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    中空構造体の製造方法
    72.
    发明申请
    中空構造体の製造方法 审中-公开
    制造中空结构的方法

    公开(公告)号：WO2014156782A1

    公开(公告)日：2014-10-02

    申请号：PCT/JP2014/057182

    申请日：2014-03-17

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 杉田　吉平 ,  橋本　浩幸

    IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0132 ,  B82Y40/00

    Abstract: 　窪み形状を含む下部構造体（３０）が用意され、蒸着重合法により、前記下部構造体上に有機膜からなる犠牲膜（４０）を堆積させ、前記窪み形状を前記犠牲膜で埋め込まれ、前記犠牲膜の不要部分が除去され、不要部分が除去された前記犠牲膜上に上部構造体（５０）が形成され、前記犠牲膜を除去し、前記下部構造体と前記上部構造体との間に空隙を形成することにより、中空構造体が製造される。

    Abstract translation: 通过以下方式制造中空结构：制备包括凹形的下部结构（30） 通过气相沉积聚合在下部结构上形成由有机膜获得的牺牲膜（40），以牺牲膜填充凹陷形状; 去除牺牲膜的不必要部分; 在牺牲膜上形成上部结构（50），从而从其中去除了不必要的部分; 并且去除牺牲膜以在下部结构和上部结构之间形成间隙。

    ADJUSTABLE SOLUBILITY IN SACRIFICIAL LAYERS FOR MICROFABRICATION
    74.
    发明申请
    ADJUSTABLE SOLUBILITY IN SACRIFICIAL LAYERS FOR MICROFABRICATION 审中-公开
    用于微成型的牺牲层中的可调节溶解度

    公开(公告)号：WO2006113492A3

    公开(公告)日：2006-12-07

    申请号：PCT/US2006014184

    申请日：2006-04-14

    Applicant: HARVARD COLLEGE ,  LINDER VINCENT ,  GATES BYRON ,  RYAN DECLAN ,  AMIRPARVIZ BABAK ,  WHITESIDES GEORGE M

    Inventor： LINDER VINCENT ,  GATES BYRON ,  RYAN DECLAN ,  AMIRPARVIZ BABAK ,  WHITESIDES GEORGE M

    IPC: G03F7/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/0735 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

    Abstract: The present invention provides fabrication methods using sacrificial materials comprising polymers. In some embodiments, the polymer may be treated to alter its solubility with respect to at least one solvent (e.g., aqueous solution) used in the fabrication process. The preparation of the sacrificial materials is rapid and simple, and dissolution of the sacrificial material can be carried out in mild environments. Sacrificial materials of the present invention may be useful for surface micromachining, bulk micromachining, and other microfabrication processes in which a sacrificial layer is employed for producing a selected and corresponding physical structure.

    Abstract translation: 本发明提供使用包含聚合物的牺牲材料的制造方法。 在一些实施方案中，可以处理聚合物以改变其相对于在制造过程中使用的至少一种溶剂（例如，水溶液）的溶解度。 牺牲材料的制备是快速和简单的，牺牲材料的溶解可以在温和的环境中进行。 本发明的牺牲材料可用于表面微机械加工，整体微机械加工以及其中使用牺牲层来产生选定和相应物理结构的微制造工艺。

    立体構造素子およびその製造方法、光スイッチ、マイクロデバイス
    75.
    发明申请
    立体構造素子およびその製造方法、光スイッチ、マイクロデバイス 审中-公开
    三维结构元件及其制造元件，光开关和微型器件的方法

    公开(公告)号：WO2004013037A1

    公开(公告)日：2004-02-12

    申请号：PCT/JP2003/009734

    申请日：2003-07-31

    Applicant: 株式会社ニコン ,  石津谷 徹

    Inventor： 石津谷 徹

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81C2201/0108 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3546 ,  G02B6/3572 ,  G02B6/3584 ,  G02B6/3596 ,  Y10S438/926

    Abstract: 　複数の立体構造体を備えた立体構造素子であって、立体構造体の形状にばらつきを生じさせることなく一様に形成することのできる構成を提供する。基板１１と、基板１１上の予め定めた有効領域２０に配置された立体構造体１とを有する。この立体構造体１は、基板１１との間に、犠牲層を除去することにより形成された空間部を備える。基板１１には、有効領域２０を取り囲むようにダミー領域２１が設けられ、ダミー領域２１には、ダミー構造体３３が配置されている。ダミー構造体３３は、基板１１との間に、犠牲層を除去することにより形成された空間部を有する。このような構成であるため、犠牲層を除去するアッシング工程時に、ダミー領域２１は、有効領域２０と同じ程度の温度までしか上昇せず、有効領域２０に温度分布が生じるのを防ぐ。

