公开(公告)号：CN101588988A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880002900.2

申请日：2008-01-10

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/145 ,  H05B3/24 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T428/24058 ,  Y10T428/24124 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/24182

Abstract: 本发明提供利用自我组装嵌段共聚物制造二维方形和矩形阵列的亚光刻纳米级微结构的方法以及由这些方法形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN101208774A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023201.7

申请日：2006-05-29

Applicant: 普林斯顿大学

Inventor： 斯蒂文·Y·舒 ,  夏强飞

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/477 ,  H01L21/46 ,  H01L21/4757

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/90

Abstract: 根据本发明，图样化的纳米级或近纳米级的器件(纳米结构)的结构，通过在适当的引导条件下将图样化的器件液化一段时间并之后将器件固化而进行修复和/或增强。有利的引导条件包括邻近且分离于表面或接触表面以控制表面结构并保持竖直。无约束边界使边缘粗糙变得平滑。在优选实施例中，平坦表面设置为覆盖在图样化的纳米结构表面上，并且，此表面通过高强度光源液化以修复或增强纳米特征。

公开(公告)号：CN101170126A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710141185.8

申请日：2007-08-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨海宁 ,  李伟健

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28123 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种包括位于半导体衬底表面上的至少一个晶体管的半导体结构，其中该至少一个晶体管具有亚光刻沟道长度。也提供一种使用自组装嵌段共聚物形成这种半导体结构的方法，其中自组装嵌段共聚物可以使用预制硬掩模图案而位于特定位置。

公开(公告)号：CN101013662A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710008274.5

申请日：2007-01-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·鲁伊兹 ,  R·L·桑德斯特伦 ,  C·T·布莱克

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/2462

Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底表面上形成自组织图形的方法。首先，在衬底上施加嵌段共聚物层，所述层包括具有两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分的嵌段共聚物，所述衬底包括在其中具有沟槽的衬底表面。所述沟槽具体包括至少一个窄区域，其两侧连接两个宽区域，其中所述沟槽具有超过50％的宽度变化。接着，实施退火，以在所述嵌段共聚物层中的两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分之间实现相分离，由此形成由重复结构单元限定的周期性图形。具体地说，所述沟槽的窄区域处的周期性图形在预定方向上排列并且基本上无缺陷。本发明还描述了通过上述方法形成的嵌段共聚物膜和包括此嵌段共聚物膜的半导体结构。

公开(公告)号：CN1562730A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410013641.7

申请日：2004-03-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王铀

IPC: B82B3/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149

Abstract: 面向纳米微加工嵌段共聚物模板自组装形态调控方法，它涉及一种在纳米微加工时所需要的模板图案的调控方法。目前能调控嵌段共聚物形态的处理方法具有调控能力有限、处理工艺比较复杂、所需时间很长的缺点。本发明的操作方法为：将嵌段共聚物溶解在二甲苯溶剂中配制成溶液，将溶液浇铸在基片表面自然挥发成膜，然后将基片放置于密闭容器内，再向密闭容器内滴加有机溶剂后密封，取出即为模板。本发明具有调控出来模板的形态多样性、调控过程高度可控、模板形态高度有序、调控不需复杂设备，工艺简单，成本低，效率高、能在基片上得到几百纳米尺度的各种图案等诸多优点，用本发明的方法还可以得到类似于圆锥齿轮形状的自组装模板图案。

公开(公告)号：CN104321700B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201380013521.4

申请日：2013-02-07

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  W·J·杜兰德 ,  C·J·埃利森 ,  C·M·贝茨 ,  濑下武宏 ,  J·卡申 ,  L·J·桑托斯 ,  L·迪安 ,  E·L·劳施

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B29C43/32 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/30 ,  C03C17/3405 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/44 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/809 ,  Y10S977/811 ,  Y10S977/839 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31931

Abstract: 本发明使用真空沉积的材料薄膜，形成与下面的嵌段共聚物薄膜的不同域无优先相互作用的界面。无优先界面防止形成湿润层并影响嵌段共聚物内的域取向。沉积的聚合物的目的是在嵌段共聚物薄膜内产生可充当平版印刷图案的纳米结构特征。

公开(公告)号：CN105899559B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201480072805.5

申请日：2014-12-08

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李济权 ,  金廷根 ,  朴鲁振 ,  尹圣琇

IPC: C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F216/12 ,  C08L53/00 ,  C08J5/00 ,  C08J7/04

CPC classification number: C08F293/005 ,  B81C1/00428 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C07C35/48 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C217/84 ,  C07C2601/16 ,  C07D209/48 ,  C07F7/1804 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F2438/03 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J7/14 ,  C08J2353/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162

Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性，并且可具有必要时向其提供的多种所需功能。

公开(公告)号：CN105264642B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201480031846.X

申请日：2014-04-01

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： 徐奎 ,  M·A·霍基 ,  D·古尔瑞罗

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0331 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08F212/08 ,  C08F212/32 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C08L33/12 ,  C09D125/08 ,  C09D125/14 ,  C09D125/16 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供用于定向自组装(DSA)图案化技术的组合物。还提供用于定向自组装的方法，其中将包含嵌段共聚物的DSA组合物施涂到基材并随后进行自组装以形成所需的图案。所述嵌段共聚物包含具有不同蚀刻速率的至少两种嵌段,从而在蚀刻过程中选择性地除去一种嵌段(例如,聚甲基丙烯酸甲酯)。因为使用添加剂改性蚀刻更慢的嵌段(例如,聚苯乙烯)，以进一步减缓该嵌段的蚀刻速率,更多的更缓慢的蚀刻嵌段得以保留，从而将图案全部转移到下面的层。

公开(公告)号：CN104662641B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380046681.9

申请日：2013-09-05

Applicant: 株式会社LG化学 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 韩阳奎 ,  李济权 ,  李显振 ,  金鲁马 ,  尹圣琇 ,  申恩知 ,  郑连植

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G11B5/855 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/56 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/746 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质，所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于用于信息存储等的新一代磁性记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基底上的氧化硅上形成嵌段共聚物薄膜的步骤，所述嵌段共聚物包括预定的硬链段以及具有基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；对准所述薄膜的步骤；从所述嵌段共聚物薄膜选择性地移除所述软链段的步骤；以及使用已移除软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩膜通过在所述氧化硅上进行反应离子蚀刻形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案。

公开(公告)号：CN104619631B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380025597.9

申请日：2013-05-15

Applicant: 马克思-普朗克科学促进协会

Inventor： C·维利格斯 ,  C·莫尔哈德 ,  J·P·施帕茨 ,  R·布伦纳

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  C09D7/00

CPC classification number: B01J19/0046 ,  B01J2219/00596 ,  B05D3/06 ,  B05D3/068 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  G03F1/68 ,  Y10T428/24893

Abstract: 本发明提供用于增加衬底表面上聚合物胶束或纳米颗粒的阵列的有序度的方法，其包括：a)提供衬底表面上胶束或包覆有聚合物壳的纳米颗粒的有序阵列；以及b)通过在液体介质中超声处理将胶束或纳米颗粒的阵列退火，所述液体介质选自H2O、极性有机溶剂以及H2O和极性有机溶剂的混合物。在相关的方面，本发明提供由本发明的方法可得的胶束或纳米颗粒的高度有序阵列。