公开(公告)号：KR1020070049119A

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：KR1020070024322

申请日：2007-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호 ,  이광기 ,  변성욱 ,  아담스,글렌에이. ,  정운교

IPC: H04N21/431 ,  H04N21/47

CPC classification number: G09G5/14 ,  G09G2340/0407 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2340/10 ,  G09G2340/12 ,  G09G2340/125 ,  H04N5/445 ,  H04N5/44591 ,  H04N5/45 ,  H04N21/4312 ,  H04N21/4314 ,  H04N21/4316 ,  H04N21/443 ,  H04N21/4622

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 다중 스크린을 제공하는 시스템은, 디스플레이 화면 상에서 적어도 하나의 서비스를 제공하기 위한 복수의 스크린 설정을 제공하는 시스템으로서, 상기 디스플레이 화면 상에서 적어도 하나의 서비스를 출력하는 출력 스크린과, 백그라운드 스틸 이미지, 비디오 래스터 및 그래픽 래스터를 포함하며, 상기 디스플레이 화면에 디스플레이되지 않는 가상의 스크린인 논리 메인 스크린과, 상기 출력 스크린의 제1 임의 영역에 상기 논리 메인 스크린의 위치를 할당하는 제1 매퍼와, 비디오 래스터를 포함하며, 상기 디스플레이 화면에 디스플레이 되지 않는 가상의 스크린인 제1 논리 PiP 스크린과, 상기 출력 스크린의 제2 임의 영역에 상기 제1 논리 PiP 스크린의 위치를 할당하는 제2 매퍼와, 상기 출력 스크린 상에 적어도 하나의 부� �목 및 다양한 함수들을 디스플레이하는 오버레이 스크린을 포함한다.
출력 스크린, 논리 메인 스크린, 논리 PiP 스크린, 논리 PoP 스크린, 오버레이 스크린

公开(公告)号：KR1020070017013A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：KR1020060073121

申请日：2006-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호 ,  이광기 ,  정운교 ,  아담스,글렌에이.

IPC: H04N21/47 ,  H04N21/431 ,  H04N5/60

CPC classification number: H04N21/4316 ,  H04N21/4852

Abstract: 본 발명은 다중 스크린 제공 장치 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시에 따른 다중 스크린 제공 장치는 복수의 서비스를 표현하는 서비스 처리 모듈과, 상기 복수의 서비스로부터 오디오 컨텐츠가 독립적으로 선택되는 사용자/어플리케이션 인터페이스 모듈 및 상기 선택된 오디오 컨텐츠를 출력하는 출력 모듈을 포함한다.
다중 스크린, 논리 스크린, 출력 스크린, 서비스, OCAP

Abstract translation: 用户/应用本发明，在多屏幕提供装置根据来自业务处理模块的本发明的实施例，并表示多个服务的多个服务的所述音频内容独立选择涉及一种多屏幕提供设备和方法 接口模块和用于输出所选音频内容的输出模块。

公开(公告)号：KR1020070017011A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：KR1020060073118

申请日：2006-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호 ,  이광기 ,  정운교 ,  아담스,글렌에이.

IPC: H04N21/40 ,  H04N21/431

CPC classification number: H04N21/4316 ,  H04N21/4858

Abstract: 본 발명은 다중 스크린을 제공하는 장치 및 상기 다중 스크린을 동적으로 구성하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시에 따른 다중 스크린 제공 장치는 소정의 서비스를 표현하기 위한 스크린을 생성하는 스크린 생성 모듈, 및 상기 서비스를 상기 생성된 스크린에 연결하는 서비스 셀렉션 모듈을 포함한다.
다중 스크린, 논리 스크린, 출력 스크린, 서비스, OCAP

公开(公告)号：KR1020070017009A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：KR1020060073116

申请日：2006-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호 ,  이광기 ,  정운교 ,  아담스,글렌에이.