    Abstract translation: 一种具有多个三维结构体并能够均匀形成而不产生三维结构体形状分散的三维结构元件，包括基底（11）和三维结构体（1） ），所述三维结构体（1）还包括通过去除牺牲层从所述基板（11）形成在其间隙中的空间部分，所述基板（11）被布置在所述基板（11）上的预定有效区域（20） ）还包括具有虚拟结构体（33）以围绕所述有效区域（20）的虚拟区域（21），所述虚拟结构体（33）还包括通过所述基板（11）从所述基板（11）的间隙形成的空间部分， 去除牺牲层，由此由于虚拟区域（21）被加热到约 在用于去除牺牲层的灰化过程中与有效区域（20）相同的温度以防止在有效区域（20）中发生温度分布。

    TRILAYERED BEAM MEMS DEVICE AND RELATED METHODS
    78.
    发明申请
    TRILAYERED BEAM MEMS DEVICE AND RELATED METHODS 审中-公开
    TRILAYERED BEAM MEMS器件及相关方法

    公开(公告)号：WO2003042721A2

    公开(公告)日：2003-05-22

    申请号：PCT/US2002/035926

    申请日：2002-11-08

    Applicant: COVENTOR, INCORPORATED ,  CUNNINGHAM, Shawn, J. ,  TATIC-LUCIC, Sveltana

    Inventor： CUNNINGHAM, Shawn, J. ,  TATIC-LUCIC, Sveltana

    IPC: G02B

    CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

    Abstract: According to one embodiment, a method for fabricating a trilayered beam is provided. The method can include depositing a sacrificial layer on a substrate and depositing a first conductive layer on the sacrificial layer. The method can also include forming a first conductive microstructure by removing a portion of the first conductive layer. Furthermore, the method can include depositing a structural layer on the first conductive microstructure, the sacrificial layer, and the substrate and forming a via through the structural layer to the first cnductive microstructure. Still furthermore, the method can include the following: depositing a second conductive layer on the structural layer and in the via; forming a second conductive microstructure by removing a portion of the second conductive layer, wherein the second conductive microstructure electrically communicates with the first conductive microstructure through the via; and removing a sufficient amount of the sacrificial layer so as to separate the first conductive microstructure from the substrate, wherein the structural layer is supported by the substrate at a first end and is freely suspended above the substrate at an opposing second end.

    Abstract translation: 根据一个实施例，提供一种制造三层梁的方法。 该方法可以包括在衬底上沉积牺牲层并在牺牲层上沉积第一导电层。 该方法还可以包括通过去除第一导电层的一部分来形成第一导电微结构。 此外，该方法可以包括在第一导电微结构，牺牲层和衬底上沉积结构层，并且通过结构层形成通孔到第一电导微结构。 此外，该方法可以包括以下：在结构层和通孔中沉积第二导电层; 通过去除所述第二导电层的一部分来形成第二导电微结构，其中所述第二导电微结构通过所述通孔与所述第一导电微结构电连通; 并且去除足够量的牺牲层以便将第一导电微结构与衬底分开，其中结构层在第一端由衬底支撑并且在相对的第二端处自由地悬挂在衬底上方。

    DENDRITIC MATERIAL SACRIFICIAL LAYER MICRO-SCALE GAP FORMATION METHOD
    80.
    发明申请
    DENDRITIC MATERIAL SACRIFICIAL LAYER MICRO-SCALE GAP FORMATION METHOD 审中-公开
    DENDRITIC MATERIAL SACRIFICIAL LAYER微尺度GAP形成方法

    公开(公告)号：WO01052308A1

    公开(公告)日：2001-07-19

    申请号：PCT/US2001/000393

    申请日：2001-01-05

    IPC: B81B3/00 ,  H01L21/302

    CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0108

    Abstract: A micro-scale gap fabrication process using a dry releasable dendritic material sacrificial layer. The fabrication process produces micro-scale gaps, such as those required between a suspended microstructure and an opposing surface in MEMS. The dendritic sacrificial layer is releasable by heating the dendritic material past its decomposition point after forming the microstructure. The sacrificial layer may be applied to a wafer, for example, by spin coating a solution including the dissolved dendritic material. The sacrificial layer, after being formed, may be patterned and prepared for accepting structural material for the microstructure. After a desired microstructure or microstructures are formed around the sacrificial layer, the layer is dry releasable by heating.

    Abstract translation: 使用干可剥离树枝状材料牺牲层的微尺度间隙制造工艺。 制造过程产生微尺度间隙，例如在MEMS中的悬浮微结构和相对表面之间所需的间隙。 树枝状牺牲层通过在形成微观结构之后通过加热树枝状材料经过其分解点来释放。 牺牲层可以施加到晶片上，例如通过旋涂包括溶解的树枝状材料的溶液。 形成后的牺牲层可以被图案化并制备用于接受微结构的结构材料。 在围绕牺牲层形成期望的微结构或微结构之后，通过加热可以释放该层。

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