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公开(公告)号：KR100750914B1
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：KR1020000043506
申请日：2000-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정창오
IPC: G02F1/1343
Abstract: 먼저, 알루미늄 계열의 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막, 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 알루미늄 계열의 도전 물질을 포함하는 금속을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드 표면의 반응층을 각각 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이어 비정질 ITO 및 IZO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 전기적으로 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
비정질ITO, IZO, 크롬식각액, 알루미늄식각액-
公开(公告)号：KR1020070053487A
公开(公告)日：2007-05-25
申请号：KR1020050111320
申请日：2005-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F2001/13625 , H01L27/1288
Abstract: 표시기판의 품질과 제조 공정의 생산성을 향상시키는 표시기판의 제조 방법이 개시된다. 표시기판의 제조 방법은 베이스 기판 위에 형성된 제1 포토레지스트 패턴이 제공하는 게이트 패턴 영역에 전해도금(electroplating)방식으로 구리를 도금하여 다층 구조의 게이트 패턴을 형성하는 단계와, 게이트 패턴 위에 소스 패턴을 형성하는 단계와, 소스 패턴이 형성된 베이스 기판 위에 투명 도전층을 형성하는 단계와, 투명 도전층을 식각하여 드레인 전극과 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 표시기판의 응답속도가 향상되고 구리층의 습식식각공정이 생략되어 표시기판의 제조 공정의 생산성이 향상된다.
구리, 게이트, 전해도금, 패턴, 습식식각-
公开(公告)号：KR1020070053472A
公开(公告)日：2007-05-25
申请号：KR1020050111290
申请日：2005-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/13458 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/1288
Abstract: 작동의 신뢰성이 향상된 표시기판 및 이의 제조 방법이 개시된다. 표시기판은 베이스 기판, 베이스 기판 위에 알루미늄층과 알루미늄층 위에 산화알루미늄층 및 산화알루미늄층 위에 실링층을 포함하는 다층 구조로 형성된 게이트 배선, 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하며 소스 금속층으로 형성된 소스 배선, 다층 구조의 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극과 소스 배선으로부터 연장된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자 및 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 포함한다. 따라서, 게이트 배선 및 게이트 전극에 힐락의 발생이 억제되어 표시기판의 작동의 신뢰성이 향상된다.
양극 산화, 게이트 배선, 힐락, 알루미늄, 산화알루미늄-
公开(公告)号：KR1020070019454A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050074449
申请日：2005-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1262 , G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 기판 상에 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 박막 트랜지스터 상에 보호막을 형성하는 단계와, 보호막 상에 박막 트랜지스터 영역에 위치하는 제1 영역 및 화소 영역에 위치하고 제1 영역보다 두께가 얇은 제2 영역을 포함하며, 컨택홀을 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 보호막에 컨택홀을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴의 제2 영역을 선택적으로 제거하는 단계와, 결과물의 전면에 도전성 산화물을 증착하여, 컨택홀을 통하여 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계 및 제2 영역이 제거된 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴 상에 존재하는 도전성 산� ��막을 포토레지스트 스트리퍼를 이용하여 제거하는 단계를 포함하되, 도전성 산화물을 증착하기 전 및/또는 후에 제2 영역이 제거된 포토레지스트 패턴을 열처리하는 단계를 포함한다.
박막 트랜지스터, 리프트 오프법, 액정 표시 장치-
公开(公告)号：KR1020070017818A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072425
申请日：2005-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1368 , H01L27/1218 , H01L27/1262
Abstract: 힐락 현상을 방지할 수 있는 배선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 배선 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판은 기판 상에 형성된 게이트 배선과, 게이트 배선 상에 형성된 투명 산화막 재질의 캡핑층을 구비하는 배선 구조를 포함한다.
