公开(公告)号：KR1020060030677A

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：KR1020040079534

申请日：2004-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송종국 ,  김태균 ,  박상오 ,  조희강 ,  김한밀 ,  김용목 ,  조성호

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02052

Abstract: 본 발명은 IPA 증기를 사용하여 기판을 건조하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 처리조(120) 내로 공급되는 IPA 증기량은 공정 수행시 처리조(120) 내의 표면적에 따라 상이하게 공급된다. 처리조(120) 내에서 공정이 수행되는 웨이퍼의 매수와 각 웨이퍼에 형성된 패턴의 형태를 고려하여 제어기는 IPA 증기 공급관에 설치된 유량 조절기를 제어한다. 이로 인해, 공정이 수행되는 웨이퍼의 매수에 따라 각각의 웨이퍼에 IPA 증기의 과다 공급 또는 부족 공급으로 인한 건조불량이 방지된다.
건조, IPA 증기량, 웨이퍼

公开(公告)号：KR1020020061260A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：KR1020010002218

申请日：2001-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영구 ,  김태룡 ,  김진성 ,  김진주 ,  안정수 ,  송종국

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3083

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing method capable of preventing the particle generation is provided to increase the yield through the prevention of the particle generation of a post-process by minimizing a thickness of the stacked layer residing on a dead angle part of a CMP process on a wafer. CONSTITUTION: A layer(40) of a fixed thickness is stacked on the wafer(10). The accumulated layer is planarized by the CMP process. The photoresist(30) is coated on the wafer. After the CMP process, the remaining stacked layer of the dead angle part on the front edge part is exposed by removing the photoresist coated on the front edge part of the wafer. The exposed stacked layer of the dead angle part is etched and the photoresist remaining on the wafer is removed. The thickness of the photoresist is about 5000-15000 angstroms and the etching of the exposed dead angle part is carried out by the wet-etching.

Abstract translation: 目的：提供一种能够防止产生颗粒的半导体器件制造方法，以通过将CMP工艺的死角部分上的堆叠层的厚度最小化来防止后处理的颗粒产生，从而提高产量 晶圆。 构成：在晶片（10）上堆叠固定厚度的层（40）。 累积层通过CMP工艺平坦化。 光刻胶（30）涂在晶片上。 在CMP工艺之后，通过去除涂覆在晶片的前边缘部分上的光致抗蚀剂来暴露前边缘部分上的死角部分的剩余层叠层。 蚀刻暴露的死角部分的叠层，并且去除残留在晶片上的光致抗蚀剂。 光致抗蚀剂的厚度为约5000-15000埃，并且通过湿蚀刻进行暴露的死角部分的蚀刻。

公开(公告)号：KR100673024B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020060004432

申请日：2006-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임평호 ,  송종국 ,  김한밀

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: B05B1/20 ,  B08B3/048

Abstract: A nozzle and a substrate processing apparatus with the same are provided to enhance the uniformity of a cleaning efficiency between wafers by reducing the difference between a first spraying pressure at an end portion of the nozzle and a second spraying pressure at the other region. A substrate processing apparatus includes a process chamber for supplying a predetermined space, a support member for supporting a plurality of substrates in the process chamber, and a nozzle for supplying a predetermined liquid in the process chamber. The nozzle includes an outer tube(340) with a plurality of spraying holes(348) along a length direction and an inner tube. One end portion of the outer tube is closed. The inner tube(320) is inserted into the outer tube through a hole, wherein the hole is formed at the other end portion of the outer tube.

