公开(公告)号：TW201809346A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106118780

申请日：2017-06-07

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 隆吉 戴芬 ,  LONGRIE, DELPHINE ,  尼斯卡嫩 安提 具哈尼 ,  NISKANEN, ANTTI JUHANI ,  王瀚 ,  WANG, HAN ,  謝琦 ,  XIE, QI ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  陳尚 ,  CHEN, SHANG ,  渡會俊晴 ,  WATARAI, TOSHIHARU ,  小沼大 ,  ONUMA, TAKAHIRO ,  石川大 ,  ISHIKAWA, DAI ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/7685

Abstract: 可將金屬層相對於基底的第二表面選擇性地沈積於基底的一個表面上。在一些實施例中，相對於包括矽的第二表面，將金屬層選擇性地沈積於第一金屬表面上。在一些實施例中，可視情況在執行選擇性沈積製程之前對將要執行選擇性沈積的反應室進行鈍化。在一些實施例中，達成高於約50%或甚至約90%的選擇性。

Abstract in simplified Chinese: 可将金属层相对于基底的第二表面选择性地沉积于基底的一个表面上。在一些实施例中，相对于包括硅的第二表面，将金属层选择性地沉积于第一金属表面上。在一些实施例中，可视情况在运行选择性沉积制程之前对将要运行选择性沉积的反应室进行钝化。在一些实施例中，达成高于约50%或甚至约90%的选择性。

公开(公告)号：TW201803006A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106108226

申请日：2017-03-14

Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 劉龍珉 ,  YOO, YONG MIN ,  孫 宗源 ,  SHON, JONG WON ,  崔丞佑 ,  CHOI, SEUNG WOO ,  姜東錫 ,  KANG, DONG SEOK

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C23C16/04 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  C25D11/022 ,  C25D11/04 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757

Abstract: 本發明提供一種基底支撐板，其可防止基底的後表面上的沉積且可易於卸載所述基底。所述基底支撐板可包含：基底安裝部分；以及週邊部分，其圍繞所述基底安裝部分，且所述基底安裝部分的頂部表面的邊緣部分可經陽極氧化，且所述基底安裝部分的所述頂部表面的中心部分可不經陽極氧化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种基底支撑板，其可防止基底的后表面上的沉积且可易于卸载所述基底。所述基底支撑板可包含：基底安装部分；以及周边部分，其围绕所述基底安装部分，且所述基底安装部分的顶部表面的边缘部分可经阳极氧化，且所述基底安装部分的所述顶部表面的中心部分可不经阳极氧化。

公开(公告)号：TW201739954A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106129090

申请日：2014-10-16

Applicant: ASM IP 控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 波爾維爾傑米 ,  PORE,VILJAMI

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111

Abstract: 本發明提供沈積含硼與碳膜的方法。在一些實施例中，提供沈積具有諸如共形性及蝕刻速率之所需性質之B,C膜的方法。可在低於約400℃之溫度下於基板上分解一或多種含硼及/或碳前驅體。在一些實施例中，提供沈積包括B與C的氮化矽膜之方法。可藉由包含形成SiN之ALD循環及向生長膜提供B與C之CVD循環的沈積製程來沈積氮化矽膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供沉积含硼与碳膜的方法。在一些实施例中，提供沉积具有诸如共形性及蚀刻速率之所需性质之B,C膜的方法。可在低于约400℃之温度下于基板上分解一或多种含硼及/或碳前驱体。在一些实施例中，提供沉积包括B与C的氮化硅膜之方法。可借由包含形成SiN之ALD循环及向生长膜提供B与C之CVD循环的沉积制程来沉积氮化硅膜。

公开(公告)号：TW201734249A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106119554

申请日：2013-08-30

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 梅特羅雷傑H. ,  MATERO,RAIJA H.

