-
公开(公告)号：CN101064247A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710100936.1
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L51/40
CPC classification number: H01L21/7806 , G02F1/167 , G02F2001/13613 , G06K19/07749 , H01L23/49855 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供如下技术方案：从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。
-
公开(公告)号：CN101030526A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710084421.7
申请日：2007-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/04 , H01L21/18 , G02F1/133 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , G02F1/133603 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L51/003 , H01L2221/68318 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明提供一种使用剥离方法的半导体装置和显示装置的制造技术，其中转移过程能在保留元件剥离前形状和性质的良好状态下进行。此外，本发明提供一种更可靠的半导体装置和显示装置的高产量制造技术且未使用于制造的设备和方法复杂化。根据本发明，在具有透光性的第一基板上形成包含光催化剂物质的有机化合物层，在包含光催化剂物质的有机化合物层上形成元件层，用穿过第一基板的光照射包含光催化剂物质的有机化合物层，并且从第一基板剥离元件层。
-
公开(公告)号：CN118943200A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410553599.5
申请日：2024-05-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H10B53/30 , H10B12/00
Abstract: 半导体装置包括氧化物半导体层、第一至第三导电层及第一至第三绝缘层，第一导电层具有第一凹部，第一导电层上的第一绝缘层及第一绝缘层上的第二导电层具有与第一凹部重叠的第一开口部，氧化物半导体层与第二导电层的顶面、第一凹部的底面及侧面、第二导电层的侧面及第一绝缘层的侧面接触，第二绝缘层在第一开口部内位于氧化物半导体层的内侧，并且第三绝缘层在第一绝缘层上覆盖氧化物半导体层的顶面及侧面并具有与第一开口部重叠的第二开口部。
-
公开(公告)号：CN117999863A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280063259.3
申请日：2022-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B53/20 , G11C11/22 , H01L29/786 , H10B12/00 , H10B51/20
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括具有第一电极及背栅极的晶体管以及具有一对电极的电容器，晶体管的背栅极与半导体之间有可具有铁电性的第一绝缘体。第一绝缘体隔着第二绝缘体与半导体重叠。晶体管的源极及漏极中的一个与第一电极电连接。晶体管的源极及漏极中的另一个与一对电极中的一个电连接。一对电极都与第一绝缘体接触并具有隔着第一绝缘体彼此重叠的区域。作为第一绝缘体，使用铁电体。
-
公开(公告)号：CN117916893A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061603.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/26 , H01L21/268 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/428 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/532 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括晶体管。晶体管包括氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体所包括的开口内的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体。开口包括与氧化物重叠的区域。第三导电体包括隔着第二绝缘体、第三绝缘体及第四绝缘体与氧化物重叠的区域。第二绝缘体与氧化物的顶面及开口的侧壁接触。第二绝缘体的厚度比第三绝缘体的厚度小。第四绝缘体与第三绝缘体相比不容易透过氧。在晶体管的沟道长度方向的截面中，第三导电体的宽度为3nm以上且15nm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117859410A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280051858.3
申请日：2022-07-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22 , H05B33/28 , H05B33/26 , H05B33/12 , H05B33/10 , H05B33/02 , H10K50/11 , H10K59/12 , H10K59/35 , H10K71/00 , H10K71/60 , G09F9/30 , G09F9/00
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括依次包括像素电极、发光层、功能层、公共层以及公共电极的多个发光器件，并包括位于彼此相邻的发光层的侧面之间的绝缘层。发光层及功能层在各发光器件中设置为岛状，多个发光器件共用公共层。公共层及公共电极以覆盖该绝缘层的方式设置。在剖视时该绝缘层的端部具有锥角大于0度且小于90度的锥形形状。
-
公开(公告)号：CN117730626A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280053082.9
申请日：2022-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/28
Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件、与第一发光元件相邻的第二发光元件、设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第一绝缘层以及第一绝缘层上的第二绝缘层。第一发光元件包括第一导电层、覆盖第一导电层的顶面及侧面的第二导电层、覆盖第二导电层的顶面及侧面的第一EL层以及第一EL层上的公共电极。第二发光元件包括第三导电层、覆盖第三导电层的顶面及侧面的第四导电层、覆盖第四导电层的顶面及侧面的第二EL层以及第二EL层上的公共电极。第二绝缘层上设置有公共电极。第一导电层的可见光反射率比第二导电层的可见光反射率高，第三导电层的可见光反射率比第四导电层的可见光反射率高。
-
公开(公告)号：CN117581637A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280046088.3
申请日：2022-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件、与第一发光元件相邻的第二发光元件、设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第一绝缘层、第一绝缘层上的遮光层及遮光层上的第二绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的公共电极。第二绝缘层上配置有公共电极。
-
公开(公告)号：CN117044396A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280020431.7
申请日：2022-03-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质及可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件、与第一发光元件相邻配置的第二发光元件、第一保护层、第二保护层以及绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层以及公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层以及公共电极。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一保护层具有与第一EL层的侧面接触的区域，第二保护层具有与第二EL层的侧面接触的区域。绝缘层设置在第一保护层与第二保护层之间。公共电极设置在第一EL层上、第二EL层上、第一保护层上、第二保护层上以及绝缘层上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.049 seconds)
