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公开(公告)号：WO2022098164A1
公开(公告)日：2022-05-12
申请号：PCT/KR2021/016060
申请日：2021-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전자 장치 및 전자 장치의 제어 방법이 개시된다. 특히, 본 개시에 따른 전자 장치의 제어 방법은 적어도 하나의 카메라를 통해 복수의 이미지를 획득하는 단계, 복수의 이미지 각각에 대한 RGB 데이터를 제1 신경망 모델에 입력하여, 복수의 이미지에 포함된 오브젝트에 대한 2 차원의 포즈 정보를 획득하는 단계, 복수의 이미지 중 적어도 하나의 이미지에 대한 RGB 데이터를 제2 신경망 모델에 입력하여 오브젝트의 투명 여부를 식별하는 단계, 오브젝트가 투명한 오브젝트이면, 복수의 이미지 별 2 차원의 포즈 정보를 바탕으로 스테레오 정합(stereo matching)을 수행하여, 오브젝트에 대한 3 차원의 포즈 정보를 획득하는 단계 및 오브젝트가 불투명한 오브젝트이면, 복수의 이미지 중 하나의 이미지 및 하나의 이미지에 대응되는 뎁스(depth) 정보를 바탕으로 오브젝트에 대한 3 차원의 포즈 정보를 획득하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022102870A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/KR2021/000222
申请日：2021-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김민주
Abstract: 로봇이 개시된다. 본 개시에 따른 로봇은, 뎁스 카메라, 라이다 센서 및 프로세서;를 포함하고, 프로세서는, 뎁스 카메라를 이용하여 제1 뎁스 정보를 포함하는 제1 뎁스 이미지를 획득하고, 라이다 센서를 이용하여 제1 뎁스 이미지의 제1 영역에 대응되는 제2 뎁스 정보를 획득하고, 제2 뎁스 정보와 제1 영역에 포함된 제1 뎁스 정보의 뎁스 차이를 획득하고, 뎁스 차이가 임계값보다 크면, 제1 영역 주위의 보정 대상 영역을 식별하고, 뎁스 차이를 바탕으로 제1 뎁스 정보를 보정하기 위한 필터에 대한 정보를 획득하고, 제1 뎁스 정보, 제2 뎁스 정보 및 필터에 대한 정보를 바탕으로 보정 대상 영역에 대응되는 제1 뎁스 정보를 보정하여 제2 뎁스 이미지를 획득한다.
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3.发明公开휴대 단말에 대한 동작 관련 입력에 따라 복수개의 객체들의 표시를 제어하는 방법 및 이를 위한 휴대 단말 审中-实审用于控制根据与移动终端和移动终端的操作相关的输入显示多个物体的METHDO
公开(公告)号：KR1020140105344A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020130019508
申请日：2013-02-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/017 , G06F1/1694 , G06F3/0346 , G06F3/0481 , G06F3/0487 , G06F3/0488 , G06F2200/1637 , G06F2203/011 , G06F2203/04803
Abstract: Provided is a method for controlling a display of multiple objects according to an input related to operation of a mobile terminal and the mobile terminal therefor. The method of the present invention comprises the following steps: changing, if an input related to operation of the mobile terminal is received while a layout constituted with multiple areas where multiple objects are respectively displayed, one or more of the multiple areas corresponding to the input related to the operation of the mobile terminal; and displaying a layout composed of the changed areas. The input related to the operation of the mobile terminal may be a motion of the mobile terminal, a user′s breath, or a gesture. If an input related to operation of the mobile terminal is detected while one of the areas constituting the layout is being touched, the remaining areas except for the touched area are rearranged. In this case, objects that are respectively displayed in the remaining areas may be objects searched in correspondence to the property of an object displayed on the touched area. Thus, a user can easily change not only the areas of the layout but also components corresponding to the areas of the layout.