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02172 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02304 ,  H01L29/785

Abstract: 提供形成氧化鍺薄膜的原子層沈積處理。在一些實施例中，ALD處理可包括以下步驟：使基板與汽相四價Ge前驅物接觸，以使得在基板表面最多形成Ge前驅物的分子單層；如果有的話，移除過量的Ge前驅物及反應副產物；使基板與汽相氧前驅物接觸，汽相氧前驅物在基板表面與Ge前驅物反應；移除過量的氧前驅物及任何氣體副產物，且重複接觸及移除的步驟直到已形成所需厚度的氧化鍺薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 提供形成氧化锗薄膜的原子层沉积处理。在一些实施例中，ALD处理可包括以下步骤：使基板与汽相四价Ge前驱物接触，以使得在基板表面最多形成Ge前驱物的分子单层；如果有的话，移除过量的Ge前驱物及反应副产物；使基板与汽相氧前驱物接触，汽相氧前驱物在基板表面与Ge前驱物反应；移除过量的氧前驱物及任何气体副产物，且重复接触及移除的步骤直到已形成所需厚度的氧化锗薄膜。

公开(公告)号：TWI595109B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW106113179

申请日：2014-03-11

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 陳傑利 ,  CHEN,JERRY ,  馬高特森弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN,VLADIMIR ,  米利根布倫南 ,  MILLIGAN,BRENNAN ,  梅茲詹姆 威廉 ,  MAES,JAN WILLEM ,  賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  布倫堡湯姆 E. ,  BLOMBERG,TOM E. ,  李東 ,  LI,DONG

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

公开(公告)号：TW201724200A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105126158

申请日：2016-08-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 大倉誠司 ,  OKURO, SEIJI ,  末盛 秀美 ,  SUEMORI, HIDEMI ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J.

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/45529 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L28/75

Abstract: 本發明提供沈積鈦奈米層疊體薄膜的製程，所述鈦奈米層疊體薄膜可用於例如積體電路製造中，例如用於在節距倍增製程中形成間隔壁。在某些實施例中，包括氧化鈦層及氮化鈦層的鈦奈米層疊體膜沈積於例如已有遮罩特徵的三維特徵上。可定向地蝕刻共形的鈦奈米層疊體膜，以僅保持沈積於或形成於已有三維特徵的側壁上的鈦奈米層疊體。接著藉由蝕刻製程移除所述三維特徵，而餘留節距加倍的鈦奈米層疊體膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供沉积钛奈米层叠体薄膜的制程，所述钛奈米层叠体薄膜可用于例如集成电路制造中，例如用于在节距倍增制程中形成间隔壁。在某些实施例中，包括氧化钛层及氮化钛层的钛奈米层叠体膜沉积于例如已有遮罩特征的三维特征上。可定向地蚀刻共形的钛奈米层叠体膜，以仅保持沉积于或形成于已有三维特征的侧壁上的钛奈米层叠体。接着借由蚀刻制程移除所述三维特征，而余留节距加倍的钛奈米层叠体膜。

公开(公告)号：TW201713792A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105129014

申请日：2016-09-08

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 雪洛 艾立克 J. ,  SHERO, ERIC J. ,  維埃茲 莫西斯 E. ,  VERGHESE, MOHITH E.

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C07F5/06 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C01B31/305 ,  C01B32/921 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45525

Abstract: 提供鋁(Al)烴前驅組合物，其可用於過渡金屬碳化物薄膜，例如鋁摻雜過渡金屬碳化物薄膜，諸如鋁摻雜碳化鈦薄膜之氣相沈積。在一些實施例中，該等前驅組合物包含三叔丁基鋁(TTBA)之一或多種異構體。詳言之，在一些實施例中，該等前驅組合物包含至少70% TTBA之異構體1，其中異構體1具有式Al(叔丁基)2 (異丁基)。含有包含至少70% TTBA之異構體1之前驅組合物的容器可附接至氣相沈積反應器且用於藉由原子層沈積或化學氣相沈積來沈積過渡金屬碳化物薄膜，諸如鋁摻雜碳化鈦薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 提供铝(Al)烃前驱组合物，其可用于过渡金属碳化物薄膜，例如铝掺杂过渡金属碳化物薄膜，诸如铝掺杂碳化钛薄膜之气相沉积。在一些实施例中，该等前驱组合物包含三叔丁基铝(TTBA)之一或多种异构体。详言之，在一些实施例中，该等前驱组合物包含至少70% TTBA之异构体1，其中异构体1具有式Al(叔丁基)2 (异丁基)。含有包含至少70% TTBA之异构体1之前驱组合物的容器可附接至气相沉积反应器且用于借由原子层沉积或化学气相沉积来沉积过渡金属碳化物薄膜，诸如铝掺杂碳化钛薄膜。

