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公开(公告)号：KR101881393B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：KR1020120019045
申请日：2012-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B7/2643 , H04B15/04
Abstract: 본발명은단말의시분할다중접속노이즈제거장치및 방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따르는시분할다중접속(Time Division Multiple Access: TDMA) 방식으로무선신호를송수신하는단말의시분할다중접속노이즈제거장치는, 출력액세서리가장착되는인터페이스부, 가상그라운드를포함하며, 상기인터페이스부를통해상기출력액세서리와오디오신호를송수신하는오디오처리부, 상기인터페이스부및 상기오디오처리부사이에위치하여, 상기인터페이스부의그라운드단자가리얼그라운드및 상기오디오처리부의가상그라운드중 어느하나와연결되도록스위칭하는스위치부및 상기출력액세서리를이용한통화기능활성화시 상기인터페이스부의그라운드단자와상기오디오처리부의가상그라운드가연결되도록상기스위치부를제어하는제어부를포함할수 있다. 상기스위치부는둘 이상의스위치의병렬연결로구성될수 있다. 본발명의일 실시예에따르면, TDMA 노이즈를효과적으로제거하여이어폰통화의통화품질을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160059765A
公开(公告)日：2016-05-27
申请号：KR1020140161711
申请日：2014-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N13/332 , G06F3/013 , G06T19/006 , G09G3/001 , H04N5/23238 , H04N13/117 , H04N13/398
Abstract: 전자장치에서촬영장치에의해촬영된영상을디스플레이하는방법및 장치가제공된다. 전자장치는정해진공간내의서로다른위치에배치된복수의전방향촬영장치들중 하나의촬영장치를선택하고선택된하나의촬영장치에의해촬영되는영상을디스플레이할수 있다. 전자장치는하나의촬영장치에의해촬영되는영상을디스플레이하는중에, 다른촬영장치가선택되는경우상기디스플레이되는영상을보는사용자의시점을판단하고, 선택된다른촬영장치에의해촬영되는영상중에사용자의시점에대응하는대상물이촬영되는대상물뷰의영상을디스플레이할수 있다. 이외의다른실시예들도가능하다.
Abstract translation: 提供了一种用于显示由电子设备中的拍摄装置拍摄的图像的方法及其装置。 电子设备选择布置在设置空间中的不同位置的多个全向拍摄装置的一个拍摄装置，并显示由所选择的一个拍摄装置拍摄的图像。 如果在显示由一个拍摄装置拍摄的图像的情况下选择了另一拍摄装置，则电子装置确定观看显示图像的用户的观看点并显示目标对象的图像，目标对象视图对应于 从另一选择的拍摄装置拍摄的图像中的用户的观看点。 其他实施例是可能的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160039494A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：KR1020140132644
申请日：2014-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/2252 , H04N5/23258 , H04N5/23267
Abstract: 커버촬영장치, 휴대용단말장치및 커버촬영장치의제어방법이개시된다. 본발명에따른커버촬영장치는촬영부, 휴대용단말장치가체결되면, 휴대용단말장치로부터움직임정보를수신하는통신부및 수신된움직임정보와촬영부를통해촬영된영상데이터를동기화하여영상보정데이터를생성하고, 영상보정데이터를휴대용단말장치로전송하도록통신부를제어하는제어부를포함한다. 이에따라, 휴대용촬영장치와체결된커버촬영장치는별도의움직임을감지하는센서를구비하지않고도촬영된영상을보정할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种封面摄影装置，便携式终端装置以及封面摄影装置的控制方法。 根据本发明，盖摄影装置包括：成像单元; 通信单元，被配置为如果便携式终端设备耦合则从便携式终端设备接收运动信息; 以及控制单元，被配置为使接收的运动信息与由摄影单元拍摄的图像数据同步，以产生图像校正数据，并且控制通信单元将图像校正数据发送到便携式终端设备。 因此，耦合到便携式终端装置的封面摄影装置可以校正拍摄图像，而不需要用于检测单独运动的传感器。
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公开(公告)号：KR1020140143310A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020130131658
申请日：2013-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 임페리얼 이노베이션스 리미티드
CPC classification number: G06T7/20 , G06K9/00382 , G06K9/00389 , G06K9/6219 , G06K9/6256 , G06K9/6259 , G06K9/627 , G06K9/6282 , G06K2209/05 , G06T7/11 , G06T7/143 , G06T7/593 , G06T7/75 , G06T2207/10028 , G06T2207/20081
Abstract: A present invention relates to an estimator learning method and a pose estimation method using a depth image. The estimator learning method according to an embodiment of the present invention allows a user to learn an estimator for estimating the pose of an object based on correlation between synthesis data and actual data. The pose estimation method is to estimate the pose of the object by using the learned estimator.