Abstract translation: 提供了一种根据与移动终端及其移动终端的操作有关的输入来控制多个对象的显示的方法。 本发明的方法包括以下步骤：如果接收到与移动终端的操作相关的输入，同时由分别显示多个对象的多个区域构成的布局，则改变与输入相对应的多个区域中的一个或多个 涉及移动终端的操作; 并显示由改变的区域组成的布局。 与移动终端的操作有关的输入可以是移动终端的运动，用户的呼吸或手势。 如果在构成布局的其中一个区域被触摸时检测到与移动终端的操作有关的输入，则重新布置除了触摸区域之外的剩余区域。 在这种情况下，分别显示在其余区域中的对象可以是与显示在被触摸区域上的对象的属性对应地搜索的对象。 因此，用户可以容易地改变布局的区域，而且可以容易地改变与布局的区域对应的部件。
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5.发明授权다중 일함수 금속 질화물 게이트 전극을 갖는 모스트랜지스터들, 이를 채택하는 씨모스 집적회로 소자들 및그 제조방법들 有权具有多功能金属氮化物栅电极的MOS晶体管，采用其的CMOS集成电路器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100724563B1
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050036416
申请日：2005-04-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/28088 , H01L21/28105 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/4908
Abstract: 다중 일함수 금속 질화물 게이트 전극을 갖는 모스 트랜지스터들이 제공된다. 상기 모스 트랜지스터들은 반도체 기판 및 상기 반도체 기판 상에 배치된 중심 게이트 전극을 구비한다. 상기 중심 게이트 전극은 금속 질화물로 이루어진다. 상기 중심 게이트 전극의 양 측벽들 상에 각각 소오스측 게이트 전극 및 드레인측 게이트 전극이 제공된다. 상기 소오스/드레인측 게이트 전극들은 질소보다 작은 음전기성(electronegativity)을 갖는 제1 불순물들중 어느 하나 또는 질소보다 큰 음전기성을 갖는 제2 불순물들중 어느 하나를 함유하는(containing) 도우프트 금속 질화물(doped metal nitride)로 이루어진다. 상기 모스 트랜지스터들을 채택하는 씨모스 집적회로 소자들 및 그 제조방법들 또한 제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100688555B1
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020050058559
申请日：2005-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/28194 , H01L29/4958 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터 각각에서 최적의 Vt 값을 가지도록 하기 위하여 NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터 각각의 게이트 전극 구성 재료로서 서로 다른 일함수를 가지는 금속 물질을 사용하는 CMOS 트랜지스터를 구비하는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 제1 도전형의 제1 채널이 형성되는 제1 MOS 트랜지스터와, 상기 제1 도전형과는 다른 제2 도전형의 제2 채널이 형성되는 제2 MOS 트랜지스터를 가지는 CMOS 트랜지스터를 구비한다. 상기 제1 MOS 트랜지스터는 제1 게이트 절연막과, 상기 제1 게이트 절연막 위에 형성된 Al-금속 합금층과 그 위에 형성된 폴리실리콘층과의 적층 구조를 포함하는 제1 게이트 전극을 포함한다.
일함수, CMOS, 합금, Vfb, Vt-
公开(公告)号：KR1020070006973A
公开(公告)日：2007-01-12
申请号：KR1020050061952
申请日：2005-07-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: A method for fabricating a dual metal gate transistor is provided to form a dual metal gate having excellent matching with a basic process of silicon without damaging a gate insulation layer by selectively inducing silicon reaction of metal by a conductive diffusion blocking layer. A first well(100a) of first conductivity type and a second well(100b) of second conductivity type different from the first conductivity type are formed in a semiconductor substrate(100). A gate insulation layer(200) is formed on the first and the second wells. A metal layer(300) is formed on the gate insulation layer. A conductive diffusion blocking layer(400) is formed on the metal layer on the first well. A silicon layer(500) is formed on the metal layer having the conductive diffusion blocking layer. An annealing process is performed on the semiconductor substrate so that the metal layer on the second well is reacted with the silicon layer to form a metal silicon compound layer(600). The metal layer is made of metal having a work function proper for forming a pMOS. The metal silicon compound layer is made of a silicon compound having a work function proper for forming nMOS of the metal.