公开(公告)号：TW201705247A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105117329

申请日：2016-06-02

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 謝琦 ,  XIE, QI ,  湯福 ,  TANG, FU ,  吉文斯 麥克 ,  GIVENS, MICHAEL ,  拉薩內尼 佩托 ,  RAISANEN, PETRI ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  蔣曉強 ,  JIANG, XIAOQIANG

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L23/3171 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 在一些實施例中，可利用氮化，較佳使用肼、肼衍生物或其組合有效地保護半導體表面。表面可為電晶體通道區域之半導體表面。在一些實施例中，自半導體表面移除原生氧化物且接著將表面氮化。在一些其他實施例中，在半導體表面形成半導體表面氧化物層且藉由在表面形成半導體氮氧化物層來實現保護，其中氮化將氮貢獻給表面氧化物以形成氮氧化物層。可藉由原子層沈積（atomic layer deposition；ALD）來沈積半導體氧化物層且氮化亦可作為ALD之一部分來進行。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，可利用氮化，较佳使用肼、肼衍生物或其组合有效地保护半导体表面。表面可为晶体管信道区域之半导体表面。在一些实施例中，自半导体表面移除原生氧化物且接着将表面氮化。在一些其他实施例中，在半导体表面形成半导体表面氧化物层且借由在表面形成半导体氮氧化物层来实现保护，其中氮化将氮贡献给表面氧化物以形成氮氧化物层。可借由原子层沉积（atomic layer deposition；ALD）来沉积半导体氧化物层且氮化亦可作为ALD之一部分来进行。

公开(公告)号：TW201641733A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105116389

申请日：2016-05-26

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 薩尼特 蒂納 ,  SARNET, TIINA ,  哈坦帕 堤摩 ,  HATANPAA, TIMO ,  里塔拉 邁可 ,  RITALA, MIKKO ,  雷凱拉 馬克 ,  LESKELA, MARKKU

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C07C49/92

CPC classification number: C23C16/305 ,  C01G39/06 ,  C01P2004/03 ,  C23C16/45553 ,  G01N30/72 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262

Abstract: 本發明提供形成含Mo及W的薄膜之製程，所述薄膜諸如MoS2 、WS2 、MoSe2 及WSe2 薄膜。亦提供合成Mo或W β-二酮前驅物之方法。另外，提供形成含Mo或W的2D材料之方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成含Mo及W的薄膜之制程，所述薄膜诸如MoS2 、WS2 、MoSe2 及WSe2 薄膜。亦提供合成Mo或W β-二酮前驱物之方法。另外，提供形成含Mo或W的2D材料之方法。

公开(公告)号：TW201635874A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104142382

申请日：2015-12-17

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  古德曼 馬修 G. ,  GOODMAN, MATTHEW G.

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B05D3/002 ,  B05D3/02 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0433 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/306

Abstract: 在一些實施例中，一種用於積體電路製造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料，其中所述表面包括矽及鍺。移除所述氧化物材料包括將含鹵素的預清潔材料沉積於含氧化矽的表面上，且昇華所述含鹵素的預清潔材料之一部分以暴露所述表面上之矽。將鈍化膜沉積於暴露矽上。所述鈍化膜可包括氯。所述鈍化膜可防止矽表面受來自稍後昇華之化學物質污染，其中稍後昇華可在高於較早昇華之溫度下。隨後，使所述含鹵素的預清潔材料之剩餘部分及所述鈍化膜昇華。隨後可將諸如導電材料之目標材料沉積於基板表面上。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，一种用于集成电路制造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料，其中所述表面包括硅及锗。移除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积于含氧化硅的表面上，且升华所述含卤素的预清洁材料之一部分以暴露所述表面上之硅。将钝化膜沉积于暴露硅上。所述钝化膜可包括氯。所述钝化膜可防止硅表面受来自稍后升华之化学物质污染，其中稍后升华可在高于较早升华之温度下。随后，使所述含卤素的预清洁材料之剩余部分及所述钝化膜升华。随后可将诸如导电材料之目标材料沉积于基板表面上。