公开(公告)号：CN104245219A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380019472.5

申请日：2013-04-25

Applicant: 美艾利尔圣地亚哥公司

Inventor： 诶瑞克·麦克·欧立松 ,  简里森·阮卫尔 ,  阿玛·德阮尔·图卫尔

IPC: B23K26/20

CPC classification number: B29C65/7855 ,  B23K26/244 ,  B23K26/324 ,  B23K26/60 ,  B23K2103/30 ,  B29C59/16 ,  B29C65/08 ,  B29C65/1606 ,  B29C65/1609 ,  B29C65/1612 ,  B29C65/1616 ,  B29C65/1632 ,  B29C65/1635 ,  B29C65/1654 ,  B29C65/1664 ,  B29C65/1677 ,  B29C65/1683 ,  B29C65/1696 ,  B29C65/72 ,  B29C66/0246 ,  B29C66/028 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/21 ,  B29C66/232 ,  B29C66/234 ,  B29C66/24244 ,  B29C66/30223 ,  B29C66/3452 ,  B29C66/53461 ,  B29C66/71 ,  B29C66/73361 ,  B29C66/73921 ,  B29C66/8122 ,  B29C66/81267 ,  B29C66/836 ,  B29C66/9513 ,  B29C2035/0838 ,  B29C2791/009 ,  B29K2995/0027 ,  B29L2009/00 ,  B29L2031/756 ,  B81C1/00357 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019 ,  Y10T156/1039 ,  Y10T156/1064 ,  B29K2025/06 ,  B29K2069/00 ,  B29K2033/12 ,  B29K2067/00 ,  B29K2071/00 ,  B29K2909/08 ,  B29C66/024

Abstract: 本发明涉及接合材料的方法以及用该方法制造物品的工艺。本发明涉及一种用于接合第一基板和第二基板的工艺。该工艺包括用具有第一波长和足够强度的激光束辐射第一基板的部分来增强第一基板对具有不同于第一波长的第二波长的光线。激光束可以碳化第一基板的被辐射部分的至少一个部分，从而赋予其比第一基板的未被辐射部分具有更高的吸光度。然后放置第二基板与第一基板的被辐射部分相接触。用具有第二波长不同于第一波长并具有足够强度的第二激光辐射第一基板，从而加热，最好熔化，第一基板的被辐射部分。

公开(公告)号：CN102369059B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN200980130482.X

申请日：2009-06-05

Applicant: 博纳基因技术有限公司

Inventor： 曹涵 ,  迈克尔·D·奥斯汀 ,  帕里克希特·A·德什潘德 ,  马克·昆克尔 ,  阿列克谢·Y·沙罗诺夫 ,  迈克尔·科切尔斯皮尔格

IPC: B01L3/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/0663 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2200/10 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0851 ,  B01L2300/0858 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/168 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/043 ,  B01L2400/0442 ,  B01L2400/0487 ,  B01L2400/086 ,  B81B2201/058 ,  B81C2201/019 ,  G01N2021/0346 ,  G01N2021/6439 ,  Y10T29/4981

Abstract: 本发明提供了具有大尺度和纳米尺度尺寸的部件的集成分析装置，以及具有降低的背景信号并减少了置于装置内的荧光团淬灭的装置。还提供了制造这些装置和使用这些装置的相关方法。

公开(公告)号：CN103221332A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055794.6

申请日：2011-09-18

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： J·布雷泽克 ,  约翰·加德纳·布卢姆斯伯 ,  C·阿卡

IPC: B81B7/04 ,  B81B7/00 ,  B81C3/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0072 ,  B81B7/0016 ,  B81B7/0051 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0785 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个示例包括：集成电路，其包括至少一个电气互连点，所述至少一个电气互连点布置在远离所述集成电路的主体部分延伸的细长臂上；以及包括振荡部分的微机电层，所述微机电层结合到所述集成电路的所述主体部分。

公开(公告)号：CN102947217A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180019427.0

申请日：2011-04-15

Applicant: 森松诺尔有限公司

Inventor： 佐蒙德·基特尔斯兰德 ,  丹尼尔·勒珀达图 ,  西塞尔·雅各布森 ,  特朗德·维斯特高

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/058

Abstract: 一种在用于制造密封结构的硅－绝缘体复合晶片内提供密封的方法，包括步骤：图案化第一硅晶片，以使该第一硅晶片具有至少部分地延伸穿过该第一硅晶片的一个或多个凹槽；利用绝缘体材料填充所述凹槽，该绝缘体材料能够被阳极键合到硅，以形成具有多个硅－绝缘体界面和由绝缘体材料组成的第一接触表面的第一复合晶片；以及在该第一接触表面以及与其相对的第二接触表面上利用阳极键合技术，以在硅－绝缘体界面间产生密封，其中，该第二接触表面由硅组成。

公开(公告)号：CN101405215B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200780009662.3

