公开(公告)号：EP2390903B1

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：EP10733350.2

申请日：2010-01-20

Applicant: Nichia Corporation

Inventor： KURAMOTO, Masafumi ,  OGAWA, Satoru ,  NIWA, Miki

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L23/08 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0226 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：EP2498283A2

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：EP12154199.9

申请日：2012-02-07

Applicant: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

Inventor： Dr. Besendörfer, Kurt-Georg ,  Erdner, Nadja

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L21/4867 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitersubstrates (30) mit den folgenden Verfahrensschritten beschrieben:
- Beschichten mindestens einer Teilfläche (12, 14) eines flächigen Vorsinterträgers (10) mit einer Sinterpaste (16),
- Anordnen eines Verbindungsflächenobjektes (18) auf der Teilfläche (12, 14) der getrockneten Sinterpaste- (16),
- Druck-Beaufschlagung des Gebildes (20) aus dem mit der Sinterpaste (16) versehenen Vorsinterträger (10) und dem Verbindungsflächenobjekt (18) während einer kurzen Zeitspanne, so dass die Haftkraft zwischen der Sinterpaste (16) und dem Verbindungsflächenobjekt (18) größer wird als die Haftkraft zwischen der Sinterpaste (16) und dem Vorsinterträger (10),
- Entfernen des Vorsinterträgers (10) von dem die Sinterpaste (16) aufweisenden Verbindungsflächenobjekt (18), wobei sich ein Halbzeug (22) ergibt,
- Anordnen des Halbzeugs (22) auf einem isolierenden Grundkörper (24), wobei die Sinterpaste (16) dem flächigen Grundkörper (24) zugewandt ist, und
- Sinter-Beaufschlagung des Gebildes (26) aus dem Halbzeug (22) und dem flächigen Grundkörper (24) mit Druck und erhöhter Temperatur während einer längeren Sinterzeitspanne zur Ausbildung des Leistungshalbleitersubstrates (30).

Abstract translation: 该方法包括将连接表面物体布置在干燥的烧结膏（16）的相关联的表面部分（12,14）上。 从具有糊料的预烧结载体（10）中除去物体，使得糊料产生相应的半成品。 产品布置在电绝缘的平坦基体中，烧结膏面向身体。 将结构烧结加载在产品和体内，压力和升高的温度较长时间以形成烧结功率半导体衬底。

公开(公告)号：EP2447304A1

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：EP11008017.3

申请日：2011-10-04

Applicant: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

Inventor： Kazunori, Kondo ,  Michihiro, Sugo ,  Hideto, Kato

IPC: C08G77/52 ,  C09J183/14

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G77/14 ,  C08G77/52 ,  C08L63/00 ,  C08L83/14 ,  C09J163/00 ,  C09J183/14 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/556 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014

Abstract: An object is to provide a semiconductor apparatus adhesive composition having excellent adhesion properties when pressure-bonded and has excellent connection reliability and insulation reliability when hardened and to provide an adhesive sheet using this adhesive composition.
There is provided an adhesive composition comprising: (A) a silicone resin constituted of a repeating unit represented by the following general formula (1); (B) a thermosetting resin; and (C) a compound having a flux activity,

where R 1 to R 4 represent univalent hydrocarbon groups having carbon numbers from 1 to 8, which are equal to or different from each other; each of 1 and m is an integer from 1 to 100; each of a, b, c, and d is 0 or a positive number and meets 0

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种在压接时具有优异的粘附性的半导体装置粘合剂组合物，并且在硬化时具有优异的连接可靠性和绝缘可靠性，并提供使用该粘合剂组合物的粘合片。 提供一种粘合剂组合物，其包含：（A）由以下通式（1）表示的重复单元构成的有机硅树脂; （B）热固性树脂; 和（C）具有通量活性的化合物，其中R 1至R 4表示碳数为1至8的一价烃基，它们彼此相同或不同; 1和m各自为1至100的整数; a，b，c和d分别为0或正数，满足0 <（c + d）/（a + b + c + d）‰¤1.0; 并且X和Y各自为二价有机基团。

公开(公告)号：EP1956647B1

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：EP08000989.7

申请日：2008-01-19

Applicant: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

Inventor： Beckedahl, Peter ,  Braml, Heiko ,  Göbl, Christian ,  Heilbronner, Heinrich, Dr.

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/296 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/50 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：WO2014205193A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/US2014/043139

申请日：2014-06-19

Applicant: UNIVERSITY OF CONNECTICUT

Inventor： STAGON, Stephen, P. ,  HUANG, Hanchen

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/025 ,  B22F3/02 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0261 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  Y02E10/549 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053

Abstract: The present disclosure provides improved systems and methods for low-temperature bonding and/or sealing with spaced nanorods. In exemplary embodiments, the present disclosure provides for the use of metallic nanorods to bond and seal two substrates. The properties of the resulting bond are mechanical strength comparable to adhesives, impermeability comparable to metals and long term stability comparable to metals. The bond may be attached to any flat substrate and superstrate with strong adhesion. In certain embodiments, the bond is achieved at room temperature with only pressure or at a temperature above room temperature (e.g., about 150°C or less) and reduced pressure. Exemplary bonds are both mechanically strong and substantially impermeable to oxygen and moisture.

