-
公开(公告)号：KR100723021B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020060055538
申请日：2006-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 나노 임프린트용 마스터 및 그 제작방법에 관한 것이다. 본 발명은 쿼츠(quartz) 기판에 전도성 금속 이온을 임플란트(implant)하여 상기 쿼츠 기판 내부에 전도층을 형성하는 단계; 전도층이 형성된 상기 쿼츠 기판 위에 레지스트(resist)를 코팅하여 레지스트 코팅층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 코팅층을 전자빔에 노출시켜 미세패턴을 형성하는 단계; 미세패턴이 형성된 상기 레지스트 코팅층을 마스크(mask)로 하여 상기 쿼츠 기판을 에칭(etching)하는 단계; 및 상기 레지스트 코팅층을 제거하여 미세패턴이 형성된 마스터(master)를 얻는 단계;를 포함하는 나노 임프린트용 마스터 제작방법을 제공한다. 이와 같은 본 발명의 나노 임프린트용 마스터 및 그 제작방법에 의하면, 금속 이온을 쿼츠 기판 내부 또는 산화막 내부에 임플란트하여 전도층을 표피심도(skin depth) 이하의 두께로 형성하거나 쿼츠 기판 위에 금속 박막을 표피심도의 두께로 형성시킨 후 금속 박막 위에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 형성시킴으로써, 금속 전도층을 제거하는 공정단계를 거칠 필요가 없어 마스터 제작시 시간 및 비용을 대폭 절감할 수 있다.
나노 임프린트, 쿼츠 기판, 전도층, 이온 임플란트, 산화실리콘, 질화실리 콘, 드라이에칭Abstract translation: 纳米压印用原盘及其制造方法技术领域本发明涉及纳米压印用原盘及其制造方法。 本发明提供了一种制造石英衬底的方法，包括：通过在石英衬底上注入导电金属离子在石英衬底中形成导电层; 通过在其上形成有导电层的石英基板上涂布抗蚀剂来形成抗蚀剂涂层; 将抗蚀剂涂层暴露于电子束以形成精细图案; 将形成有微细图案的抗蚀剂涂层作为掩模蚀刻石英基板; 本发明还提供了一种用于制造纳米压印用原版的方法。 因此，根据相同的纳米压印母板和本发明的制造方法中，在皮肤上的导电层的深度，以在植入物内或氧化物层（集肤深度）石英衬底内的金属离子表皮窗体上的金属薄膜，或石英衬底的厚度小于 在厚度形成为深度之后，通过在金属薄膜上形成氧化硅膜或氮化硅膜，不需要执行去除金属导电层的工艺步骤。
-
公开(公告)号：KR100707207B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050126099
申请日：2005-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/14
Abstract: A method of fabricating a micro actuator is provided including a media stage having a media loading surface and a coil for driving the media stage, formed on the opposite surface of the media stage to the media loading surface. The method includes forming a groove on a first surface of a first substrate, forming a coil on a first surface of a second substrate, bonding the first surface of the first substrate to the first surface of the second substrate, and forming the media loading surface on a second surface of the second substrate, which is opposite the first surface of the second substrate.
Abstract translation: 提供了一种制造微致动器的方法，该方法包括具有介质载入表面和用于驱动介质台的线圈的介质台，其形成在介质台的与介质载入表面相反的表面上。 该方法包括在第一基板的第一表面上形成凹槽，在第二基板的第一表面上形成线圈，将第一基板的第一表面结合到第二基板的第一表面，并且形成介质装载表面 在与第二基板的第一表面相对的第二基板的第二表面上。
-
公开(公告)号：KR100695165B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020050107647
申请日：2005-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An information storage device with a micro gear is provided to prevent a backlash from occurring even while the gear is used, and to drive the gear with a piezo unit without using an electromagnetic motor, thus precise movement of an information storage medium is available while a compact-sized information storage device is realized. A recording medium(40) is disposed on a stage(30), and consists of plural recording areas. A probe array(50) has probes corresponding to the recording areas. A lower substrate(20) is separated from the stage(30) in a lower direction. X-axis actuators(100) drive the stage(30) in an x-axis direction by being disposed between the stage(30) and the lower substrate(100). Y-axis actuators drive the stage(30) in an y -axis direction. Each actuator comprises as follows. The first piezo units(110) move the medium(40) in a horizontal direction at the first distance. The first gears(120) are installed on the piezo units(110). The second gears(130) are engaged with the first gears(120) on the second substrate(20). The second piezo units(140) move the second gears(130) in a vertical direction by being disposed between the second gears(130) and the lower substrate(20).