Abstract translation: 本发明涉及使用深度图像的估计器学习方法和姿态估计方法。 根据本发明的实施例的估计器学习方法允许用户基于合成数据和实际数据之间的相关性来学习估计对象的姿态的估计器。 姿态估计方法是通过使用学习估计器来估计对象的姿态。
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公开(公告)号：KR1020120042054A
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020100103532
申请日：2010-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L23/5222 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A capacitor and a manufacturing method thereof are provided to prevent a bottom electrode to fall down by inserting a second electric conduction pattern in the inner side of a first electric conduction pattern and multiplying contact area between the first conductive pattern and the second conductive pattern. CONSTITUTION: An inter-layer insulating film(113) covering a gate line(111) and a bit line is formed on a semiconductor substrate(100). A contact plug(115) which is electrically connected to source/drain electrode of a transistor is formed on the inter-layer insulating film. A first mold layer including a bottom insulating layer(123) is formed on the inter-layer insulating film in which the contact plug is formed. First opening parts which expose the contact plug by patterning the first mold layer is formed. A first conductive pattern(132) of a cylinder type is respectively formed on the first opening parts. A core support pattern(142) is formed within the first conductive pattern.
Abstract translation: 目的：提供电容器及其制造方法，以通过在第一导电图案的内侧插入第二导电图案并且使第一导电图案与第二导电图案之间的接触面积相乘来防止底部电极掉落 。 构成：在半导体衬底（100）上形成覆盖栅极线（111）和位线的层间绝缘膜（113）。 在层间绝缘膜上形成与晶体管的源/漏电极电连接的接触插头（115）。 在形成有接触插塞的层间绝缘膜上形成包括底部绝缘层（123）的第一模制层。 形成通过图案化第一模具层而露出接触插塞的第一开口部分。 圆筒型的第一导电图案（132）分别形成在第一开口部分上。 在第一导电图案内形成芯支撑图案（142）。
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公开(公告)号：KR1020090012573A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076505
申请日：2007-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/6653 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/7847
Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to increases the mobility of the majority carrier passing through the channel of transistor without the division of PMOS and NMOS. The semiconductor device includes a semiconductor substrate(100) which comprises a gate structure(110), a source and drain region(102), an etch stopping layer(130) and a stress layer(140). A gate structure includes a gate electrode(114) and a spacer(116). Spacers can be formed at both side walls of the gate electrode. The source and drain regions are overlapped with two parts of the gate structure. The etch stopping layer is formed on the semiconductor substrate in order to cover the gate structure. The etch stopping layer has the first area on the spacer and the second area on a gate electrode. The etch stopping layer can have the third region on the source and drain regions.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法，以增加通过晶体管沟道的多数载流子的迁移率，而不需要分配PMOS和NMOS。 半导体器件包括半导体衬底（100），其包括栅极结构（110），源极和漏极区（102），蚀刻停止层（130）和应力层（140）。 栅极结构包括栅电极（114）和间隔物（116）。 隔板可以形成在栅电极的两个侧壁处。 源极和漏极区域与栅极结构的两个部分重叠。 为了覆盖栅极结构，在半导体衬底上形成蚀刻停止层。 蚀刻停止层具有间隔物上的第一区域和栅电极上的第二区域。 蚀刻停止层可以在源区和漏区上具有第三区。
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公开(公告)号：KR1020070073501A
公开(公告)日：2007-07-10
申请号：KR1020060001459
申请日：2006-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: An apparatus for cleaning a semiconductor wafer is provided to inject a cleaning solution including vibration and rotation force onto the semiconductor wafer by rotating a nozzle. A semiconductor wafer cleaning apparatus includes a rotation nozzle(127) and a plurality of openings(128). The rotation nozzle is used for injecting a cleaning solution of a rotating state onto a wafer. The openings are formed at a sidewall of the rotation nozzle. The rotation nozzle is rotatably installed at a nozzle body(121) for transferring ultrasonic waves and vibration to the cleaning solution. The cleaning solution including the ultrasonic waves and the vibration is injected through the rotation nozzle onto the wafer.
Abstract translation: 提供了一种用于清洁半导体晶片的装置，通过旋转喷嘴将包括振动和旋转力的清洁溶液注入到半导体晶片上。 半导体晶片清洁装置包括旋转喷嘴（127）和多个开口（128）。 旋转喷嘴用于将旋转状态的清洗液注入到晶片上。 开口形成在旋转喷嘴的侧壁处。 旋转喷嘴可旋转地安装在用于将超声波和振动传递到清洁溶液的喷嘴体（121）处。 包括超声波和振动的清洁溶液通过旋转喷嘴注入到晶片上。
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