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公开(公告)号：KR101182187B1
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110135060
申请日：2011-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/04 , B24B53/12 , B24D3/10 , B24D18/00
Abstract: PURPOSE: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) pad conditioner and a manufacturing method thereof are provided to increase the productivity of semiconductors by preventing damages to a wafer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a CMP(Chemical Mechanical Polishing) pad conditioner is as follows. A flat diamond substrate(11) is prepared. A shadow mask(30) is manufactured by forming a dot array in a metal sheet. Matrix-type mask patterns(40) are deposited on the flat diamond substrate using the shadow mask. The flat diamond substrate is etched, and projected portions(15) are formed.
Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）垫调节剂及其制造方法，以通过防止对晶片的损坏来提高半导体的生产率。 构成：CMP（化学机械抛光）垫调节剂的制造方法如下。 制备平面金刚石基底（11）。 通过在金属板中形成点阵列来制造荫罩（30）。 使用荫罩将矩阵型掩模图案（40）沉积在平坦的金刚石衬底上。 蚀刻平坦金刚石基板，形成突起部（15）。
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公开(公告)号：KR1020100062584A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121295
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C04B41/91 , C04B35/565 , C04B41/4529 , C04B41/455 , C04B41/85 , C04B41/89 , C04B2235/427 , C04B2235/963
Abstract: PURPOSE: A ceramic body coated with a diamond film and a manufacturing method thereof are provided to maintain the excellent property of the ceramic body while changing only the surface of the ceramic body. CONSTITUTION: A manufacturing method of a ceramic body coated with a diamond film comprises the following steps: forming a surface layer including a reaction residue by occurring a chemical reaction on the surface of the ceramic body; forming the surface layer with an uneven embossment form by removing the reaction residue from the surface layer; and vaporizing the diamond film on the surface layer. The average illuminance of the surface layer is less than 50 micrometers. The ceramic body includes SiC or Si_3N_4.
Abstract translation: 目的：提供一种涂有金刚石薄膜的陶瓷体及其制造方法，以在仅陶瓷体的表面改变时保持陶瓷体的优异性能。 构成：涂覆有金刚石膜的陶瓷体的制造方法包括以下步骤：通过在陶瓷体的表面上发生化学反应形成包含反应残留物的表面层; 通过从表面层除去反应残余物而形成具有不均匀压花形式的表面层; 并蒸发表面层上的金刚石膜。 表面层的平均照度小于50微米。 陶瓷体包括SiC或Si_3N_4。
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公开(公告)号：KR1020070042602A
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020050098402
申请日：2005-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고온에서 안정적으로 사용가능한 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al)의 원자비가 60:40 내지 40:60인 내산화성 및 열 안정성이 우수한 TiAlN 막층과 내산화성이 우수한 비정질의 Si-N 막층으로 구성되며 두께가 1.3 ~ 12 nm인 박막 단위체가 하나 이상 적층되어 전체 두께가 0.5 ~ 10 ㎛인 것을 특징으로 하며, 이와 같은 표면 피복용 경질 다층 박막은 피복층의 경도, 인성(toughness), 내산화성, 열 안정성이 우수하여 절삭공구 및 미세 정밀부품의 표면강도 향상을 위하여 널리 적용될 수 있는 효과가 있다.
경질 다층 박막, TiAlN, 비정질 Si-N, 금속질화물, 경도, 인성, 열 안정성-
公开(公告)号：KR100633083B1
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020040105086
申请日：2004-12-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 크롬질화물(CrN) 박막단위체와 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체로 이루어진 크롬질화물계 다층 금속질화물 나노박막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질소(N
2 ) 가스와 아르곤(Ar) 가스가 유입되는 조건하에서, 크롬(Cr)원자를 물리증착하여 크롬질화물(CrN) 박막단위체를 형성하고, 상기 박막단위체 상부에 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al) 원자를 물리증착하여 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체를 형성하는 과정을 교대로 반복 증착을 실시하여 수행함으로써, N
2 /Ar 가스의 부피비와 크롬질화물(CrN) 박막단위체 형성을 위한 크롬(Cr)원자의 증착 과정에서 N/Cr의 원자수 비 등이 비교적 넓은 범위로 유지되더라도 제조되는 금속질화물 나노박막의 경도 또는 마찰계수가 크게 변동되지 않으므로 균일한 물성의 금속질화물 나노박막을 재현성 있게 제조할 수 있어 제품안정성, 내마모 및 윤활 특성이 요구되는 각종 기계, 전기, 전자 부품 등의 대량 생산이 요구되는 분야에 적용 가능한 크롬질화물계 다층 금속질화물 나노박막의 제조방법에 관한 것이다.
질소, 아르곤 가스, 크롬질화물(CrN) 박막단위체, 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체, 크롬질화물계 다층 금속질화물 나노박막-
公开(公告)号：KR1020060066470A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020040105086
申请日：2004-12-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 크롬질화물(CrN) 박막단위체와 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체로 이루어진 크롬질화물계 다층 금속박막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질소(N
2 ) 가스와 아르곤(Ar) 가스가 유입되는 조건하에서, 크롬(Cr)원자를 물리증착하여 크롬질화물(CrN) 박막단위체를 형성하고, 상기 박막단위체 상부에 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al) 원자를 물리증착하여 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체를 형성하는 과정을 교대로 반복 증착을 실시하여 수행함으로써, N
2 /Ar 가스의 부피비와 크롬질화물(CrN) 박막단위체 형성을 위한 크롬(Cr)원자의 증착 과정에서 N/Cr의 원자수 비 등이 비교적 넓은 범위로 유지되더라도 제조되는 금속박막의 경도 또는 마찰계수가 크게 변동되지 않으므로 균일한 물성의 금속박막을 재현성 있게 제조할 수 있어 제품안정성, 내마모 및 윤활 특성이 요구되는 각종 기계, 전기, 전자 부품 등의 대량 생산이 요구되는 분야에 적용 가능한 크롬질화물계 다층 금속박막의 제조방법에 관한 것이다.
