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公开(公告)号：KR1020160009398A
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020140089897
申请日：2014-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B06B1/0292 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 와이어본딩을이용한정전용량미세가공초음파변환기모듈이개시된다. 개시된모듈은제1면상에복수의제1 전극패드가배치된정전용량미세가공초음파변환기(CMUT) 칩과, 상기 CMUT 칩의상기제1면상에배치되며상기복수의제1 전극패드를노출시키는복수의제1홀들이형성된플렉서블인쇄회로와, 상기복수의제1 전극패드와대응되게상기플렉서블인쇄회로상에형성된복수의제2 전극패드와, 상기 CMUT 칩의상기제1 전극패드와상기플렉서블인쇄회로의상기제2 전극패드를연결시킨와이어를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种使用引线键合的电容微加工超声换能器模块（CMUT）。 所公开的模块包括：CMUT芯片，其在其第一表面上具有多个第一电极焊盘; 柔性印刷电路，布置在CMUT芯片的第一表面上，并且具有多个第一孔，其暴露形成在其中的多个第一电极焊盘; 多个第二电极焊盘，形成在所述柔性印刷电路上，以对应于所述多个第一电极焊盘; 以及将CMUT芯片的第一电极焊盘连接到柔性电路板的第二电极焊盘的多条电线。
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公开(公告)号：KR1020150065474A
公开(公告)日：2015-06-15
申请号：KR1020130150840
申请日：2013-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B06B1/0292 , B81C1/00182 , Y10T29/49005
Abstract: 전기음향변환기및 그제조방법이개시된다. 개시된전기음향변환기는, 제1 트렌치가형성되어있으며, 상기제1 트렌치에의해둘러싸인전극연결부를포함하는도전성기판과, 상기도전성기판상에마련되는멤브레인과, 상기멤브레인상에서상기전극연결부의상면에접촉하도록마련되는상부전극과,상기도전성기판의하면에서상기전극연결부의하면에접촉하도록마련되는제1 전극과, 상기제1 전극과이격되어상기도전성기판의하면에접촉하도록마련되는제2 전극을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种电声换能器及其制造方法。 电声换能器包括：包括第一沟槽的导电衬底和由第一沟槽包围的电极连接部分; 制备在导电基材上的膜; 接触膜上的电极连接部的上侧的上部电极; 第一电极，其接触导电基板的下侧的电极连接部的下侧; 以及与第一电极分离并接触导电基板的下侧的第二电极。
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公开(公告)号：KR1020150057795A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130141587
申请日：2013-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81B7/007 , B06B1/0292 , B81C1/00301
Abstract: 정전용량미세가공초음파변환기및 그제조방법이개시된다. 개시된초음파변환기는각 엘리먼트를복수의제1 부분으로구분하는제1 트렌치와, 상기제1 트렌치와이격되게형성된제2 트렌치를포함하는디바이스기판과, 상기디바이스기판상에서상기각 엘리먼트에대응되는복수의캐버티를한정하는지지대와, 상기지지대상에서상기복수의캐버티를덮는멤브레인과, 상기멤브레인상에서상기멤브레인및 상기지지대를관통하는홀을통해서상기제2 트렌치내의제2 부분과전기적으로연결된상부전극을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种电容微加工超声换能器及其制造方法。 所公开的超声波换能器包括装置基板，其包括将每个元件分成多个第一部分的第一沟槽和与第一沟槽分离的第二沟槽;支撑台，其限定对应于第一沟槽上的每个元件的多个空腔 器件衬底，覆盖支撑架上的空腔的膜，以及通过穿过支撑架和膜的孔与膜上的第二沟槽中的第二部分电连接的顶部电极。
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公开(公告)号：KR101301080B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020080024501
申请日：2008-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0455
Abstract: 본 발명에 따른 삼극 전계방출소자의 제조방법은 다음과 같다. 기판상에 음극, 절연막 및 게이트 금속층을 순차로 형성한다. 게이트 금속층 상에 순차로 적층되는, 제1 개구부를 갖는 제1 레지스트 패턴 및 제1 개구부의 크기보다 작은 제2 개구부를 갖는 제2 레지스트 패턴을 형성한다. 다음으로 제1 레지스트 패턴을 제1 마스크 패턴으로 하여 게이트 금속층 및 절연막을 순차적으로 에칭하여 제1 개구부에 대응하는 제1 및 제2 홀을 각각 갖는 게이트 전극 및 절연층을 형성한다. 제2 레지스트 패턴을 제2 마스크 패턴으로 하여 제1 및 제2 홀을 통해 노출된 음극 상에 촉매층을 형성한다. 제1 및 제2 레지스트 패턴과, 제2 레지스트 패턴상에 형성된 촉매층을 제거한 후에 제2 홀 내의 촉매층 상에 이미터를 형성한다. 이처럼, 제1 및 제2 레지스트 패턴을 이용하는 경우 하나의 마스크로 게이트 전극의 제1 홀과 촉매층의 패턴을 별개로 조절할 수 있으므로, 전계방출소자의 생산효율을 향상시키고 전계방출 특성을 개선할 수 있다.
