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公开(公告)号：CN108428609A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810081984.9
申请日：2018-01-29
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
Inventor： 川浪义实
IPC: H01J37/04 , H01J37/244 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/1471 , H01J37/1474 , H01J37/1478 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0455 , H01J2237/0807 , H01J2237/2448 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542 , H01J37/04
Abstract: 本发明提供会聚离子束装置，其能够高精度地进行发射尖锥的末端的调整而不会使FIB光学系统的会聚特性、对准特性降低。该会聚离子束装置具有：真空容器；配置在所述真空容器内、末端被尖锐化的发射尖锥；气体电场电离离子源；会聚透镜；第一偏转器；第一光圈；物镜，其使通过所述第一偏转器后的所述离子束会聚；以及试样台，并且在至少具有会聚透镜、第一光圈、第一偏转器以及物镜的光学系统与试样台之间形成针对离子束在点状区域中发生反应的信号产生源，并以使从信号产生源输出的信号和由第一偏转器对离子束进行的扫描对应的方式生成发射尖锥的扫描电场离子显微镜像。
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公开(公告)号：CN102810441B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110146810.4
申请日：2011-06-01
Applicant: 岛津分析技术研发(上海)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H05K3/107 , B05D3/002 , B05D5/12 , C23C14/0021 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C18/1806 , H01J37/04 , H01J49/063 , H01J49/421 , H05K1/119 , H05K3/0014 , H05K3/14
Abstract: 本发明提出一种离子光学器件的制备方法，其使用适于磨削加工工艺的硬质材料制作一个基底，该基底至少包含一个平面表面，并包含至少一层绝缘材料。接着，在平面表面上切割出一个或多个直线形沟槽，以在被直线形沟槽分离的平面表面形成多个分立的离子光学电极区域。然后，在平面表面以外的其他基底表面及基底内部导通孔内制作金属引线，以提供各离子光学电极上所需要的电压。使用硬度高的材料配合高精度的机械加工，可以获得较高的精度以及期望的分立电极轮廓。
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公开(公告)号：CN105531793A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480047309.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/295 , G01N23/04 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/153 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/10 , G01N23/20058 , G01N2223/418 , H01J37/04 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/1472 , H01J37/153 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/295 , H01J2237/21 , H01J2237/2614
Abstract: 本发明提供一种电子显微镜，其特征在于，在通过关闭透射电子显微镜的物镜(5)，使电子束的交叉(11、13)与限制视场光阑(65)一致，并使第一成像透镜(61)的焦距变化，来进行试样的像观察模式与试样的衍射图案观察模式的切换的无透镜傅科法中，在第一成像透镜(61)的后段配置偏转器(81)，在确定成像光学系统的条件后能够固定照射光学系统(4)的条件。由此，在不安装磁屏蔽透镜的通常的通用型透射电子显微镜中，也能够对操作者没有负担地实施无透镜傅科法。
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公开(公告)号：CN102789947B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110137263.3
申请日：2011-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
CPC classification number: H01J37/04 , B82Y40/00 , H01J9/02 , H01J9/025 , H01J27/26 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J2237/06341 , H01J2237/0807 , H01J2237/2623 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供了一种用于制造粒子源的方法，包括：将金属丝置于真空环境中并通入活性气体，并对金属丝的温度进行调节，并对金属丝施加正高压V，使得在金属丝头部侧面产生刻蚀带，在该刻蚀带内发生场致刻蚀；场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强，直到大于金属丝材料的场致蒸发电场，使得此处的金属原子被蒸发出去；在场致刻蚀触发了场致蒸发之后，场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成，其中场致刻蚀发生在侧面，形成了底座，而场致蒸发发生在顶端，形成了针尖；以及当获得具有预定形状的金属丝头部时，停止场致刻蚀和场致蒸发。
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公开(公告)号：CN104540979A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380042608.4
申请日：2013-09-12
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01J37/04 , C23C14/48 , C23C14/562 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/3277 , H05H1/46 , H05H2001/485
