公开(公告)号：KR100617837B1

公开(公告)日：2006-08-28

申请号：KR1020030041193

申请日：2003-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모 ,  김세윤 ,  김경염

IPC: G02B6/28

CPC classification number: H04B10/40

Abstract: 본 발명은 광신호 송신측과 수신측에서의 크로스-토크(cross-talk)를 최소화하기 위한 브래그 회절격자를 구비한 광분파기 및 이를 이용한 광통신 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 브래그 회절격자를 구비한 광분파기는 모드 커플링을 위해 소정 구간에서 인접하게 배치된 제1, 제2 도파로를 구비하여 상기 제1 도파로의 일측 단부를 통해 입력된 광신호를 상기 제2 도파로를 통해 수광소자로 전송하고, 상기 제1 도파로의 타측단부를 통해 입력된 발신광을 상기 제1 도파로의 일측 단부를 통해 출력하는 도파로를 이용한 광분파기에 있어서, 상기 광신호의 수신 파장을 거의 100% 투과하고, 상기 발신광의 파장은 거의 100% 반사하여 크로스-토크(cross-talk)를 최소화하도록 상기 제 2 도파로 위에 형성된 파장선택성을 가지며 자외선(UV) 레이저에 의해 형성된 제1 브래그 회절격자를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
광분파기, 방향성 커플러, 크로스-토크, 브래그 회절격자

公开(公告)号：KR100601959B1

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1020040059399

申请日：2004-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신상민 ,  김석필 ,  박영수 ,  이정현 ,  구준모

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

Abstract: 본 발명은 Ir-Ru 합금 전극 및 이를 하부 전극으로 사용한 강유전체 캐패시터에 관한 것이다. 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 강유전체층 및 상기 강유전체층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 강유전체 캐패시터에 있어서, 상기 하부 전극은, 상온에서 Ir 및 Ru가 다상인 형태이며, 바람직하게는 Ir : Ru 조성비(at% 비)가 70:30 내지 30:70의 사이 범위인 Ir-Ru 다상 합금을 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공하여, 강유전체층의 표면 거칠기를 감소시키고, 캐패시터의 피로 특성, 누설 전류 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100590536B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020040004681

申请日：2004-01-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신상민 ,  구준모 ,  김석필 ,  조중래

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 반도체 장치의 커패시터, 이를 포함하는 메모리 소자 및 커패시터 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 귀금속 합금 또는 그 산화물로된 단층의 하부전극, 상기 하부전극 상에 구비된 유전막 및 상기 유전막 상에 구비된 상부전극을 포함하되,상기 하부전극은 귀금속층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터 및 그 제조 방법을 제공하고, 상기 커패시터를 포함하는 메모리 소자도 제공한다.

公开(公告)号：KR1020060048987A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050070076

申请日：2005-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모 ,  박영수 ,  신상민 ,  김석필

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 본 발명은 강유전체 캐패시터, 그 제조 방법 및 강유전체 메모리 소자에 관한 것이다. 강유전체 캐패시터에 있어서, Ir 또는 Ru 중 어느 하나인 제 1금속 및 제 2금속을 포함하는 화합물로 형성된 제 1전극층; 상기 제 1전극층 상에 형성된 강유전체층; 및 상기 강유전체층 상에 형성된 제 2전극층;을 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공한다. 이에 따라 별도의 산화 방지막 등이 필요 없으며, 내산화성을 향상시킬 수 있고, 단순한 구조를 지니며, 경제적으로 우수한 합금 전극 및 이를 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공할 수 있다.