전계방출소자, 삼극관, 레지스트, 게이트 홀, 촉매층-
公开(公告)号：KR1020130000927A
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：KR1020110061747
申请日：2011-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: Light shielding devices and a method for manufacturing the same are provided to prevent a roll-up blade from being adhered to an insulation layer even though driving for a long term, thereby extending the life time of the light shielding devices. CONSTITUTION: Light shielding devices(100,200,310) comprises a base plate(110), a material layer(120), a roll-up blade(130), and a driving unit(140). The base plate comprises a lower electrode(114) and the material layer is formed on the base plate. The roll-up blade is arranged in a light transmission region(110a) of the base plate to be correspondent and comprises an upper electrode. The driving unit is electrically connected to the upper and lower electrodes. An adhesion preventing structure for preventing the adhesion of the roll-up blade and material layer is equipped. [Reference numerals] (140) Driving unit
Abstract translation: 目的：提供遮光装置及其制造方法，以防止卷起刀片长期粘附到绝缘层上，从而延长遮光装置的使用寿命。 构成：遮光装置（100,200,310）包括基板（110），材料层（120），卷起刀片（130）和驱动单元（140）。 基板包括下电极（114），并且材料层形成在基板上。 卷起叶片布置在基板的透光区域（110a）中，并且包括上电极。 驱动单元电连接到上电极和下电极。 设有用于防止卷起刀片和材料层的粘附的防粘结构。 （附图标记）（140）驱动单元
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090099323A
公开(公告)日：2009-09-22
申请号：KR1020080024501
申请日：2008-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0455 , H01J1/30
Abstract: A method of fabricating a triode-structure field-emission device is provided to increase productivity by controlling the size of gate hole variously with one mask. In a method of fabricating a triode-structure field-emission device, a cathode(20), and an insulating layer, and a gate metal layer are successively formed on the substrate(10). A first resistor pattern(51') having a first opening part(53) and a second resistor pattern(52') having the second opening part(54) smaller than that of a first opening part are formed on the gate metal layer. The gate metal layer and insulating layer are etched successively by using the first resist pattern as the first mask pattern. The gate metal layer is exposed by the first opening of the first resist pattern, and the gate electrode(40') having the first hole(H1) corresponds to the first opening is formed with an exposed part.
