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    等离子体处理系统和方法
    71.
    发明授权
    等离子体处理系统和方法 失效

    公开(公告)号：CN1158404C

    公开(公告)日：2004-07-21

    申请号：CN00800061.1

    申请日：2000-01-10

    Applicant: 英特维克公司

    Inventor： 特里·布鲁克 ,  詹姆斯·H·罗杰斯 ,  谢军

    IPC: C23C16/00 ,  H05H1/00

    CPC classification number: H01J37/3178 ,  C23C16/26 ,  C23C16/513 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0822 ,  H01J2237/3142

    Abstract: 一种基片处理系统包括处理室(10)、设置在该室中的基片支架(12)、该室输送生成气体的气源(54)、位于该室中的至少一个离子源(20)和能量源，该能量源通过对阳极(30)施加正偏压和阴极(32)施加负偏压来给离子源输送能量，在每个实例中偏压都是相对于该室的。离子源使生成气体离子化以产生用于处理设置在室中的基片支架上的基片的离子。一个实施例包括两个这种离子源。在这种情况下，能量源以时分多路的方式给第一和第二阳极(30，40)和阴极(32，42)提供能量，以使在任何时候仅有一个第一或第二离子源通电，因而消除了离子源之间的相互作用。

    离子掺杂装置及离子掺杂装置用多孔电极
    72.
    发明公开
    离子掺杂装置及离子掺杂装置用多孔电极 失效

    公开(公告)号：CN1495858A

    公开(公告)日：2004-05-12

    申请号：CN03156660.X

    申请日：2003-09-08

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 山内哲也

    IPC: H01L21/223

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/08

    Abstract: 一种离子掺杂装置，本发明的课题在于：在与基片扫描方向正交方向的狭小范围内抑制离子注入量的偏差。本发明的离子掺杂装置具有使从设有多个电极孔(210)的多孔电极(200)引出的离子束向扫描的基片(300)照射的结构，由多个电极孔(210)构成的电极孔群(α...)中各电极孔(210)在与基片(300)扫描方向X正交的方向Y上错开位置配置以使电极孔群(α...)向基片(300)的离子注入量均匀。

    将低剂量离子植入基质的方法
    74.
    发明公开
    将低剂量离子植入基质的方法 无效

    公开(公告)号：CN1208954A

    公开(公告)日：1999-02-24

    申请号：CN98115969.9

    申请日：1998-07-09

    Applicant: 易通公司

    Inventor： M·C·格温

    IPC: H01L21/425

    CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/08

    Abstract: 本发明提供了一种离子植入系统,它采用一个离子源(12),用于将一种稀有稀释气体和一种选定的掺杂气体电离并植入一种基质(S)上。本发明的稀有稀释气体优选不会与所述掺杂气体或涂覆在所述离子源(12)的电离室(24)壁上的掺杂剂残留物反应者。另外,该稀有稀释气体不会将能改变导电性的离子或杂质导入所述基质(S)上。同此,可以精确控制植入所述基质的掺杂离子的剂量,特别是用于低剂量场合。

    具有束流自动反馈控制的考夫曼离子源
    76.
    发明公开
    具有束流自动反馈控制的考夫曼离子源 无效

    公开(公告)号：CN108695128A

    公开(公告)日：2018-10-23

    申请号：CN201710234464.2

    申请日：2017-04-11

    Applicant: 上海伟钊光学科技股份有限公司

    Inventor： 刘杰

    IPC: H01J37/08

    CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J2237/08

    Abstract: 现有考夫曼离子源，在真空镀膜时输出的离子束流受到阴极灯丝变化、工作气体扰动、真空室真空度变化等影响，比如随着阴极灯丝的热蒸发，阴极灯丝越烧越细导致输出离子束流逐渐减小，这时就需要人为调大阴极灯丝电压以保持束流的稳定。本发明设计了一种针对于离子束流变化的自动反馈调节电路，该电路采集输出束流的变化，将负反馈信号传递给阴极灯丝控制电路，当离子束流减弱时，适当增大阴极灯丝功率，而在离子束流增强时，适当减小阴极灯丝功率，从而使输出束流始终维持稳定。本发明的有益之处是，用自动反馈电路实时跟踪调整，使离子源输出束流保持稳定，从而使离子源辅助镀膜的光学薄膜结构稳定，改善光学薄膜的一致性和牢固度，也减少了镀膜过程中对离子源设备的人工干预。

    一种用于实现角度刻蚀的离子源刻蚀设备
    78.
    发明公开
    一种用于实现角度刻蚀的离子源刻蚀设备 有权

    公开(公告)号：CN107170659A

    公开(公告)日：2017-09-15

    申请号：CN201710306206.0

    申请日：2017-05-26

    Applicant: 北京创世威纳科技有限公司

    Inventor： 张少雷 ,  关江敏 ,  谢云

    IPC: H01J37/08 ,  H01J37/147

    CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/147 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/08

    Abstract: 本发明公开一种用于实现角度刻蚀的离子源刻蚀设备，包括一真空室，工件和离子源都设置在真空室中，真空室中设置工件台，所述工件台安装在第一移动装置及第二移动装置上，第一移动装置带动工件台相对于离子源前后移动，述第二移动装置带动工件台相对于离子源左右移动；离子源安装在第三移动装置上，第三移动装置带动离子源相对于工件做角度变换；本发明还在外接管路上设置柔性连接件，用以适应硬性管对于角度调整带来的不适。本发明改变了现有设计思路，将以前的工件旋转调节角度，改为离子源旋转调整角度，这样可以解决刻蚀均匀性的问题，还可以保证最佳射程。

    高压加速器的高压舱结构
    79.
    发明授权
    高压加速器的高压舱结构 有权

    公开(公告)号：CN103928281B

    公开(公告)日：2017-08-25

    申请号：CN201310685439.8

    申请日：2013-12-16

    Applicant: 宁波瑞曼特新材料有限公司

    Inventor： 黄永章

    IPC: H01J37/317 ,  H01J37/16 ,  H01J37/09

    CPC classification number: H05H5/00 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  H05H7/00

    Abstract: 本发明涉及高压领域，其公开了一种高压加速器的高压舱结构,包括一个高电压舱，带电粒子发生器，加速管，束流输运线和目标靶;所述高电压舱的内部为空心腔体，所述带电粒子发生器设置在所述空心腔体内；所述高电压舱设置在高的电位以协助加速从带电粒子发生器出来的电子；高电压舱被包围在一个接地的外壳内；所述高电压舱的边缘的外部附近设置有绝缘导体。本发明的有益效果是：根据高电压舱结构与周围的接地外壳的空气间隔的不同来设置绝缘导体的位置，从而进一步提高高电压舱的最高承受电压。

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