公开(公告)号：CN102344111A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110212573.7

申请日：2011-07-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·费雷拉 ,  M·佩尔勒蒂 ,  I·瓦里斯科 ,  L·扎诺蒂

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01D67/0062 ,  B01D71/02 ,  B01D2325/021 ,  B01D2325/028 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L2300/0681 ,  B81B2201/10 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0157 ,  F04B19/006

Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩模(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩模(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩模(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。

公开(公告)号：CN102344111B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201110212573.7

申请日：2011-07-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·费雷拉 ,  M·佩尔勒蒂 ,  I·瓦里斯科 ,  L·扎诺蒂

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01D67/0062 ,  B01D71/02 ,  B01D2325/021 ,  B01D2325/028 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L2300/0681 ,  B81B2201/10 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0157 ,  F04B19/006

Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩膜(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩膜(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩膜(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。

公开(公告)号：US20120018819A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13190254

申请日：2011-07-25

Applicant: Marco Ferrera ,  Matteo Perletti ,  Igor Varisco ,  Luca Zanotti

Inventor： Marco Ferrera ,  Matteo Perletti ,  Igor Varisco ,  Luca Zanotti

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01D67/0062 ,  B01D71/02 ,  B01D2325/021 ,  B01D2325/028 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L2300/0681 ,  B81B2201/10 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0157 ,  F04B19/006

Abstract: A process for manufacturing a micromechanical structure envisages: forming a buried cavity within a body of semiconductor material, separated from a top surface of the body by a first surface layer; and forming an access duct for fluid communication between the buried cavity and an external environment. The method envisages: forming an etching mask on the top surface at a first access area; forming a second surface layer on the top surface and on the etching mask; carrying out an etch such as to remove, in a position corresponding to the first access area, a portion of the second surface layer, and an underlying portion of the first surface layer not covered by the etching mask until the buried cavity is reached, thus forming both the first access duct and a filter element, set between the first access duct and the same buried cavity.

Abstract translation: 微机械结构的制造方法设想：在半导体材料体内形成通过第一表面层从主体顶表面分离的掩埋腔; 以及形成用于在所述掩埋腔和外部环境之间流体连通的进入管。 该方法设想：在第一进入区域的顶表面上形成蚀刻掩模; 在顶表面和蚀刻掩模上形成第二表面层; 进行蚀刻，以在对应于第一进入区域的位置中移除第二表面层的一部分，以及未被蚀刻掩模覆盖的第一表面层的下面部分，直到达到掩埋空腔，因此 形成第一进入管道和过滤元件，设置在第一进入管道和相同的掩埋空腔之间。

公开(公告)号：US20080268575A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11789578

申请日：2007-04-24

Applicant: Guillaume Bouche ,  Ralph N. Wall

Inventor： Guillaume Bouche ,  Ralph N. Wall

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/302

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0157 ,  B81C2203/0118

Abstract: In accordance with the present invention, accurate and easily controlled sloped walls may be formed using. AlN and preferably a heated TMAH for such purpose as the fabrication of MEMS devices, wafer level packaging and fabrication of fluidic devices. Various embodiments are disclosed.

Abstract translation: 根据本发明，可以使用精确且容易控制的倾斜壁来形成。 AlN，并且优选地是加热的TMAH，用于制造MEMS器件，晶片级封装和流体器件的制造。 公开了各种实施例。

公开(公告)号：WO2013028650A2

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/US2012/051650

申请日：2012-08-21

Applicant: THE RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK ,  HARTLEY, Dr. John, G. ,  BONAM, Ravi, K.

Inventor： HARTLEY, Dr. John, G. ,  BONAM, Ravi, K.

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/308 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0157 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70416 ,  H01L21/0277 ,  H01L29/02

Abstract: A method of fabricating a 3 dimensional structure, includes: forming a stack (12) of at least 2 layers of photo resist material having different photo resist sensitivities upon a substrate (14); exposing the stack to beams (22) of electromagnetic radiation or charged particles of different dosages to achieve selective solubility along a height of the stack; and dissolving soluble portions of the stack with a solvent to produce a 3 dimensional structure (24) of desired geometry.

Abstract translation: 一种制造三维结构的方法，包括：在衬底（14）上形成具有不同光致抗蚀剂灵敏度的至少两层光致抗蚀剂材料的叠层（12）; 将堆叠暴露于电磁辐射的束（22）或不同剂量的带电粒子以沿着堆叠的高度实现选择性溶解度; 并用溶剂溶解叠层的可溶部分以产生具有所需几何形状的三维结构（24）。

公开(公告)号：WO2009037456A2

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/GB2008/003162

申请日：2008-09-18

Applicant: WOLFSON MICROELECTRONICS PLC ,  LAMING, Richard, Ian ,  JENKINS, Colin, Robert ,  TRAYNOR, Anthony, Bernard

Inventor： LAMING, Richard, Ian ,  JENKINS, Colin, Robert ,  TRAYNOR, Anthony, Bernard

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/019 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0157 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: A MEMS device comprises a membrane layer and a back-plate layer formed over the membrane layer. The membrane layer comprises an outer portion and an inner portion raised relative to the outer portion and a sidewall for connecting the inner portion and the outer portion. The sidewall is non-orthogonal to the outer portion.