Abstract translation: 本公开提供了用于具有间隔的纳米棒的低温粘合和/或密封的改进的系统和方法。 在示例性实施例中，本公开提供使用金属纳米棒来粘合和密封两个基底。 所得结合的性质是与粘合剂相当的机械强度，与金属相当的不渗透性和与金属相当的长期稳定性。 该粘合剂可以附着在具有强粘附性的任何平坦基材和上层。 在某些实施方案中，在室温下仅在压力下或在高于室温（例如，约150℃或更低）的温度和减压下实现粘合。 示例性的粘合剂对于氧气和水分均具有机械强度和基本不渗透性。

公开(公告)号：WO2014052476A2

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/US2013/061722

申请日：2013-09-25

Applicant: ARIZONA BOARD OF REGENTS, A BODY CORPORATE OF THE STATE OF ARIZONA, ACTING FOR AND ON...

Inventor： HERBOTS, Nichole ,  BENNETT-KENNETT, Ross ,  MURPHY, Ashlee ,  HUGHES, Brett ,  ACHARYA, Ajjya ,  WATSON, Clarizza ,  CULBERTSON, Robert

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L31/048 ,  H01L51/0024 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1027 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1032 ,  Y02E10/50

Abstract: Substrates may be bonded according to a method comprising contacting a first bonding surface of a first substrate with a second bonding surface of a second substrate to form an assembly; and compressing the assembly in the presence of an oxidizing atmosphere under suitable conditions to form a bonding layer between the first and second surfaces, wherein the first bonding surface comprises a polarized surface layer; the second bonding surface comprises a hydrophilic surface layer; the first and second bonding surfaces are different.

Abstract translation: 可以根据包括使第一基板的第一接合表面与第二基板的第二接合表面接触以形成组件的方法来接合基板; 以及在合适的条件下在氧化气氛的存在下压缩所述组件以在所述第一和第二表面之间形成结合层，其中所述第一粘合表面包括极化表面层; 所述第二粘合表面包括亲水表面层; 第一和第二接合表面是不同的。

公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2013099243A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/JP2012/008324

申请日：2012-12-26

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 中村　太一 ,  北浦　秀敏

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/14 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/05 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/22 ,  B23K35/264 ,  B23K35/302 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/203 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2924/0002

Abstract: 　接合構造体は、基板の電極と、半導体素子の電極と、基板の電極と半導体素子の電極との間を接合する接合部と、を備え、接合部は、ＣｕＳｎ系の金属間化合物を含む、第１の金属間化合物層と、Ｂｉ層と、ＣｕＳｎ系の金属間化合物を含む、第２の金属間化合物層と、Ｃｕ層と、ＣｕＳｎ系の金属間化合物を含む、第３の金属間化合物層と、が基板の電極から半導体素子の電極に向かって順に配置されている。

Abstract translation: 接合结构设置有：基板的电极; 半导体元件的电极; 以及连接基板的电极和半导体元件的电极的接合部。 从基板的电极开始朝向半导体元件的电极，在接合部分中按以下顺序放置以下层：含有CuSn基金属间化合物的第一金属间化合物层; 铋层; 包含CuSn基金属间化合物的第二金属间化合物层; 铜层; 以及含有CuSn系金属间化合物的第三金属间化合物层。

公开(公告)号：WO2013064902A2

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/IB2012/002725

申请日：2012-10-30

Applicant: LEE, Masahiro

Inventor： LEE, Masahiro

CPC classification number: H01L23/32 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H05K1/0295 ,  H05K1/141 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/09954 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: A universal silicon interposer system and method to enabling the selective use of multiple proprietary microelectronic devices without the need to substantially alter the end-use application ( s ). The system may be used in the implementation of three-dimensional (stacked) microelectronics having proprietary contact pin patterns.

Abstract translation: 通用硅插入器系统和方法，能够选择性地使用多个专利微电子器件，而不需要基本上改变终端应用。 该系统可用于实现具有专有接头引脚图案的三维（堆叠）微电子器件。

公开(公告)号：WO2012007655A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/FR2011/000395

申请日：2011-07-05

Applicant: COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  BRUN, Jean

Inventor： BRUN, Jean

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K13/046 ,  H01L23/13 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/0281 ,  H05K1/038 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0108 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Un substrat muni d'un fil (3) électriquement conducteur enrobé par un matériau électriquement isolant est imprégné par un matériau polymérisable (4). Une zone d'accueil (5) pour une puce (2) est formée sur une surface du substrat (1), par rigidification du matériau polymérisable (4) dans une première zone du substrat. La puce (2) est disposée dans la zone d'accueil (5) et une zone (8) de connexion électrique de la puce (2) est connectée électriquement au fil (3) électriquement conducteur du substrat (1).

Abstract translation: 根据本发明，设置有涂覆有电绝缘材料的导电线（3）的基底用可聚合材料（4）浸渍。 通过变形在基板（1）的表面上形成用于芯片（2）的接收区域（5）。 接收区域（5）使用可聚合材料（4）加强。 芯片（2）设置在接收区域（5）中，并且芯片（2）的电连接区域（8）电连接到基板（1）的导电线。