Abstract translation: 提供一种喷嘴及其基板处理装置，以通过减小喷嘴端部的第一喷射压力和另一区域的第二喷射压力之间的差异来提高晶片之间的清洁效率的均匀性。 基板处理装置包括用于提供预定空间的处理室，用于在处理室中支撑多个基板的支撑构件和用于在处理室中供应预定液体的喷嘴。 喷嘴包括具有沿着长度方向的多个喷射孔（348）和内管的外管（340）。 外管的一端部封闭。 内管（320）通过孔插入外管，其中孔形成在外管的另一端部。

公开(公告)号：KR1020020081923A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：KR1020010021473

申请日：2001-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임광신 ,  김경대 ,  길준잉 ,  김한밀 ,  이보용 ,  송종국 ,  이영구

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A cleaning method of a semiconductor wafer is provided effectively and entirely to remove particles or contamination formed at a rear surface of the semiconductor wafer. CONSTITUTION: A photoresist layer is coated on a front surface of a semiconductor wafer(10). The rear surface of the semiconductor wafer is cleaned by cleaning solutions(20). Preferably, the cleaning solutions use mixed solutions composed of H3PO4, HF, H2O2 and de-ionized water. Then, the remained cleaning solutions are removed(30). The photoresist layer located on the front surface of the semiconductor wafer is then removed(40). A general cleaning is then carried out(50).

Abstract translation: 目的：有效且全面地提供半导体晶片的清洁方法，以去除形成在半导体晶片的后表面的颗粒或污染物。 构成：将光致抗蚀剂层涂覆在半导体晶片（10）的前表面上。 半导体晶片的后表面由清洁溶液（20）清洁。 优选地，清洗液使用由H 3 PO 4，HF，H 2 O 2和去离子水组成的混合溶液。 然后，清除残留的清洁溶液（30）。 然后去除位于半导体晶片的前表面上的光致抗蚀剂层（40）。 然后进行一般清洁（50）。

公开(公告)号：KR100297737B1

公开(公告)日：2001-11-01

申请号：KR1019990036331

申请日：1999-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송종국 ,  김한밀 ,  안동호

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 트렌치소자분리영역과활성영역사이에홈(dent)이형성되는것을방지하고, 트렌치식각후세정공정시물반점이발생하는것을방지할수 있는트렌치소자분리방법이제공된다. 본발명에따른트렌치소자분리방법은활성영역을정의하는마스크패턴인질화막패턴의하부에형성되어있는스트레스완화용산화막패드패턴(stress relief oxide pad pattern)에언더컷을형성한후, 스트레스완충막(stress buffer layer)인질화막라이너를언더컷을따라자기정합적으로형성한다. 따라서, 하드마스크패턴인질화막패턴제거시스트레스완충막이일부식각되더라도반도체기판상부면이하로는식각되지않는다. 또, 물반점을발생시키는주된요인인반사방지막이언더컷형성시함께제거된다.

公开(公告)号：KR1020000061342A

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019990010303

申请日：1999-03-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송종국

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a semiconductor device is provided to prevent a high temperature oxidation(HTO) layer from a defect when the HTO layer is formed as an insulating layer after forming a tungsten silicide interconnection. CONSTITUTION: A method for cleaning a semiconductor device comprises the steps of: preparing a substrate on which a tungsten silicide interconnection is formed; and sequentially performing a cleaning process by using HB, thin HF and standard clean 1(SC1) to eliminate polymer formed along the tungsten silicide interconnection.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁半导体器件的方法，以在形成硅化钨互连之后，当形成HTO层作为绝缘层时，防止高温氧化（HTO）层出现缺陷。 构成：用于清洁半导体器件的方法包括以下步骤：制备其上形成硅化钨互连的衬底; 并通过使用HB，薄HF和标准清洁1（SC1）顺序地进行清洁处理，以消除沿硅化钨互连形成的聚合物。

公开(公告)号：KR1020070073501A

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：KR1020060001459

申请日：2006-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임평호 ,  송종국 ,  김태균

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus for cleaning a semiconductor wafer is provided to inject a cleaning solution including vibration and rotation force onto the semiconductor wafer by rotating a nozzle. A semiconductor wafer cleaning apparatus includes a rotation nozzle(127) and a plurality of openings(128). The rotation nozzle is used for injecting a cleaning solution of a rotating state onto a wafer. The openings are formed at a sidewall of the rotation nozzle. The rotation nozzle is rotatably installed at a nozzle body(121) for transferring ultrasonic waves and vibration to the cleaning solution. The cleaning solution including the ultrasonic waves and the vibration is injected through the rotation nozzle onto the wafer.