박막 트랜지스터, 캡핑, 힐락(hillock)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100623982B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1019990028823
申请日：1999-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 절연 기판 위에 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계, 게이트 배선 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 데이터 금속층을 차례로 적층하는 단계, 데이터 금속층을 패터닝하여 소스 및 드레인 전극과 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계, 데이터 배선 위에 보호막을 적층하는 단계, 보호막과 함께 반도체층 및 게이트 절연막을 패터닝하여 게이트 패드를 노출시키는 제1 접촉구를 가지는 게이트 절연막 패턴을 형성하고, 데이터 패드를 노출시키는 제2 접촉구와 드레인 전극과 그 주변의 게이트 절연막을 노출시키는 제3 접촉구를 가지는 보호막 패턴을 형성하며, 제3 접촉구를 통하여 그 하부의 게이트 절연막을 노출시키는 개구부를 가지는 반도체층 패턴을 형성하는 단계, 보호막 위에 제3 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 과정을 통하여 박막 트랜지스터 기판을 제조한다. 이를 통하여 드레인 전극 주변에 공동이 생기는 것을 방지하고, 이를 통해 화소 전극과 드레인 전극간의 전기적 접촉을 좋게 할 수 있다.
액정표시장치, 박막트랜지스터, 접촉구, 마스크, 감광막-
公开(公告)号：KR1020060053505A
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020040093887
申请日：2004-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 본 발명은, 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하고 있는 드레인 전극 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 게이트선과 상기 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 도전성 산화막으로 이루어진 제1 도전층 및 구리를 포함하는 제2 도전층을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.
게이트선, 데이터선, 구리(Cu), 비저항, 도전성 산화막-
公开(公告)号：KR1020060021074A
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020040069894
申请日：2004-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133615 , G02F1/133308 , G02F2001/133317 , G02F2201/46
Abstract: 본 발명은, 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 화상을 형성하는 액정 패널과; 상기 액정 패널의 배면에 배치된 도광 유닛과; 상기 도광 유닛의 적어도 일측에 배치된 램프부와, 상기 램프부의 단부에 형성된 전극부를 갖는 램프 유닛과; 상기 전극부에 연결되어 상기 램프 유닛에 전력을 공급하기 위한 와이어와; 상기 와이어를 수용하는 그루브와, 상기 전극부에 인접하게 마련되어 상기 그루브 내에 상기 와이어를 고정하는 고정부를 갖는 몰드 프레임을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 램프 유닛에 전력을 공급하기 위한 와이어를 보다 안정적으로 고정시켜 램프 유닛과 와이어가 접속된 부분의 단락을 방지할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020060020883A
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020040069588
申请日：2004-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/13439 , G02F2001/136295
Abstract: 액정 표시 장치의 배선 제조 방법이 제공된다. 액정 표시 장치의 배선 제조 방법은, 먼저, 배선 형태의 프레임 구조를 갖는 몰드 프레임을 마련한다. 다음, 기판 상면에 몰드 프레임을 위치시키고, 몰드 프레임 내에 금속 슬러리를 주입한다. 이어, 결과물에 열을 가하여 상기 배선을 형성한다. 여기서, 몰드 프레임은, 상부에 슬러리 주입부가 형성되고 슬러리 주입부와 이어지며 하부에는 상기 배선 형태의 프레임 구조를 갖는 것이 바람직하다. 이때, 상기 배선의 표면을 전해 연마 방법을 사용하여 평탄화하는 단계를 더 수행하는 것이 바람직하다.
배선, 몰드 프레임, 금속 슬러리, 전해 연마-
公开(公告)号：KR1020050023574A
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020030059906
申请日：2003-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to increase an availability using selectively a single body type target or a divided body type target by an on/off switch. CONSTITUTION: A target is divided into plural numbers. An electric power is separately supplied from a power source to a cathode. A backing plate is electrically connected with the cathode. A target is mounted to the backing plate. Divided cathodes are electrically connected or disconnected each other by an on/off operation of a switch. The backing plate and the target are respectively formed with a single body type.
Abstract translation: 目的：提供溅射装置，以通过开/关开关选择性地增加单体型靶或分体型靶的可用性。 构成：目标被分成多个数字。 从电源向阴极分别供给电力。 背板与阴极电连接。 靶材安装在背板上。 分开的阴极通过开关的开/关操作电连接或断开。 背板和靶分别形成单体型。
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