Abstract translation: 提供一种具有微型齿轮的信息存储装置，以防止即使在使用齿轮时也发生齿隙，并且在不使用电磁电机的情况下用压电单元驱动齿轮，因此信息存储介质的精确移动可用于 实现了紧凑型信息存储设备。 记录介质（40）设置在平台（30）上，由多个记录区域构成。 探针阵列（50）具有对应于记录区域的探针。 下基板（20）沿着下方与台子（30）分离。 X轴致动器（100）通过设置在台（30）和下基板（100）之间沿x轴方向驱动台（30）。 Y轴致动器沿y轴方向驱动工作台（30）。 每个致动器包括如下。 第一压电单元（110）在第一距离处沿水平方向移动介质（40）。 第一齿轮（120）安装在压电单元（110）上。 第二齿轮（130）与第二基板（20）上的第一齿轮（120）啮合。 第二压电单元（140）通过设置在第二齿轮（130）和下基板（20）之间而沿垂直方向移动第二齿轮（130）。
-
公开(公告)号：KR1020070020682A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050074849
申请日：2005-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , Y10S977/861
Abstract: 저단면비의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저단면비의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 및 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버;를 구비하며, 상기 저항성 팁의 높이는 상기 저항성 팁의 반경 보다 작은 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
Abstract translation: 公开了具有低纵横比的电阻性尖端的半导体探针及其制造方法。 具有低横截面比的电阻性尖端的半导体探针的特征在于：掺杂第一杂质，在顶点形成其中具有与第一杂质不同极性的第二杂质轻度掺杂的电阻区， 一种电阻性尖端，其具有以高浓度掺杂有第二杂质的第一和第二半导体电极区域; 以及其中电阻性尖端位于远端处的悬臂，其中电阻性尖端的高度小于电阻性尖端的半径。 这改善了半导体探测器的空间分辨率。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100612867B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020040088163
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11C11/22
Abstract: 탐침 어레이를 가지는 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 저항성 메모리 소자 제조 방법은, 제1기판 상에 바닥 전극 및 강유전층을 순차적으로 형성하고, 제2기판 상에 데이터 기록 및 재생을 위한 저항성 탐침들의 어레이를 형성하는 과정을 포함한다. 탐침의 팁 부분이 강유전층의 표면에 대향되게 제1기판을 제2기판에 폴리머층을 포함하는 결합층을 이용하여 웨이퍼 수준 결합(wafer level bonding)시키는 과정을 포함한다.
저항성 탐침, 유전 분극, 도메인, 도핑, 공핍층-
公开(公告)号：KR1020060090487A
公开(公告)日：2006-08-11
申请号：KR1020050011410
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법이 개시된다.
개시되는 본 발명에 따른 강유전체 기록 매체는 극성 반전(polarization reversal)이 이루어지는 소정의 강제 전압(coercive voltage)을 가지는 강유전체층(ferroelectric layer); 상기 강유전체층 위에 형성되는 것으로, 상기 강제 전압보다 낮은 전압인 제 1 전압에서 저항이 작아지고, 상기 강제 전압보다 높은 전압인 제 2 전압에서 저항이 커지는 비휘발성의 이방성 전도층(anisotropic conduction layer);을 구비하고, 상기 강유전체층의 분극 상태와 상기 이방성 전도층의 저항 상태의 조합에 의해 다중 비트의 정보를 저장하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법에 의하면, 강유전체 기록 매체의 하나의 도메인에서도 다중 비트를 구현할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020060084739A
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1020050005535
申请日：2005-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침이 개시된다. 개시된 수직 PN 접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침은, 기판의 일측에서 연장된 캔티레버의 자유단에 형성된 팁과, 상기 캔티레버의 일면 상에 형성되어서 상기 캔티레버의 수직변형에 따라 저항이 변하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한다. 상기 PN접합 압전저항센서는: 상기 캔티레버의 일면에서 상기 캔티레버의 길이방향으로 n형불순물로 도핑된 n형 영역과, 상기 n형 영역의 표면에서 p형 불순물로 도핑된 p형 영역으로 이루어진 PN 접합구조를 구비한다.
-
公开(公告)号：KR1020060082509A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020050002888
申请日：2005-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R3/00 , G01R1/07307 , H01L22/30
Abstract: 멀티 팁 프로브 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 지지체와, 상기 지지체에 일단이 연결된 캔틸레버와, 상기 캔틸레버의 타단에 형성된 적어도 두 개의 팁을 포함하는 멀티 팁 프로브에 있어서, 상기 캔틸레버는 주어진 간격으로 이격되어 독립된 제1 및 제2 캔틸레버를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 팁 프로브와 그 제조 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020060022411A
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020040071221
申请日：2004-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: Provided are a semiconductor probe with a resistive tip, and a method of fabricating the semiconductor probe. The method includes forming a stripe-shaped mask layer on a substrate doped with a first impurity, and forming first and second electrode regions by heavily doping portions of the substrate not covered by the mask layer with a second impurity opposite in polarity to the first impurity; annealing the substrate to decrease a gap between the first and second semiconductor electrode regions, and forming resistive regions lightly doped with the second impurity at portions contiguous with the first and second semiconductor electrode regions; forming a stripe-shaped first photoresist orthogonal to the mask layer, and etching the mask layer such that the mask layer has a square shape; forming a second photoresist on the substrate to cover a portion of the first photoresist and define a cantilever region; forming the cantilever region by etching portions not covered by the first and second photoresists; and removing the first and second photoresists, and forming a resistive tip having a semi-quadrangular pyramidal shape by etching portions of the substrate not covered by the mask layer.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.028 seconds)