IPC: H04N21/40 ,  H04N21/431

CPC classification number: H04N21/4316 ,  H04N21/4858 ,  H04N21/488

Abstract: 본 발명은 다중 스크린을 제공하는 장치 및 상기 다중 스크린의 동적 구성 방법에 관한 것으로서, 물리적인 디스플레이 화면에 복수 개의 컨텐츠를 제공하는 다수의 스크린을 동적으로 구성하여 시스템에 존재하는 스크린들의 형태 및 연결 관계를 재구성하는 다중 스크린을 제공하는 장치 및 상기 다중 스크린의 동적 구성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 다중 스크린을 제공하는 장치는 수신된 서비스를 표현하기 위한 적어도 하나 이상의 스크린을 생성하는 동작 모듈 및 상기 스크린의 설정 변화를 감지하는 설정 모듈을 포함한다.
다중 스크린, 논리 스크린, 출력 스크린, 어플리케이션, 설정

Abstract translation: 本发明涉及一种用于提供多个屏幕的设备和一种用于动态配置多个屏幕的方法，其动态地构建用于在物理显示屏幕上提供多个内容的多个屏幕， 还有一种用于动态配置多个屏幕的方法。

公开(公告)号：KR1020070017008A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：KR1020060073115

申请日：2006-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호 ,  이광기 ,  정운교 ,  아담스,글렌에이.

IPC: H04N21/40 ,  H04N21/431

CPC classification number: H04N21/4316 ,  H04N21/4858 ,  H04N21/488

Abstract: 본 발명은 다중 스크린을 제공하는 장치 및 상기 다중 스크린의 동적 구성 방법에 관한 것으로서, 물리적인 디스플레이 화면에 복수 개의 서비스를 표현하는 다수의 스크린을 동적으로 구성하기 위하여 장치에 존재하는 스크린들의 형태 및 연결 관계를 검색(discovery)하는 다중 스크린을 제공하는 장치 및 상기 다중 스크린의 동적 구성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 다중 스크린을 제공하는 장치는 수신된 서비스를 표현하기 위한 적어도 하나 이상의 스크린을 생성하는 동작 모듈 및 상기 스크린 중 상기 서비스에 포함된 소정의 어플리케이션이 실행되는 스크린을 검색하는 검색 모듈을 포함한다.
다중 스크린, 논리 스크린, 출력 스크린, 어플리케이션, 검색

公开(公告)号：KR1020070002864A

公开(公告)日：2007-01-05

申请号：KR1020050058559

申请日：2005-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김민주 ,  이종호 ,  한성기 ,  정형석

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: A semiconductor device with an CMOS transistor and a manufacturing method thereof are provided to obtain optimum Vt values from NMOS and PMOS transistors using an improved gate electrode including a predetermined metal alloy layer. A semiconductor device includes a CMOS transistor which is composed of a first MOS transistor with a first channel of a first conductive type and a second MOS transistor with a second channel of a second conductive type. The first MOS transistor(110) is composed of a first gate insulating layer(112) and a gate electrode. The gate electrode includes a first metal alloy layer(118) composed of a first metal(114) and a second metal(116).

Abstract translation: 提供具有CMOS晶体管的半导体器件及其制造方法，以使用包括预定金属合金层的改进的栅电极从NMOS和PMOS晶体管获得最佳Vt值。 半导体器件包括由具有第一导电类型的第一沟道的第一MOS晶体管和具有第二导电类型的第二沟道的第二MOS晶体管构成的CMOS晶体管。 第一MOS晶体管（110）由第一栅极绝缘层（112）和栅极电极构成。 栅电极包括由第一金属（114）和第二金属（116）构成的第一金属合金层（118）。

公开(公告)号：KR100664962B1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：KR1020050090588

申请日：2005-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류희섭 ,  이종호 ,  배수현 ,  권순주

IPC: H04B1/40

CPC classification number: G01C21/3617

Abstract: An apparatus and a method for searching a place name according to an individual movement pattern are provided to enhance user understanding on the name of a place corresponding to a certain location of the user by differentiating a search precision of each name of places according to the number of times the user visits there. A location measurement unit(110) measures a location of a user. A location attribute determining unit(120) determines an attribute of the measured location. A place name searching unit(130) searches the name of a place corresponding to the measured location according to the determined attribute. A place name output unit(140) outputs the searched name of the place to the user.

