公开(公告)号：KR100922543B1

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：KR1020070093541

申请日：2007-09-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 리헤큉 ,  이욱성 ,  백영준 ,  박종극

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/22 ,  H01L21/84

CPC classification number: C23C16/277 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/271 ,  C23C16/279

Abstract: 본 발명은 나노 결정질 다이아몬드 박막 중의 비정상 거대 입자 (abnormal large grain)의 개재를 방지하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 방법은 열 필라멘트 시브이디 공정으로 나노 결정질 다이아몬드 박막을 증착함에 있어 부적절한 공정제어로 인해 야기될 수 있는 비정상 거대 입자의 개재를 방지할 수 있게 해줌으로써, 비정상 거대 입자의 개재로 인해 야기될 수 있는 각종 응용분야에서의 문제점들을 미연에 방지할 수 있게 해준다.

公开(公告)号：KR1020090094631A

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：KR1020080019699

申请日：2008-03-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 황규원 ,  이욱성 ,  정증현 ,  박종극 ,  백영준

IPC: G01N33/48 ,  G01N27/26 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01N27/4145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A biosensor device and manufacturing method thereof are provided to improve lifetime, repeatability, and stability of sensor. A biosensor device comprises: a gate electrode (6) which is made of a diamond thin film; a gate insulating layer (5) which is made at lower part of gate electrode; a channel layer (2) which is made on semiconductor substrate of the lower portion of insulating layer; and a source/drain area (3, 4) which is made on the semiconductor substrate of both sides of gate electrode.

Abstract translation: 提供了一种生物传感器装置及其制造方法，以提高传感器的寿命，重复性和稳定性。 生物传感器装置包括：由金刚石薄膜制成的栅电极（6）; 栅极绝缘层（5），其形成在栅电极的下部; 沟道层（2），其形成在绝缘层下部的半导体衬底上; 以及在栅电极的两侧的半导体衬底上制成的源/漏区（3,4）。

公开(公告)号：KR1020090050484A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：KR1020070116932

申请日：2007-11-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  백영준 ,  박종극 ,  황규원 ,  정증현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3497 ,  H01J37/3435

Abstract: 본 발명은 플라스마 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 직류 전원(방전) 플라스마 증착 공정에 의해 다이아몬드를 비롯한 물질을 증착함에 있어 고융점 금속재질의 음극표면에 균열을 생기는 현상을 방지하며, 실리콘 등의 반도체 기판을 사용할 경우 반도체 기판의 손상을 방지하여 균일하고 손상이 없는 상태로 박막을 증착할 수 있는 이점이 있다.
플라스마 증착, 박막 증착, 힛업(heatup)

Abstract translation: 本发明涉及一种等离子沉积装置和方法，一个DC电源（放电）从它的负电极表面上产生的裂纹的高熔点金属材料为包括通过等离子体沉积工艺金刚石的沉积材料防止，以及半导体诸如硅 当使用衬底时，具有能够防止半导体衬底受损并且可以以均匀且未受损的状态沉积薄膜的优点。

公开(公告)号：KR1020090028169A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：KR1020070093541

申请日：2007-09-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 리헤큉 ,  이욱성 ,  백영준 ,  박종극

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/22 ,  H01L21/84

CPC classification number: C23C16/277 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/271 ,  C23C16/279

Abstract: A method for preventing the abnormal large grain inclusion in the nanocrystalline diamond film is provided to prevent abnormal large grain inclusion from being interposed in the NCD(Nano-Crystalline Diamond) thin film evaporated by the hot filament chemical vapor deposition. In the process of depositing the NCD thin film by using the hot filament chemical vapor deposition process, the interposing of the abnormal large grain inclusion among the NCD thin film is prevented by using one or more among the following method. After the inert material is extended from the substrate to 50 mm over, the temperature of the inert material is measured by a thermocouple. The material having inactive and the high heat conduction is coated on the thermocouple. The contactless temperature measurement means is used.

