Abstract:
교류신호전달동작을 ON/OFF 제어하는 멤스 RF-스위치가 개시된다. 본 멤스 RF-스위치는, 외부 전원의 일단자와 연결된 제1전극, 제1전극의 상부표면에 결합하며, 전원으로부터 바이어스 신호가 인가되면 전위배리어(barrier)를 형성하여 절연성을 띄게 되는 반도체층, 및 반도체층과 일정거리 이격된 위치에 제작되며, 전원의 타단자와 연결되어 전원으로부터 바이어스 신호가 인가되면 반도체층과 접촉하는 제2전극을 포함한다. 이에 따라, 바이어스 신호가 인가된 후 끊어지더라도 반도체층 내부에서 전자 및 정공의 재결합으로 인해 전하 축적 현상 및 이로 인한 스티킹 현상 등이 사라지게 된다. 멤스, 반도체, PN-정션 다이오드, 전위배리어
Abstract:
An RF MEMS switch is provided to easily detach the switch from a contact surface by differently setting the rigidity of spring elements positioned at left/right sides of a membrane. An RF MEMS(Micro Electro Mechanical System) switch includes support members positioned on a substrate, membranes positioned on both sides of the support members and suspended by spring elements(340a,340b), and a lower electrode formed on an upper surface of the substrate at a position corresponding to the membrane. The spring element positioned on the both sides of the membrane has asymmetric rigidity. When the RF MEMS switch is off, the membrane corresponding to the spring element with higher rigidity is firstly detached from a contact surface.
Abstract:
An integrated filter comprising an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) and a SAW(Surface Acoustic Wave) resonator and a method for fabricating the same are provided to reduce the size and to improve the yield by integrating the FBAR and the SAW resonator into one substrate. An integrated filter comprising an FBAR and an SAW resonator comprises a substrate(110), a first electrode(120), a first piezoelectric layer(130), a second electrode(150), a second piezoelectric layer(140) and an inter digital transducer(IDT) electrode. The first electrode(120) is located at a predetermined first area of the top surface of the substrate(110). The first piezoelectric layer(130) is located on the first electrode(120). The second electrode(150) is located on the first piezoelectric layer(130). The second piezoelectric layer(140) is located at a predetermined second area of the top surface of the substrate(110). The IDT electrode is located on the second piezoelectric layer(140). The IDT electrode includes a first IDT electrode(160) with a comb structure and a second IDT electrode(170) with the comb structure engaged with the first IDT electrode(160).
Abstract:
PURPOSE: A device having an inductor and a capacitor and its fabricating method are provided to utilize the space to the maximum extent by forming a stacked structure of an inductor and a capacitor on a substrate. CONSTITUTION: A device having an inductor and a capacitor includes a substrate(100), a support layer(120), an inductor(L), and a capacitor(C). The support layer(120) is formed on the substrate(100). The inductor(L) is formed on one of an upper portion and a lower portion of the support layer(120). The capacitor(C) is formed on the other one of the upper portion and the lower portion of the support layer(120). The support layer(120) is formed with a low dielectric. The support layer(120) is supported by the substrate(100) in order to expose the inductor(L) and the capacitor(C) to the atmosphere.
Abstract:
본 발명은 폐 폴리우레탄 발포체의 효율적인 재생방법을 제공하고, 이 방법은 (1) 폐 폴리우레탄 발포체를 분쇄하여 분말을 얻는 단계; (2) 상기 (1)에서 얻어진 폐 폴리우레탄 발포체 분말 100 중량부에 대하여 15 내지 100 중량부의 글리콜 및 0.01 내지 10 중량부의 특정 촉매를 냉각기가 부착된 반응기에 투입시키는 단계; (3)질소 분위기 하에서 120℃ 내지 300℃의 반응온도로 30분 내지 15시간 동안 반응시켜 재생 폴리올을 생산하는 단계; (4) 재생 폴리올에 포함된 불순물을 제거하는 단계; (5) 상기 단계 (4)에서 얻은 불순물-제거 재생 폴리올을 순 폴리올과 재생 폴리올과의 혼합물 총중량에 대해 10 - 30 중량%의 양으로 혼합하여 혼합 폴리올을 수득하는 단계; 및 (6) 상기 단계 (5)의 혼합 폴리올을 디이소시아네이트와 반응시켜 폴리우레탄 발포체를 얻는 단계를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 폴리우레탄 발포체는 순 폴리올로만 제조된 폴리우레탄 발포체에 비해 단열 특성 및 치수 안정성이 우수한 장점을 갖는다.