Abstract translation: 提供了一种根据个人移动模式搜索地名的装置和方法，以通过根据数字区分每个名称的搜索精度来增强用户对与用户的某个位置相对应的地点的名称的理解 的用户访问次数。 位置测量单元（110）测量用户的位置。 位置属性确定单元（120）确定测量位置的属性。 地名搜索单元（130）根据确定的属性来搜索与测量位置相对应的地点的名称。 地名输出单元（140）将所搜索的地点的名称输出给用户。

公开(公告)号：KR100653721B1

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020050094566

申请日：2005-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임하진 ,  이종호 ,  정형석 ,  김윤석 ,  김민주

IPC: H01L21/336

Abstract: A semiconductor device with a nitrogen implanting active region is provided to embody a semiconductor device capable of adjusting a threshold voltage as using high-K dielectrics as a membrane material of a gate dielectric layer by forming a nitrogen implanting active region in a first region of a semiconductor substrate and by sequentially stacking a first gate dielectric layer and a first gate electrode on the nitrogen implanting active region. First and second regions(1,2) are defined in a semiconductor substrate(51). A nitrogen implanting active region(61) is disposed in the first region of the semiconductor substrate. A first gate electrode(73) is disposed on the nitrogen implanting active region. A first gate dielectric layer(75') is interposed between the nitrogen implanting active region and the first gate electrode, including high-K dielectrics(63) and a nitrogen-containing high dielectric layer(63N). A second gate electrode(74) is disposed on the semiconductor substrate in the second region. A second gate dielectric layer is interposed between the semiconductor substrate in the second region and the second gate electrode, including the high-K dielectrics. The first and second gate dielectric layers have the same thickness. The nitrogen-containing high dielectric layer comes in contact with the nitrogen implanting active region. A first well(53) is disposed in the first region of the semiconductor substrate. A second well(54) is disposed in the second region of the semiconductor substrate. The first well is a p-well, and the second well is an n-well or a p-well.

Abstract translation: 提供具有氮注入有源区的半导体器件，以通过在第一区中形成氮注入有源区来实施如使用高K电介质作为栅介质层的膜材料能够调节阈值电压的半导体器件 通过在氮注入有源区上顺序地堆叠第一栅介质层和第一栅电极。 第一和第二区域（1,2）被限定在半导体衬底（51）中。 氮注入有源区（61）设置在半导体衬底的第一区域中。 第一栅电极（73）设置在氮注入有源区上。 第一栅极电介质层（75'）插入在氮注入有源区和第一栅电极之间，包括高K电介质（63）和含氮高电介质层（63N）。 第二栅电极（74）设置在第二区域中的半导体衬底上。 第二栅极介电层插入在第二区域中的半导体衬底与包括高K电介质的第二栅电极之间。 第一和第二栅极介电层具有相同的厚度。 含氮高介电层与氮注入有源区接触。 第一阱（53）设置在半导体衬底的第一区域中。 第二阱（54）设置在半导体衬底的第二区域中。 第一口井是一口井，第二口井是一口井或一口井。

公开(公告)号：KR100609066B1

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020040082652

申请日：2004-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원석준 ,  권대진 ,  이종호

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/78

Abstract: 미세 전자 소자 성능 개선에 적합한 다층 유전체막 및 그 제조 방법이 제공된다. 미세 전자 소자의 다층 유전체막은 두 개 이상의 서로 다른 성분의 산화물로 층상 구조가 없도록 형성되어 있는 복합막 및 복합막의 적어도 한 면에 형성되어 있는 단일 성분의 산화물로 형성되어 있는 단일막을 포함한다.
다층 유전체막, 단일막, 복합막

Abstract translation: 提供了适用于改善精细电子器件性能的多层介电膜及其制造方法。 微电子器件的多层介电膜包括由两种或更多种不同组分的氧化物形成以便不具有层状结构的复合膜，以及在复合膜的至少一侧上形成的由单一组分氧化物形成的单个膜。

公开(公告)号：KR1020060024189A

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：KR1020040073078

申请日：2004-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종표 ,  이종호 ,  정형석 ,  이정형

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02592

Abstract: 누설전류 특성이 개선되고 유전율이 향상된 미세 전자 소자의 다층 유전체막이 제공된다. 미세 전자 소자의 다층 유전체막은 비정질 M
1-x Si
x O
y 또는 M
1-x Si
x O
y N
z 하부 유전체막 및 상기 하부 유전체막 위에 형성된 비정질 M'O
y 또는 M'O
y N
z 상부 유전체막을 포함한다.
다층 유전체막, 실리케이트막, 실리케이트 질화막, 금속 산화막, 금속 산질화막