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公开(公告)号：FR3046494B1
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：FR1662341
申请日：2016-12-12
Inventor： ROY FRANCOIS , CAZAUX YVON , GUILLON MARIE , RODRIGUES BORIS , GIFFARD BENOIT
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公开(公告)号：FR3066315A1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1754104
申请日：2017-05-10
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： GABEN LOIC
IPC: H01L21/335 , H01L21/02 , H01L29/772
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de bandes ou de portions de bandes (31B; 33B) de silicium-germanium comprenant les étapes successives suivantes : réaliser des bandes de silicium suspendues au-dessus d'un substrat (1) ; entourer lesdites bandes ou portions de bande de silicium d'une couche de silicium-germanium ; réaliser une oxydation thermique d'enrichissement en germanium ; et retirer l'oxyde de silicium formé lors de l'oxydation thermique.
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公开(公告)号：FR3065320A1
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：FR1753344
申请日：2017-04-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： ROY FRANCOIS
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: L'invention concerne un capteur de détection de temps de vol comprenant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant une zone photosensible (PD) et au moins deux ensembles (Qi) comprenant chacun : une zone de stockage de charges (memi) ; un transistor de transfert (Tmem-j) adapté à contrôler des transferts de charges de la zone photosensible (PD) vers la zone de stockage de charges ; et un moyen de lecture (Vri, 23, 25, LECT) apte à mesurer de manière non-destructive la quantité de charges stockée dans la zone de stockage.
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公开(公告)号：FR3056372B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：FR1658733
申请日：2016-09-19
Inventor： ANDRIEU FRANCOIS , BERTHELON REMY
IPC: H05K1/16 , H01L21/336 , H01L29/78
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公开(公告)号：FR3056371B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：FR1658731
申请日：2016-09-19
Inventor： ANDRIEU FRANCOIS , BERTHELON REMY
IPC: H05K1/16 , H01L21/336 , H01L29/78
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3062519A1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：FR1750769
申请日：2017-01-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： HERAULT DIDIER , MALINGE PIERRE
IPC: H01L27/146 , H04N5/355
Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comportant une pluralité de pixels (100) comportant chacun une première photodiode (PPD1) reliée à un noeud capacitif de lecture (SN) par un premier transistor (101), et une deuxième photodiode (PPD2) reliée à un premier noeud capacitif de stockage (ST_M) par un deuxième transistor (107), le premier noeud capacitif (ST_M) étant relié au noeud de lecture (SN) par un troisième transistor (113), et le noeud de lecture (SN) étant relié à un noeud (VRT) d'application d'un potentiel de réinitialisation par un quatrième transistor (105).
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公开(公告)号：FR3049110B1
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：FR1652403
申请日：2016-03-21
Inventor： LE ROYER CYRILLE , BOEUF FREDERIC , GRENOUILLET LAURENT , HUTIN LOUIS , MORAND YVES
IPC: H01L21/336
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公开(公告)号：FR3059152A1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1661261
申请日：2016-11-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
IPC: H01L23/34
Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.
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公开(公告)号：FR3025938B1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1458759
申请日：2014-09-17
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： ARVET CHRISTIAN , BARNOLA SEBASTIEN , LAGRASTA SEBASTIEN , POSSEME NICOLAS
IPC: H01L21/30 , H01L21/335 , H01L29/772
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公开(公告)号：FR3057102A1
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：FR1659611
申请日：2016-10-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： DUTARTRE DIDIER , PAREDES-SAEZ VICTORIEN
IPC: H01L21/205
Abstract: L'invention concerne un Procédé de dépôt par épitaxie en phase gazeuse de silicium, de germanium ou de silicium-germanium sur une surface (35) semiconductrice monocristalline d'un substrat, ce procédé comprenant des étapes successives suivantes : disposer le substrat dans un réacteur d'épitaxie balayé par un gaz porteur ; porter la température du substrat à une première valeur ; introduire, pendant une première durée, au moins un premier gaz précurseur du silicium et/ou un gaz précurseur du germanium ; et réduire la température du substrat à une deuxième valeur, le procédé comprenant, à la fin de la première durée, le maintien de 1'introduction du premier gaz précurseur du silicium et/ou l'introduction d'un deuxième gaz précurseur du silicium, lesdits gaz ayant une pression partielle adaptée à former une couche de silicium ayant une épaisseur inférieure à 0, 5 nm.
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