Abstract translation: 提供了一种用于清洁半导体晶片的装置，通过旋转喷嘴将包括振动和旋转力的清洁溶液注入到半导体晶片上。 半导体晶片清洁装置包括旋转喷嘴（127）和多个开口（128）。 旋转喷嘴用于将旋转状态的清洗液注入到晶片上。 开口形成在旋转喷嘴的侧壁处。 旋转喷嘴可旋转地安装在用于将超声波和振动传递到清洁溶液的喷嘴体（121）处。 包括超声波和振动的清洁溶液通过旋转喷嘴注入到晶片上。

公开(公告)号：KR1020060055775A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：KR1020040094922

申请日：2004-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기환 ,  송종국 ,  박상오 ,  임평호

IPC: H01L21/304

Abstract: 하나의 배스 내에서 멀티프로세스를 진행하는 설비를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 세정 장치는 배스 내에 순수를 분사하기 위하여 상기 배스의 상단부에 설치되어 있는 순수 분사 장치를 포함한다. 본 발명에 따른 세정 방법에서는 배스 내에서 웨이퍼를 화학 처리액으로 화학처리한 후, 배스 내에 순수를 공급하면서 상기 배스 내의 상기 화학 처리액중 적어도 일부를 오버플로우시킨다. 오버플로우 도중에 배스로부터 상기 화학 처리액 및 순수를 완전히 배출시키고, 배관을 통하여 배스 내에 순수를 공급하면서 상기 웨이퍼를 린스한다.
배스, 웨이퍼, 순수 분사 장치, 린스

公开(公告)号：KR100564582B1

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：KR1020030075573

申请日：2003-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기환 ,  송종국 ,  조모현 ,  조성호 ,  이선재 ,  임평호 ,  조동욱

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명에 따른 장치는 피건조 기판의 표면을 처리하기 위한 공정 챔버, 공정 챔버로 건조 증기의 유체 흐름이 가능하도록 커플링된 건조 증기 생성 챔버, 건조 증기 생성 챔버에 커플링되어 상기 건조 증기 생성 챔버로부터 상기 공정 챔버로 상기 건조 증기의 유체 흐름이 일어나도록 하는 캐리어 가스 라인, 상기 공정 챔버로 유체 흐름이 가능하도록 커플링되고 상기 캐리어 가스 라인과 독립적으로 유량이 조절되는 불활성 가스 라인을 포함하여 결함이 발생하지 않는 표면 처리 방법을 실시할 수 있다.
세정, 건조, IPA, DIW, 겔성 결함, 파티클

公开(公告)号：KR1019990017829A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970040886

申请日：1997-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송종국

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 세정공정에 관한 것으로서, 초기 상태일 때의 부피비가 NH
4 OH:H
2 O
2: H
2 O = x:1:5인 표준 세정액 1의 사용수명을 연장시키고 세정공정의 효율을 향상시키며 사용수명이 연장된 세정액의 세정능력을 높이기 위한 것이다. 본 발명에 따른 세정공정에서는 NH
4 OH, H
2 0
2 를 초기 중량%에 대하여 각각 10 -20%/10분, 0.5 - 2%/10분의 비율로 추가 공급하거나 NH
4 OH, H
2 O
2 , H
2 O를 초기 중량%에 대하여 각각 10 -20%/10분, 0.5 - 2%/10분, 0 - 1%/10분의 비율로 추가 공급하면서 세정공정을 진행함으로써 추가 공급이 없는 경우보다 약 6배 더 오래 세정액을 사용할 수 있다. 실험결과 사용 수명 연장된 세정액이 양호한 특성을 보였으며, 세정액을 교체한 다음 10분 내지 30분 정도의 안정화 시간을 거친 후 웨이퍼 세정을 진행하여 안정된 세정공정을 유지할 수 있다.