Abstract: 离子注入装置具备真空腔(11)、在外周部的一部分缠绕膜(2)的电极辊(13)、对电极辊施加电压的电压施加单元(21)、以及向真空腔内导入气体的气体导入单元(31)，通过电压施加单元对电极辊施加电压，并且通过气体导入单元导入气体而形成等离子体，在膜的表面进行离子注入处理，其中，与电极辊的缠绕膜的面相向地设置有电极部件(42)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104470465A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380022097.X
申请日：2013-04-24
Applicant: 兰德股份公司
Inventor： R·S·马森
CPC classification number: H01J37/04 , A61B18/042 , A61B2018/00452 , A61B2018/00642 , A61B2018/00767 , A61B2018/00827 , A61C17/02 , A61C19/063 , A61C19/066 , H01J37/244 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32541 , H05H1/2406 , H05H2001/2443 , H05H2240/20 , H05H2245/122
Abstract: 一种等离子体处理装置(10)，包括：收容电池(22)的本体部(11)，气瓶(15)，电源电路(21)，以及包括一对电极(18、19)的等离子体生成器(20)。装置还包括可拆卸的施加器部(12)，以及从生成器(20)延伸的用于将所生成的等离子体输送到出口并将形成在出口处的等离子体羽引导到处理区域上的延长导管(14)，所述出口在导管(14)的远端处。环形电极(25)被设置在导管(14)的出口处，并经由延长电导体(26)连接到电源电路(21)。环形电极(25)起到将所生成的等离子体内的电子从排出的等离子体羽带走的作用，从而帮助避免由结果电流导致的任何感觉。可提供电路(17)测量来自电极(25)的电流的电路，电源电路(21)被布置成根据所测电流调整供应到一对电极(18、19)的电力。
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公开(公告)号：CN102299067B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110175740.5
申请日：2011-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3255 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。该基板处理方法能对基板实施均匀的等离子处理且能充分地响应一腔室多处理的要求。基板处理装置(10)具有：容纳晶圆(W)的腔室(11)、配置在腔室内、用于载置晶圆的基座(12)、与基座相对配置的上部电极(24)、与基座相连接的第2高频电源(16)，上部电极与接地构件(36)电连接，使上部电极能够相对于基座移动，在上部电极中埋入电介质(26)，将在处理空间(PS)中产生的等离子体与接地构件(36)之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，而且，通过改变上部电极与基座之间的间隙(G)来改变上部电极与基座之间的等离子体密度。
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公开(公告)号：CN101978461B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200880128271.8
申请日：2008-07-11
Applicant: 波鸿-鲁尔大学
Inventor： 布莱恩·乔治·休尔 , 乌韦·沙恩斯基 , 拉尔夫·皮特·布林克曼 , 托马斯·曼圣布拉克
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32706
Abstract: 本发明公开了一种通过施加带有至少两个谐波分量且谐波分量间具有可控相对相位的RF电压、在等离子体操作装置中至少一个电极前建立DC偏压的方法，其中，至少一个较高频率分量是较低频率分量的偶次谐波。
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公开(公告)号：CN102842474A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110175692.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Inventor： 刘华荣
CPC classification number: C23F4/02 , B82Y99/00 , H01J1/00 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J27/26 , H01J37/04 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J2201/30415 , H01J2237/0807
Abstract: 本发明提供了一种用于制造粒子源的方法，包括：将金属丝置于真空环境中并通入活性气体和催化气体，对金属丝的温度进行调节，并对金属丝施加正高压V，使得金属丝表面的活性气体离解，在金属丝头部侧面产生刻蚀带，在该刻蚀带内发生场致刻蚀；场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强，直到大于金属丝材料的场致蒸发电场，使得此处的金属原子被蒸发出去；在场致刻蚀触发了场致蒸发之后，场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成，其中场致刻蚀发生在侧面，形成了底座，而场致蒸发发生在顶端，形成了针尖；以及当获得具有预定形状的金属丝头部时，停止场致刻蚀和场致蒸发。
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公开(公告)号：CN102789947A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110137263.3
申请日：2011-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
CPC classification number: H01J37/04 , B82Y40/00 , H01J9/02 , H01J9/025 , H01J27/26 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J2237/06341 , H01J2237/0807 , H01J2237/2623 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供了一种用于制造粒子源的方法，包括：将金属丝置于真空环境中并通入活性气体，并对金属丝的温度进行调节，并对金属丝施加正高压V，使得在金属丝头部侧面产生刻蚀带，在该刻蚀带内发生场致刻蚀；场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强，直到大于金属丝材料的场致蒸发电场，使得此处的金属原子被蒸发出去；在场致刻蚀触发了场致蒸发之后，场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成，其中场致刻蚀发生在侧面，形成了底座，而场致蒸发发生在顶端，形成了针尖；以及当获得具有预定形状的金属丝头部时，停止场致刻蚀和场致蒸发。
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