公开(公告)号：CN105967138B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201510446511.0

申请日：2015-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游绍祺 ,  洪嘉明 ,  黄信锭 ,  陈相甫 ,  张华伦 ,  戴文川

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01D21/02

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0109 ,  G01K13/00 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/0092 ,  G01N27/221 ,  G01N2027/222

Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。

公开(公告)号：CN105371878B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510890382.4

申请日：2015-12-04

Applicant: 歌尔股份有限公司

Inventor： 詹竣凯 ,  蔡孟锦

IPC: G01D5/241

CPC classification number: G01D5/2417 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/053 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00214 ,  G01K7/34 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0073

Abstract: 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。

公开(公告)号：CN107055455A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610984262.5

申请日：2016-11-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R·鲁萨诺夫

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H05B3/12 ,  H05B3/16 ,  G01N33/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B7/0087 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  H05B3/10 ,  B81B7/0096 ,  B81C1/0069 ,  G01N33/0004 ,  H05B3/12 ,  H05B3/16

Abstract: 用于MEMS传感器(100)的加热装置(10)，所述加热装置具有：‑用于电流的金属导入元件(11)；‑用于电流的金属导出元件(12)；和‑在所述导入元件(11)和所述导出元件(12)之间构造的限定数量的金属加热元件(13)，其中，在所述导入元件(11)中、在所述导出元件(12)中和在所述加热元件(13)中能够形成基本恒定的电流密度。

公开(公告)号：CN104269388B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410454353.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： A·奥都奈尔 ,  S·艾瑞阿尔特 ,  M·J·姆菲 ,  C·莱登 ,  G·卡塞 ,  E·E·恩格利什

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/16

CPC classification number: G01N27/226 ,  B81B7/00 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  G01N27/26 ,  G01N27/4148 ,  H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/38 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/58 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/94 ,  H01L25/16 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L28/00 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/06 ,  H01L35/00 ,  H01L35/28 ,  H01L35/30 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H02S10/10 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，包括：在半导体管芯的前侧制造的有源层；在所述半导体管芯的背侧的能量收集层，所述能量收集层配置为将非电形式的能量转换为电荷；以及至少一条电气路径，配置为分配所述电荷以向所述集成电路系统中的部件供电。

公开(公告)号：CN106289386A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610287129.4

申请日：2016-05-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： V·K·拉贾拉曼 ,  Y·阿纳恩蒂古 ,  A·德厄 ,  S·科尔布

IPC: G01D21/02 ,  G01N27/12 ,  G01N27/22

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0278 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00206 ,  G01N27/223 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  G01D21/02 ,  G01N27/121

Abstract: 本发明涉及用于MEMS换能器的系统和方法。根据实施例，一种微机电系统(MEMS)换能器包括具有第一腔体的衬底，第一腔体从衬底后侧穿过衬底。MEMS换能器还包括：在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔的第一电极板；在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔并且通过间隔区域与穿孔的第一电极板间隔开的第二电极板；以及在穿孔的第一电极板与第二电极板之间的间隔区域中的气敏材料。气敏材料具有取决于目标气体的浓度的电气性质。

公开(公告)号：CN105967138A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510446511.0

申请日：2015-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游绍祺 ,  洪嘉明 ,  黄信锭 ,  陈相甫 ,  张华伦 ,  戴文川

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01D21/02

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0109 ,  G01K13/00 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/0092 ,  G01N27/221 ,  G01N2027/222

Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。

公开(公告)号：CN103702927B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280023390.3

申请日：2012-03-14

Applicant: 哈佛大学校长及研究员协会

Inventor： C.J.鲁索 ,  J.A.戈洛夫钦科 ,  D.布兰顿

IPC: B81C1/00 ,  G01N33/487

CPC classification number: B81B1/002 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00087 ,  G01N33/48721

Abstract: 在纳米材料中形成纳米孔的方法，在纳米材料的侧边缘内部的位置上如下来形成纳米孔成核位置：将选自离子束和中性原子束的第一能量束引导到该内部位置持续第一持续时间，其施加了第一束剂量，这导致从该内部位置上除去不超过5个内部原子以在该内部位置处产生具有多个边缘原子的纳米孔成核位置。然后通过将选自电子束、离子束和中性原子束的第二能量束引导到该纳米孔成核位置来在该纳米孔成核位置上形成纳米孔，该第二能量束具有除去该纳米孔成核位置上的边缘原子但是不从该纳米材料中除去体原子的束能量。

