公开(公告)号：TWI595109B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW106113179

申请日：2014-03-11

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 陳傑利 ,  CHEN,JERRY ,  馬高特森弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN,VLADIMIR ,  米利根布倫南 ,  MILLIGAN,BRENNAN ,  梅茲詹姆 威廉 ,  MAES,JAN WILLEM ,  賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  布倫堡湯姆 E. ,  BLOMBERG,TOM E. ,  李東 ,  LI,DONG

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

公开(公告)号：TW201724200A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105126158

申请日：2016-08-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 大倉誠司 ,  OKURO, SEIJI ,  末盛 秀美 ,  SUEMORI, HIDEMI ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J.

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/45529 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L28/75

Abstract: 本發明提供沈積鈦奈米層疊體薄膜的製程，所述鈦奈米層疊體薄膜可用於例如積體電路製造中，例如用於在節距倍增製程中形成間隔壁。在某些實施例中，包括氧化鈦層及氮化鈦層的鈦奈米層疊體膜沈積於例如已有遮罩特徵的三維特徵上。可定向地蝕刻共形的鈦奈米層疊體膜，以僅保持沈積於或形成於已有三維特徵的側壁上的鈦奈米層疊體。接著藉由蝕刻製程移除所述三維特徵，而餘留節距加倍的鈦奈米層疊體膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供沉积钛奈米层叠体薄膜的制程，所述钛奈米层叠体薄膜可用于例如集成电路制造中，例如用于在节距倍增制程中形成间隔壁。在某些实施例中，包括氧化钛层及氮化钛层的钛奈米层叠体膜沉积于例如已有遮罩特征的三维特征上。可定向地蚀刻共形的钛奈米层叠体膜，以仅保持沉积于或形成于已有三维特征的侧壁上的钛奈米层叠体。接着借由蚀刻制程移除所述三维特征，而余留节距加倍的钛奈米层叠体膜。

公开(公告)号：TW201713792A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105129014

申请日：2016-09-08

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 雪洛 艾立克 J. ,  SHERO, ERIC J. ,  維埃茲 莫西斯 E. ,  VERGHESE, MOHITH E.

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C07F5/06 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C01B31/305 ,  C01B32/921 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45525

Abstract: 提供鋁(Al)烴前驅組合物，其可用於過渡金屬碳化物薄膜，例如鋁摻雜過渡金屬碳化物薄膜，諸如鋁摻雜碳化鈦薄膜之氣相沈積。在一些實施例中，該等前驅組合物包含三叔丁基鋁(TTBA)之一或多種異構體。詳言之，在一些實施例中，該等前驅組合物包含至少70% TTBA之異構體1，其中異構體1具有式Al(叔丁基)2 (異丁基)。含有包含至少70% TTBA之異構體1之前驅組合物的容器可附接至氣相沈積反應器且用於藉由原子層沈積或化學氣相沈積來沈積過渡金屬碳化物薄膜，諸如鋁摻雜碳化鈦薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 提供铝(Al)烃前驱组合物，其可用于过渡金属碳化物薄膜，例如铝掺杂过渡金属碳化物薄膜，诸如铝掺杂碳化钛薄膜之气相沉积。在一些实施例中，该等前驱组合物包含三叔丁基铝(TTBA)之一或多种异构体。详言之，在一些实施例中，该等前驱组合物包含至少70% TTBA之异构体1，其中异构体1具有式Al(叔丁基)2 (异丁基)。含有包含至少70% TTBA之异构体1之前驱组合物的容器可附接至气相沉积反应器且用于借由原子层沉积或化学气相沉积来沉积过渡金属碳化物薄膜，诸如铝掺杂碳化钛薄膜。

公开(公告)号：TWI577829B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW102131839

申请日：2013-09-04

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 中野竜 ,  NAKANO, RYU ,  牧野勉 ,  MAKINO, TSUTOMU ,  高見澤寿 ,  TAKAMIZAWA, HISASHI

IPC: C23C16/505 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32137

公开(公告)号：TW201705247A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105117329