Abstract translation: 提供了防止纳米晶体金刚石膜中异常大晶粒夹杂的方法，以防止异常的大晶粒夹杂物插入通过热丝化学气相沉积蒸发的NCD（纳米结晶金刚石）薄膜中。 在通过使用热丝化学气相沉积工艺沉积NCD薄膜的过程中，通过使用以下方法中的一种或多种来防止NCD薄膜中的异常大晶粒夹杂物的插入。 在将惰性材料从衬底延伸到50mm之后，通过热电偶测量惰性材料的温度。 具有无活性和高热传导的材料涂覆在热电偶上。 使用非接触式温度测量装置。

公开(公告)号：KR100779740B1

公开(公告)日：2007-11-26

申请号：KR1020050098402

申请日：2005-10-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박종극 ,  백영준

IPC: C23C28/00 ,  C23C28/04

Abstract: 본 발명은 고온에서 안정적으로 사용가능한 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Ti
1-x Al
x N 막층(0≤x≤1, 이하 "TiAlN 막층")과 비정질의 Si-N
막층으로 구성된 박막 단위체를 하나 이상 포함하며, 상기 TiAlN 막층과 상기 비정질의 Si-N
막층이 교대로 적층되어 있는 표면 피복용 박막으로서, 상기 박막 단위체의 두께는 1.3 내지 12 nm이며, 상기 박막 단위체를 구성하는 TiAlN막층의 두께는 1 내지 10 nm이며, 상기 박막 단위체를 구성하는 비정질 Si-N 막층의 두께는 0.3 내지 0.7 nm이며, 상기 TiAlN막층 및 상기 비정질 Si-N 막층은 스퍼터링에 의해 증착된 것을 특징으로 하며, 이와 같은 표면 피복용 경질 다층 박막은 피복층의 경도, 인성(toughness), 내산화성, 열 안정성이 우수하여 절삭공구 및 미세 정밀부품의 표면강도 향상을 위하여 널리 적용될 수 있는 효과가 있다.
경질 다층 박막, TiAlN, 비정질 Si-N, 금속질화물, 경도, 인성, 열 안정성

公开(公告)号：KR100660479B1

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：KR1020040083434

申请日：2004-10-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박종극

IPC: C23C28/00

Abstract: 본 발명은 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 내산화성 및 열 안정성이 우수한 Ti
x Al
y N (0.2≤y≤1, x+y=1) 막과 경도 및 내산화성이 우수한 크롬질화물(CrN) 막을 각각 한 층씩 포함하는 박막 단위체의 두께를 1 ∼ 20 nm로 형성시키고 상기 박막 단위체들을 적층시켜 전체의 다층 박막의 두께를 0.5 ∼ 10 ㎛로 코팅함으로써 피복층의 경도, 내산화성 및 열 안정성이 우수하여 절삭공구 및 미세 정밀부품의 표면강도 향상을 위하여 널리 적용될 수 있을 뿐만 아니라 집합조직의 방향과 무관하게 TiAlN 막의 알루미늄의 함량 또는 적층되는 상기 박막 단위체의 두께를 조절하여 절삭 공구 및 미세 정밀부품의 물성을 조절할 수 있도록 개선된, 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것이다.
경질 다층 박막, TiAlN, 금속질화물, 경도, 내산화성, 열 안정성

公开(公告)号：KR100626406B1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：KR1020040104422

申请日：2004-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박종극

IPC: C23C14/35

Abstract: 본 발명은 내산화성 및 내마모성이 우수한 TiAlN계 다층 경질박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Al 함량이 서로 다른 TiAlN 막이 다층으로 적층되어 경도 값이 40 GPa 이상으로 조절된 초경도의 단위층(A)과, Al 함량이 70% 이상으로 높아 내산화성이 뛰어난 TiAlN 막이 단층으로 적층된 25 ∼ 30 GPa 경도의 단위층(B)이 일정 두께 비율로 반복적으로 적층된 층 구조를 이루고 있음으로써, 내마모성과 내산화성을 동시에 증진시킴은 물론 기존 피복 코팅박막에 비해 높은 경도 값을 갖는 새로운 미세구조의 TiAlN계 다층 경질박막에 관한 것이다.
복합 적층 박막, TiAlN, 경도, 내산화성, 내마모성