Abstract translation: 提供一种制造三极管结构场致发射器件的方法，以通过用一个掩模不同地控制栅极孔的尺寸来提高生产率。 在制造三极管结构场致发射器件的方法中，在衬底（10）上依次形成阴极（20）和绝缘层以及栅极金属层。 在栅极金属层上形成具有第一开口部（53）和第二开口部（54）比第一开口部小的第一开口部（52'）的第一电阻体图案（51'）。 通过使用第一抗蚀剂图案作为第一掩模图案，连续蚀刻栅极金属层和绝缘层。 栅极金属层被第一抗蚀剂图案的第一开口暴露，并且具有与第一开口相对应的第一孔（H1）的栅电极（40'）形成有暴露部分。
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公开(公告)号：KR1020090048186A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR1020070114456
申请日：2007-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H03B28/00 , B44C1/227 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/1903 , H01L2924/00
Abstract: 제1 기판의 어느 한 면에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제1 기판을 식각하여 홀을 형성하는 단계; 제2 기판의 어느 한 면에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제2 기판을 미리 설정된 깊이만큼 식각하여 홀을 형성하는 단계; 상기 제1 기판의 식각된 면이 상기 제2 기판의 식각된 면에 접합되도록 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하는 단계; 상기 제2 기판에 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제3 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제2 기판을 식각하여, 상기 제2 기판을 관통하는 홀을 형성하는 단계를 포함하는 다단계 기판 식각 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다단계 기판 식각 방법을 사용하면, 식각 후 바닥면에 곡률 반경이 생기거나 단차면에서 오버행(overhang) 구조가 생성되는 것을 방지할 수 있어 식각 품질을 개선할 수 있고, 각 기판에 위치한 얼라인 키를 사용하여 기판을 정교하게 접합할 수 있으며, 다층(multi-layer) 공정이 가능한 이점이 있다.
식각, 발진기, 테라헤르츠, 공융-
公开(公告)号：KR1020070020984A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050075424
申请日：2005-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28158 , H01L21/76897 , H01L29/1037 , H01L29/4236 , H01L29/66621
Abstract: 리세스된 게이트 전극을 갖는 모스 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 모스 트랜지스터는 반도체기판을 가로지르는 채널트렌치를 구비한다. 상기 채널트렌치를 부분적으로 채우는 하부 게이트 패턴이 제공된다. 상기 하부 게이트 패턴 상에 상부 게이트 패턴이 배치된다. 상기 상부 게이트 패턴은 상기 채널트렌치의 중심축과 일치하지 않는 중심축을 갖고 상기 채널트렌치의 폭보다 작은 폭을 갖는다. 상기 상부 게이트 패턴의 하측부에 상기 하부 게이트 패턴의 일부를 노출하는 서브트렌치가 배치된다. 상기 서브트렌치 내에 상기 상부 게이트 패턴의 일 측벽을 덮는 게이트 스페이서가 배치된다. 상기 게이트 스페이서 하측부에 절연패턴이 배치된다. 상기 절연패턴은 상기 노출된 하부 게이트 패턴을 덮는다. 상기 리세스된 게이트 전극을 갖는 모스 트랜지스터의 제조방법 또한 제공된다.
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公开(公告)号：KR100615711B1
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020050006771
申请日：2005-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/56
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02047 , H03H9/588 , H03H2003/023
Abstract: 개시된 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 제조방법은 기판상에 멤브레인층을 형성하는 단계; 멤브레인층의 상면에 복수의 공진기를 형성하는 단계; 기판의 하면에 마스크층을 증착한 후 복수개의 메인윈도우 및 서브 윈도우를 패터닝하는 단계; 및 메인윈도우 및 서브윈도우를 따라 기판에 캐비티를 형성함과 아울러서 캐비티 영역에 멤브레인층으로부터 소정간격 떨어지게 서브월을 건식식각에 의해 형성하는 단계;를 포함한다. 서브월이 멤브레인층으로부터 소정 간격 떨어지게 형성되는 것은 건식식각에 의해 발생된 이온이 유전체인 멤브레인층으로부터 반사되어 서브월이 식각되는 현상(노치현상)을 이용한다. 이러한 구성을 통해 서로 다른 크기를 갖는 캐비티를 동시에 식각하더라도 원하는 사이즈로 정확하게 식각하고, 노치현상이 발생되는 영역을 줄일 수 있게 됨에 따라 각 캐비티간의 간격을 줄이게 되어 전체 사이즈를 축소함과 아울러서, 각 공진기를 연결하는 배선길이를 줄일 수 있는 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020060087848A
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1020050008706
申请日：2005-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A film bulk acoustic resonator (FBAR) including a substrate (110) having an etched air gap (111) therethrough; a resonance part (141) having a first electrode (141), a piezoelectric film (143) and a second electrode (145) which are laminated in turn above the air gap; and an etching resistance layer disposed between the air gap and the resonance part to limit an etching depth in forming the air gap, thereby preventing damage to the resonance part (140).
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