申请日：2007-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山口真弓 ,  泉小波

IPC: B81C3/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L21/762 ,  B32B38/10 ,  B81C3/008 ,  B81C2201/019 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供一种微结构、微机械、以及微结构和微机械的制造方法。制造微结构和微机械而无需牺牲层蚀刻。分离层102被形成于衬底101上方，并且作为可移动电极的层103被形成于分离层102上方。在分离层102的界面处，作为可移动电极的层103被从衬底分离开。作为固定电极的层106被形成于另一衬底105上方。作为可移动电极的层103隔着部分地设置的间隔层103被固定到衬底105上，使得作为可移动电极的层103与作为固定电极的层106彼此相对置。

公开(公告)号：CN102762491A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180007136.X

申请日：2011-01-28

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： A·比森 ,  T·L·达努克斯 ,  A·帕里斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00824 ,  B01J2219/00831 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00873 ,  B81B2201/058 ,  B81C2201/019

Abstract: 由玻璃、陶瓷或微晶玻璃制成的微流体装置（100）包括上层（122）、下层（124）和中间层（114），中间层（114）包括上表面（114b）和下表面（114a），下表面（114a）包括限定第一微流体通道（126）的第一敞开结构表面，上表面（114b）包括限定第二微流体通道（112）的第二敞开结构表面；中间层（114）的下表面与封闭第一微通道（126）的第一平板层协配；中间层（114）的上表面（114b）与第二平板层（130）协配，第二平板层（130）以密封方式封闭第二微流体通道（112），第二平板层构成中间层（130），中间层（130）在其与中间层（114）相反的表面上与另一层（122）协配，另一层（122）在其内表面（122a）上包括限定第三微流体通道（128）的结构表面。

公开(公告)号：CN102530823A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110459495.0

申请日：2011-11-23

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： R·D·霍尔宁

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C2201/019 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于四层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)装置的系统和方法。在一个实施例中，一种系统包括第一双芯片，其包括第一基层；接合到第一基层的第一器件层，第一器件层包括第一组MEMS器件；以及接合到第一器件层的第一顶层，其中第一组MEMS器件被密封地隔离。该系统还包括第二双芯片，其包括第二基层；接合到第二基层的第二器件层，第二器件层包括第二组MEMS器件；以及接合到第二器件层的第二顶层，其中第二组MEMS器件被密封地隔离，其中第一顶层的第一顶表面接合到第二顶层的第二顶表面。

公开(公告)号：CN102300801A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005699.0

申请日：2010-01-20

Applicant: 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司

Inventor： P.A.霍伊辛顿 ,  M.A.托雷

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/60 ,  B41J2/045

CPC classification number: B81C1/00904 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019

Abstract: 描述了一种MEMS器件，所述MEMS器件具有主体，而所述主体带有接合到该主体的部件。所述主体具有主表面和相邻于主表面且小于主表面的侧表面。所述主体由一种材料形成，所述侧表面由该材料形成，并且所述主体处于一种不同于侧表面的晶体结构。所述主体包括在侧表面的出口，并且所述部件包括与所述出口处于流通连接的孔隙。

公开(公告)号：CN102272592A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980153820.1

申请日：2009-10-28

Applicant: 华盛顿大学

Inventor： D·T·赵 ,  J·S·郭

IPC: G01N33/48 ,  G01N35/08

CPC classification number: C12M1/00 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502723 ,  B01L3/502753 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2300/12 ,  B01L2400/0418 ,  B01L2400/0421 ,  B01L2400/0487 ,  B01L2400/086 ,  B29C33/44 ,  B29C65/08 ,  B29C65/14 ,  B29C65/1403 ,  B29C65/1406 ,  B29C65/1409 ,  B29C65/1412 ,  B29C66/028 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/5346 ,  B29C66/71 ,  B29C66/73151 ,  B29C66/73365 ,  B29C66/73751 ,  B29C66/7392 ,  B29C66/73921 ,  B29C66/7394 ,  B29C66/81267 ,  B29C66/82661 ,  B29C2791/006 ,  B29K2075/00 ,  B29K2995/0025 ,  B29K2995/0027 ,  B29K2995/007 ,  B29L2031/756 ,  B81B2201/051 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/034 ,  B29K2033/12

Abstract: 本发明的实施方式涉及用于制造微流体装置的可紫外固化的聚氨酯甲基丙烯酸酯(PUMA)基材。PUMA是光学透明、生物相容的，并且具有稳定的表面性质。实施方式包括与现有的快速原型制作方法兼容的两种生产工艺，并提供了所得PUMA微流体装置的表征。本发明的实施方式还涉及改进由PUMA树脂生产芯片的产率的方案，特别是用于包括密集和高纵横比结构的微流体系统。描述了一种将微结构剪切面的移动最小化的模塑—脱模过程。还揭示了用于在PUMA基材之间形成密封的简单、但可规模化的方法，其避免了可能压坏精密结构的过度压缩力。详述了用于形成与PUMA微流体装置的互连结构的两种方法。这些改进生产出包括紧密间隔和高纵横比的翅片的微过滤装置，适于从高度稀释的悬浮液中保留和浓缩细胞或珠粒。

公开(公告)号：CN101078664B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200710104277.9

申请日：2007-05-23

Applicant: 森斯瑞控股股份公司

Inventor： 费利克斯·迈尔 ,  约翰奈斯·布勒 ,  马蒂亚斯·斯特雷夫 ,  罗伯特·苏尼尔

IPC: G01L9/12

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相结合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔也可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。