当基板冷却时，可以蒸发第一合金（S70）。

公开(公告)号：KR100819063B1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070043801

申请日：2007-05-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  김경암 ,  이상수 ,  조두희

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1251

Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve a switch characteristic for light and electricity by using an electrical thin film transistor using a polycrystal silicon layer and an optical thin film transistor using an amorphous silicon layer. An electrical thin film transistor includes a metal layer(200), a silicon layer(300a) formed on the metal layer and serving as a heat carrier layer, an insulating layer(400) formed on the silicon layer, and a polycrystal silicon layer(500a) formed on the insulating layer and serving as a channel layer. An optical thin film transistor includes a metal layer serving as a gate electrode(GE2), an insulating layer formed on the metal layer and serving as a gate insulating layer(GS2), and an amorphous silicon layer formed on the insulating layer and serving as a channel layer.

Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法，通过使用使用多晶硅层的电薄膜晶体管和使用非晶硅层的光学薄膜晶体管来改善光和电的开关特性。 电薄膜晶体管包括金属层（200），形成在金属层上并用作热载体层的硅层（300a），形成在硅层上的绝缘层（400）和多晶硅层（ 500a）形成在绝缘层上并用作沟道层。 光学薄膜晶体管包括用作栅电极（GE2）的金属层，形成在金属层上并用作栅极绝缘层（GS2）的绝缘层，以及形成在绝缘层上并用作 一个通道层。

公开(公告)号：KR100809440B1

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020070023589

申请日：2007-03-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상수 ,  송기봉 ,  서정대 ,  김경암 ,  조두희

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L29/24

Abstract: A thin film transistor having n-type and p-type CIS(CuInSe2) thin films and a method for manufacturing the same are provided to change a current flow between a source and a drain by electrically controlling a gate voltage. A gate electrode(110a) is formed on a partial region of a substrate(100). A dielectric(120) covers the substrate and the gate electrode. Plural CIS layers are formed on the dielectric to cover the region on which the gate electrode is formed. Source/drain regions(150a) are formed and divided, thereby including a trench for exposing parts of surfaces of the plural CIS layers. Each CIS layer has a conductive type of n-type and p-type. The CIS layer is a structure of which a p-type CIS layer is formed on an n-type CIS layer. Each CIS layer is formed by using In2Se3 and Cu2Se3. A passivation layer(160) covers the source/drain regions and the exposed CIS layer.

Abstract translation: 提供具有n型和p型CIS（CuInSe 2）薄膜的薄膜晶体管及其制造方法，以通过电控制栅极电压来改变源极和漏极之间的电流。 在基板（100）的部分区域上形成栅电极（110a）。 电介质（120）覆盖基板和栅电极。 多个CIS层形成在电介质上以覆盖形成栅电极的区域。 源极/漏极区域（150a）被形成和分割，从而包括用于暴露多个CIS层的表面的部分的沟槽。 每个CIS层具有导电类型的n型和p型。 CIS层是在n型CIS层上形成p型CIS层的结构。 每个CIS层通过使用In2Se3和Cu2Se3形成。 钝化层（160）覆盖源极/漏极区域和暴露的CIS层。

公开(公告)号：KR100744547B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020050124174

申请日：2005-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  조두희

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146

Abstract: 본 발명은 유리 기판 상에 칼코게나이드계 원소를 포함하는 비정질의 GST막으로 형성되고 광을 흡수하여 광전류를 발생하는 광전도층과, 상기 광전도층의 양측에 형성되고, 상기 광전도층과 연결되어 상기 광에 의해 발생하는 광전류의 도통을 위해 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 광전도층 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성되고 상기 광전류의 온오프를 위해 형성된 게이트 전극을 포함하여 이루어진다. 이상과 같이 본 발명은 칼코나이드계 원소를 포함하는 비정질 상태의 GST막을 광전도층으로 이용하여 아주 높은 광전도성을 가질 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070046687A

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：KR1020050124174

申请日：2005-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  조두희

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146

Abstract: 본 발명은 유리 기판 상에 칼코게나이드계 원소를 포함하는 GST막으로 형성되고 광을 흡수하여 광전류를 발생시킬 수 있는 광전도층과, 상기 광전도층의 양측에 형성되고, 상기 광전도층과 연결되어 상기 광에 의해 발생하는 광전류의 도통을 위해 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 광전도층 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성되고 상기 광전류의 온오프를 위해 형성된 게이트 전극을 포함하여 이루어진다. 이상과 같이 본 발명은 칼코나이드계 원소를 포함하는 비정질 상태의 GST막을 광전도층으로 이용하여 아주 높은 광전도성을 가질 수 있다.