Abstract translation: MEMS器件包括膜层和形成在膜层上的背板层。 膜层包括外部部分和相对于外部部分凸起的内部部分和用于连接内部部分和外部部分的侧壁。 侧壁与外部部分不正交。

公开(公告)号：WO2013028650A3

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：PCT/US2012051650

申请日：2012-08-21

Applicant: UNIV NEW YORK STATE RES FOUND ,  HARTLEY DR JOHN G ,  BONAM RAVI K

Inventor： HARTLEY DR JOHN G ,  BONAM RAVI K

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/308 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0157 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70416 ,  H01L21/0277 ,  H01L29/02

Abstract: A method of fabricating a 3 dimensional structure, includes: forming a stack (12) of at least 2 layers of photo resist material having different photo resist sensitivities upon a substrate (14); exposing the stack to beams (22) of electromagnetic radiation or charged particles of different dosages to achieve selective solubility along a height of the stack; and dissolving soluble portions of the stack with a solvent to produce a 3 dimensional structure (24) of desired geometry.

Abstract translation: 一种制造三维结构的方法，包括：在基板（14）上形成具有不同光致抗蚀剂灵敏度的至少2层光致抗蚀剂材料的叠层（12）; 将堆叠暴露于电磁辐射的束（22）或不同剂量的带电粒子以沿着堆叠的高度实现选择性溶解度; 并用溶剂溶解叠层的可溶部分以产生具有所需几何形状的三维结构（24）。

公开(公告)号：WO2009037456A3

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：PCT/GB2008003162

申请日：2008-09-18

Applicant: WOLFSON MICROELECTRONICS PLC ,  LAMING RICHARD IAN ,  JENKINS COLIN ROBERT ,  TRAYNOR ANTHONY BERNARD

Inventor： LAMING RICHARD IAN ,  JENKINS COLIN ROBERT ,  TRAYNOR ANTHONY BERNARD

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/019 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0157 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: A MEMS device comprises a membrane layer and a back-plate layer formed over the membrane layer. The membrane layer comprises an outer portion and an inner portion raised relative to the outer portion and a sidewall for connecting the inner portion and the outer portion. The sidewall is non-orthogonal to the outer portion.

Abstract translation: MEMS器件包括膜层和形成在膜层上的背板层。 膜层包括外部部分和相对于外部部分凸起的内部部分和用于连接内部部分和外部部分的侧壁。 侧壁与外部部分不正交。

公开(公告)号：US20240165663A1

公开(公告)日：2024-05-23

申请号：US18347113

申请日：2023-07-05

Applicant: The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University

Inventor： Bo Ma ,  Kamyar Firouzi ,  Butrus T. Khuri-Yakub ,  Jose Joseph

IPC: B06B1/02 ,  B06B1/06 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N29/06 ,  G01N29/22 ,  G01N29/24

CPC classification number: B06B1/0215 ,  B06B1/0292 ,  B06B1/0651 ,  B06B1/0662 ,  B81B3/0021 ,  B81C1/00166 ,  G01N29/0654 ,  G01N29/2406 ,  B06B2201/55 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0157 ,  B81C2201/0178 ,  G01N29/22

Abstract: Aspects of this disclosure relate to driving a capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) with a pulse train of unipolar pulses. The CMUT may be electrically excited with a pulse train of unipolar pulses such that the CMUT operates in a continuous wave mode. In some embodiments, the CMUT may have a contoured electrode.

公开(公告)号：US09733185B2

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：US13675685

申请日：2012-11-13

Applicant: Princeton University

Inventor： Han Cao ,  Jonas O. Tegenfeldt ,  Stephen Chou ,  Robert H. Austin

IPC: G01N35/02 ,  G01N33/00 ,  C12M1/36 ,  C12M3/00 ,  G01N21/64 ,  B01L3/00 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00 ,  G01N33/487 ,  G03F7/20

CPC classification number: G01N21/6486 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502746 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/0663 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0896 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/086 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0157 ,  B81C2201/0159 ,  B82Y30/00 ,  G01N33/48721 ,  G03F7/2008 ,  Y10T436/143333

Abstract: The present invention relates to a device for interfacing nanofluidic and microfluidic components suitable for use in performing high throughput macromolecular analysis. Diffraction gradient lithography (DGL) is used to form a gradient interface between a microfluidic area and a nanofluidic area. The gradient interface area reduces the local entropic barrier to nanochannels formed in the nanofluidic area. In one embodiment, the gradient interface area is formed of lateral spatial gradient structures for narrowing the cross section of a value from the micron to the nanometer length scale. In another embodiment, the gradient interface area is formed of a vertical sloped gradient structure. Additionally, the gradient structure can provide both a lateral and vertical gradient.