纳米量子点光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN1785861A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510030735.X

    申请日:2005-10-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明述及一种纳米量子点光纤及其制作方法。本纳米量子点光纤纤芯、包层和保护层组成,纤芯材料是由纯石英掺杂少量增大折射率的GeO2和具有放大效应的半导体PbS纳米材料组成,包层材料为纯石英材料,保护层材料由纯石英支撑管构成。其制造方法是:①采用MCVD工艺制作来烧结多孔的纤芯预制棒;②采用sol-gel法制备半导体量子点材料;③采用溶胶浸泡法制备量子点纤芯预制棒;④采用低温工艺拉制纳米量子点光纤。可以用较短(厘米级)的本光纤实现光信号放大。本光纤具有宽带特性,是已有的掺铒光纤带宽的2~5倍。可广泛应用于光纤放大器、光纤激光器、光调制器等器件,应用于光纤传感领域的光纤温度、压力传感器等的测量。

    半导体薄膜内包层放大光纤及其预制棒制造方法

    公开(公告)号:CN1785860A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510030734.5

    申请日:2005-10-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种半导体薄膜内包层放大光纤及其预制棒制造方法。本半导体薄膜内包层放大光纤是由半导体薄膜内包层放大预制棒拉制而成的,预制棒由芯棒、内包层和外包层组成,内包层夹在芯棒和外包层之间,芯棒是由掺杂GeO2的石英材料构成,它的折射率要大于外包层的纯石英材料;内包层为薄膜包层,是由具有放大功能的活性半导体直接带隙材料构成;而外包层是由纯石英构成。其预制棒制造方法的工艺过程及步骤为:(a)采用改进化学气相沉积工艺制造芯棒;(b)制作外包层;(c)制作薄膜内包层;(d)采用插棒技术装配;(e)缩棒。本方法制造的预制棒具有半导体性能稳定、材料分解少等特点。本光纤适用于制备具有集成化、增益谱宽、高效泵浦、输出功率高、便于结构小型化,且使用方便,价格低廉的光纤放大器。

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