Abstract translation: 提供一种用于制造双金属栅极晶体管的方法，以通过选择性地通过导电扩散阻挡层诱导金属的硅反应而形成具有与硅的基本工艺具有优异匹配性的双金属栅极而不损坏栅极绝缘层。 在半导体衬底（100）中形成第一导电类型的第一阱（100a）和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二阱（100b）。 在第一和第二阱上形成栅绝缘层（200）。 在栅绝缘层上形成金属层（300）。 在第一阱上的金属层上形成导电扩散阻挡层（400）。 在具有导电扩散阻挡层的金属层上形成硅层（500）。 在半导体衬底上进行退火处理，使得第二阱上的金属层与硅层反应形成金属硅化合物层（600）。 金属层由具有适于形成pMOS的功函的金属制成。 金属硅化合物层由具有适于形成金属的nMOS的功函的硅化合物制成。
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8.发明公开다중 일함수 금속 질화물 게이트 전극을 갖는 모스트랜지스터들, 이를 채택하는 씨모스 집적회로 소자들 및그 제조방법들 有权具有多功能金属氮化物电极的MOS晶体管，使用其的CMOS集成电路器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060114474A
公开(公告)日：2006-11-07
申请号：KR1020050036416
申请日：2005-04-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/28088 , H01L21/28105 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/4908 , H01L29/4966
Abstract: A MOS transistors having a multi-work function metal nitride gate electrode, a CMOS integrated circuit devices employing the same, and its manufacturing method are provided to prevent short channel effect by using a source side gate electrode that is made of a doped metal nitride and has a work function different from a central gate electrode. A central gate electrode(21c) is arranged on a semiconductor substrate and comprised of a metal nitride. A source side gate electrode(21s) and a drain side gate electrode(21d) are respectively adjacent to both sidewalls of the central gate electrode and comprised of a doped metal nitride containing first impurities and second impurities. The first impurities have electronegativity less than nitrogen. The second impurities have electronegativity greater than the nitrogen. The source side gate electrode and the drain side gate electrode have work functions different from the central gate electrode. A source region(42s) is formed in the semiconductor substrate. The source region is adjacent to the source side gate electrode and opposite to the drain side gate electrode. A drain region(42d) is formed in the semiconductor substrate. The drain region is adjacent to the drain side gate electrode and opposite to the source side gate electrode.
Abstract translation: 提供具有多功能金属氮化物栅电极的MOS晶体管，采用该CMOS功能的CMOS集成电路器件及其制造方法，以通过使用由掺杂金属氮化物制成的源极侧栅电极来防止短沟道效应， 具有与中心栅电极不同的功函数。 中央栅电极（21c）布置在半导体衬底上并由金属氮化物构成。 源极侧栅电极（21s）和漏极侧栅电极（21d）分别与中央栅电极的两侧壁相邻，并且由含有第一杂质和第二杂质的掺杂金属氮化物构成。 第一杂质的电负性小于氮。 第二杂质的电负性大于氮。 源侧栅极电极和漏极侧栅电极具有与中心栅电极不同的功函数。 源区域（42s）形成在半导体衬底中。 源极区域与源极侧栅极相邻并且与漏极侧栅电极相对。 在半导体衬底中形成漏区（42d）。 漏极区域与漏极侧栅电极相邻并且与源极侧栅电极相对。
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公开(公告)号：KR1020060006537A
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：KR1020040055616
申请日：2004-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L21/24
Abstract: 게이트 전체에 금속 실리사이드가 형성되도록 하는 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자 제조 방법은 (a) 반도체 기판 내에 형성된 소오스/드레인 영역을 차폐하고 게이트 전극의 상면을 노출시키는 단계와, (b) 노출된 게이트 전극 상면에 Ni 또는 Ni 합금을 도포하고, 게이트 전극을 300℃ 내지 500℃에서 가열하여 게이트 전극을 1차 상변화시키는 단계 및 (c) 게이트 전극의 1차 상변화가 완료된 기판을 (b) 단계의 온도보다 높은 온도에서 가열하여 게이트 전극을 2차 상변화시켜 완전 실리사이드화된 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
실리사이드, 금속 게이트, 니켈-
公开(公告)号：KR1020050117138A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1020040042354
申请日：2004-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/24
CPC classification number: H01L21/28052 , H01L21/28518 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66545
Abstract: 이중금속층을 이용한 샐리사이드 공정 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 샐리사이드 공정은 실리콘을 함유하는 반도체기판 상에 주금속막(main metal layer)을 형성하는 것을 포함한다. 상기 주금속막 상에 적어도 한 종류의 합금원소(at least one species of alloy element)를 함유하는 주금속 합금막(main metal alloy layer)을 형성한다. 상기 주금속막 및 주금속 합금막을 갖는 반도체기판을 열처리하여 주금속 합금 실리사이드막을 형성한다. 바람직한 실시예에 의하면, 상기 주금속막은 니켈막이고, 상기 주금속 합금막은 니켈 탄탈륨 합금막으로 형성할 수 있다. 이 경우에, 개선된 열적 안정성 및 전기적 특성을 갖는 니켈 탄탈륨 실리사이드막을 형성할 수 있다.
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