申请日：2016-06-02

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 謝琦 ,  XIE, QI ,  湯福 ,  TANG, FU ,  吉文斯 麥克 ,  GIVENS, MICHAEL ,  拉薩內尼 佩托 ,  RAISANEN, PETRI ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  蔣曉強 ,  JIANG, XIAOQIANG

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L23/3171 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 在一些實施例中，可利用氮化，較佳使用肼、肼衍生物或其組合有效地保護半導體表面。表面可為電晶體通道區域之半導體表面。在一些實施例中，自半導體表面移除原生氧化物且接著將表面氮化。在一些其他實施例中，在半導體表面形成半導體表面氧化物層且藉由在表面形成半導體氮氧化物層來實現保護，其中氮化將氮貢獻給表面氧化物以形成氮氧化物層。可藉由原子層沈積（atomic layer deposition；ALD）來沈積半導體氧化物層且氮化亦可作為ALD之一部分來進行。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，可利用氮化，较佳使用肼、肼衍生物或其组合有效地保护半导体表面。表面可为晶体管信道区域之半导体表面。在一些实施例中，自半导体表面移除原生氧化物且接着将表面氮化。在一些其他实施例中，在半导体表面形成半导体表面氧化物层且借由在表面形成半导体氮氧化物层来实现保护，其中氮化将氮贡献给表面氧化物以形成氮氧化物层。可借由原子层沉积（atomic layer deposition；ALD）来沉积半导体氧化物层且氮化亦可作为ALD之一部分来进行。

公开(公告)号：TW201641733A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105116389

申请日：2016-05-26

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 薩尼特 蒂納 ,  SARNET, TIINA ,  哈坦帕 堤摩 ,  HATANPAA, TIMO ,  里塔拉 邁可 ,  RITALA, MIKKO ,  雷凱拉 馬克 ,  LESKELA, MARKKU

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C07C49/92

CPC classification number: C23C16/305 ,  C01G39/06 ,  C01P2004/03 ,  C23C16/45553 ,  G01N30/72 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262

Abstract: 本發明提供形成含Mo及W的薄膜之製程，所述薄膜諸如MoS2 、WS2 、MoSe2 及WSe2 薄膜。亦提供合成Mo或W β-二酮前驅物之方法。另外，提供形成含Mo或W的2D材料之方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成含Mo及W的薄膜之制程，所述薄膜诸如MoS2 、WS2 、MoSe2 及WSe2 薄膜。亦提供合成Mo或W β-二酮前驱物之方法。另外，提供形成含Mo或W的2D材料之方法。

公开(公告)号：TW201638376A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105104453

申请日：2016-02-16

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 深澤篤毅 ,  FUKAZAWA, ATSUKI ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234

Abstract: 一種在一基板上形成由至少四種元素構成之單相多元薄膜，其係以電漿輔助原子層沉積法(PEALD)進行一或多個製程循環。每一製程循環包括：(i)在一基板上藉由PEALD使用至少一前驅物形成由至少三種元素構成之積體多元素層；及(ii)以反應性氧、氮、及/或碳在不存在用於膜形成之前驅物下處理該積體多元素層之表面，使得可將選自氧、氮、及碳之至少一種新的額外元素併入該積體多元素層內。

Abstract in simplified Chinese: 一种在一基板上形成由至少四种元素构成之单相多元薄膜，其系以等离子辅助原子层沉积法(PEALD)进行一或多个制程循环。每一制程循环包括：(i)在一基板上借由PEALD使用至少一前驱物形成由至少三种元素构成之积体多元素层；及(ii)以反应性氧、氮、及/或碳在不存在用于膜形成之前驱物下处理该积体多元素层之表面，使得可将选自氧、氮、及碳之至少一种新的额外元素并入该积体多元素层内。

公开(公告)号：TW201635874A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104142382

申请日：2015-12-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修 G. ,  GOODMAN, MATTHEW G.