公开(公告)号：CN103958397A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280051913.5

申请日：2012-08-20

Applicant: 约尔格·阿布席斯

Inventor： 约尔格·阿布席斯

IPC: B82Y10/00

CPC classification number: G01N27/04 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00087 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  G01N33/483 ,  G01N33/48721

Abstract: 本发明尤其描述一种用于制造导体结构的方法，所述导体结构具有至少一个硅纳米线（4），所述硅纳米线具有小于50nm的直径并且经由电极（11，13，30）经由至少两个部位接触，并且其中至少一个纳米线（4）和电极（11，13，30）设置在衬底（1，5）上的一个平面中，其特征在于，a）将直径在0.5nm至50nm的范围中的催化活性的金属纳米颗粒放置在绝缘衬底（1）的表面（2）上，b）当温度在300℃至1100℃的范围中、同时持续时间在10min至200min的范围中时，表面和放置在其上的金属纳米颗粒经受包含至少一种气态的硅组分的气流，其中形成至少一个长度在5μm至200μm的范围中的从衬底（1）伸出的纳米线（4）；c）将所述至少一个从衬底（1）的表面伸出的纳米线（4）通过安放具有与绝缘衬底（1）的表面（2）相配合的接触面（6）的次级衬底（5）而放置到一个平面中；d）放置在绝缘衬底（1）上的至少一个纳米线（4）在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触，或者至少一个附着在次级衬底（5）上的纳米线在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触。

公开(公告)号：CN103760336A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410001333.6

申请日：2014-01-02

Applicant: 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所

Inventor： 郭振 ,  黎海文 ,  吴一辉

IPC: G01N33/543

CPC classification number: G01N33/54386 ,  B81B2201/0214

Abstract: 本发明公开了一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法，生物传感器基于蓝宝石衬底上外延p型GaN层，GaN层上制备阵列化n型ZnO纳米线，阵列化纳米线间隙采用PMMA或者parylene材料填充，阵列化纳米线顶部沉积有ITO低阻导电薄膜，在ITO低阻导电薄膜表面修饰有蛋白质及固定有抗体,ITO低阻导电薄膜表面制备有In金属引出电极，以Ni/Au合金作为p型GaN层电极。本发明呈现了半导体ZnO纳米线阵列异质结LED的光学性质实现生物传感的新颖技术，同时本发明传感器制备方法利用电子束直写(EBL)刻蚀和选择性外延生长的方法制备线阵ZnO纳米线异质结LED，也可利用纳米压印的方法替代电子束光刻实现批量化生产，结合磁分离技术可实现生物分子的无标、快速、高灵敏度检测的目的。

公开(公告)号：CN103180735A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201280003445.4

申请日：2012-03-27

Applicant: 株式会社NTT都科摩 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 桧山聪 ,  栗林香织 ,  尾上弘晃 ,  竹内昌治

IPC: G01N33/543 ,  C12M1/00 ,  C12N15/09 ,  G01N37/00

CPC classification number: B05D1/325 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00529 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00206 ,  C12N15/09 ,  G01N33/543 ,  G01N37/00

Abstract: 本发明涉及一种制作二种以上软物质的微阵列的方法，其是使用聚对二甲苯树脂剥离法制作二种以上软物质的微阵列的方法，该方法具有下述工序：在基板上蒸镀第1层聚对二甲苯树脂，在第1层聚对二甲苯树脂上形成第1微图案，导入含有第1软物质的溶液，从而得到形成了第1微阵列的基板，接着对第1软物质进行冷冻干燥，由此得到冷冻干燥后的第1软物质的微阵列化基板：在所述的冷冻干燥后的第1软物质的微阵列化基板上蒸镀第2层聚对二甲苯树脂，将第1层和第2层的聚对二甲苯树脂贯穿，在与第1微图案不同的位置形成第2微图案，导入含有第2软物质的溶液，从而在基板上形成第2微阵列；将所述第1层和第2层的聚对二甲苯树脂剥离，由此在同一基板上形成第1以及第2软物质的微阵列。