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B05D3/002 ,  B05D3/02 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0433 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/306

Abstract: 在一些實施例中，一種用於積體電路製造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料，其中所述表面包括矽及鍺。移除所述氧化物材料包括將含鹵素的預清潔材料沉積於含氧化矽的表面上，且昇華所述含鹵素的預清潔材料之一部分以暴露所述表面上之矽。將鈍化膜沉積於暴露矽上。所述鈍化膜可包括氯。所述鈍化膜可防止矽表面受來自稍後昇華之化學物質污染，其中稍後昇華可在高於較早昇華之溫度下。隨後，使所述含鹵素的預清潔材料之剩餘部分及所述鈍化膜昇華。隨後可將諸如導電材料之目標材料沉積於基板表面上。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，一种用于集成电路制造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料，其中所述表面包括硅及锗。移除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积于含氧化硅的表面上，且升华所述含卤素的预清洁材料之一部分以暴露所述表面上之硅。将钝化膜沉积于暴露硅上。所述钝化膜可包括氯。所述钝化膜可防止硅表面受来自稍后升华之化学物质污染，其中稍后升华可在高于较早升华之温度下。随后，使所述含卤素的预清洁材料之剩余部分及所述钝化膜升华。随后可将诸如导电材料之目标材料沉积于基板表面上。

公开(公告)号：TW201631200A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104133648

申请日：2015-10-14

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 辻直人 ,  TSUJI, NAOTO ,  佐藤和男 ,  SATO, KAZUO ,  山岸孝幸 ,  YAMAGISHI, TAKAYUKI

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 一種薄膜形成裝置，包含：一承受器以及一蓮蓬頭。該蓮蓬頭設置在該承受器上方，具有形成在該蓮蓬頭內的一第一通道以及與該第一通道獨立的一第二通道。其中藉由設置被一第一上壁與一第一下壁包圍的一第一穴，貫穿該蓮蓬頭形成該第一通道，一第一薄洞形成在該第一上壁，且複數個第二薄洞形成在該第一下壁。在垂直方向上的該第一上壁的該高度隨著離該第一薄洞的距離增加而減少，且如同形成該第一通道的相同方法形成該第二通道。

Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜形成设备，包含：一承受器以及一莲蓬头。该莲蓬头设置在该承受器上方，具有形成在该莲蓬头内的一第一信道以及与该第一信道独立的一第二信道。其中借由设置被一第一上壁与一第一下壁包围的一第一穴，贯穿该莲蓬头形成该第一信道，一第一薄洞形成在该第一上壁，且复数个第二薄洞形成在该第一下壁。在垂直方向上的该第一上壁的该高度随着离该第一薄洞的距离增加而减少，且如同形成该第一信道的相同方法形成该第二信道。

公开(公告)号：TW201617470A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104134610

申请日：2015-10-22

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加 蘇維 ,  HAUKKA, SUVI ,  吉文斯 麥克 ,  GIVENS, MICHAEL ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC ,  溫克 傑利 ,  WINKLER, JERRY ,  拉薩內尼 佩托 ,  RAISANEN, PETRI ,  阿西凱寧 泰瑪 ,  ASIKAINEN, TIMO ,  朱馳宇 ,  ZHU, CHIYU ,  安提拉 雅各 ,  ANTTILA, JAAKKO

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L29/4966 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/517

Abstract: 一種用於在反應空間中將包括氮之鈦鋁薄膜或鉭鋁薄膜沈積在基板上的製程可包含至少一個沈積循環。沈積循環可包含使基板與氣相鈦前驅體或氣相鉭前驅體及氣相鋁前驅體交替且連續地接觸。氣相鈦前驅體或氣相鉭前驅體及氣相鋁前驅體中之至少一者可在氣相氮前驅體之存在下接觸基板。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于在反应空间中将包括氮之钛铝薄膜或钽铝薄膜沉积在基板上的制程可包含至少一个沉积循环。沉积循环可包含使基板与气相钛前驱体或气相钽前驱体及气相铝前驱体交替且连续地接触。气相钛前驱体或气相钽前驱体及气相铝前驱体中之至少一者可在气相氮前驱体之存在下接触基板。