질소, 아르곤 가스, 크롬질화물(CrN) 박막단위체, 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체, 크롬질화물계 다층금속박막-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060065321A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040104422
申请日：2004-12-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/35
Abstract: 본 발명은 내산화성 및 내마모성이 우수한 TiAlN계 다층 경질박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Al 함량이 서로 다른 TiAlN 막이 다층으로 적층되어 경도 값이 40 GPa 이상으로 조절된 초경도의 단위층(A)과, Al 함량이 70% 이상으로 높아 내산화성이 뛰어난 TiAlN 막이 단층으로 적층된 25 ∼ 30 GPa 경도의 단위층(B)이 일정 두께 비율로 반복적으로 적층된 층 구조를 이루고 있음으로써, 내마모성과 내산화성을 동시에 증진시킴은 물론 기존 피복 코팅박막에 비해 높은 경도 값을 갖는 새로운 미세구조의 TiAlN계 다층 경질박막에 관한 것이다.
복합 적층 박막, TiAlN, 경도, 내산화성, 내마모성-
87.发明授权
公开(公告)号：KR100411710B1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020010037563
申请日：2001-06-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/27
Abstract: PURPOSE: A process for synthesizing diamond powder having several micrometers or less of small particle size and spherical particle shape by chemical vapor deposition method is provided, and an apparatus which is capable of synthesizing diamond powder in large quantities by modifying structure of a synthesizing apparatus is provided. CONSTITUTION: In a CVD (chemical vapor deposition) diamond synthesizing apparatus for synthesizing a film shaped diamond on the substrate I by forming plasma in a vacuum container(1) thereby decomposing a carbon source reaction gas, the apparatus for synthesizing spherical diamond powder(7) comprises a substrate I(3) which is directly contacted with plasma(2), and a substrate II(8) which is mounted on the circumference of the substrate I so that the substrate II is not directly contacted with plasma, wherein the apparatus for synthesizing spherical diamond powder(7) comprises a substrate I which is fabricated in a ring shape, and a substrate II which is mounted on inner and outer parts of the ring shaped substrate I so that the substrate II is not contacted with plasma, the apparatus for synthesizing spherical diamond powder comprises two or more substrates I for separating plasma into two or more, and a substrate II which is mounted on the circumference of the substrates I so that the substrate II is not contacted with plasma, and wherein the substrate II is installed within 10 cm from plasma with the substrate II not being contacted with plasma.
Abstract translation: 目的：提供一种通过化学气相沉积法合成具有几微米或更小的小粒径和球形颗粒形状的金刚石粉末的方法，通过改变合成装置的结构能够大量合成金刚石粉末的装置是 提供。 本发明提供一种在真空容器（1）内形成等离子体，由此分解碳源反应气体，在基板（1）上合成薄膜状金刚石的CVD（化学蒸镀）金刚石合成装置，其特征在于， ）包括与等离子体（2）直接接触的基板I（3）和安装在基板I的圆周上以便基板II不直接接触等离子体的基板II（8），其中该设备 用于合成球形金刚石粉末（7）的装置包括制造成环形的基底I和安装在环形基底I的内部和外部以使基底II不与等离子体接触的基底II， 用于合成球形金刚石粉末的设备包括用于将等离子体分离成两个或更多个的两个或更多个衬底I，以及安装在衬底I的圆周上的衬底II， 衬底II不与等离子体接触，并且其中衬底II安装在离等离子体10cm内，而衬底II不与等离子体接触。
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公开(公告)号：KR100364134B1
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：KR1019990040684
申请日：1999-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B24B9/16
Abstract: 본발명은절삭공구등의내마모공구, 전자패키징재료로서고출력또는고밀도 IC 반도체의열전달기판(heat spreader or heat sink) 또는적외선및 마이크로웨이브투과창(IR window) 등에사용되는합성다이아몬드웨이퍼의평탄화및 연마방법에관한것이다. 본발명은 Mn-Fe 합금계를합성다이아몬드웨이퍼의성장면에접촉시키고, 이것을가열한후 일정시간동안유지하여상기합금계와다이아몬드웨이퍼를반응시키는것으로이루어지는합성다이아몬드웨이퍼의평탄화및 연마방법을제공한다. 상기합금계에서 Fe의함량은 5 ~ 95wt%으로한다. 또한상기합금계에는제 3 합금성분으로 0.1~2wt%의 Cr, 0.1~10wt%의 Al, 0.1~10wt%의 Cu, 0.1~7wt%의 Ni, 0.1~1wt%의 Co, 0.1~3wt%의 Si, 0.1~0.5wt%의 Nb, 0.05~0.2wt%의 Ti, 0.1~0.5wt%의 Zr 또는 0.01~0.1wt%의 B를첨가하여 2원계이상으로이루어진합금계를형성할수 있다. 본발명에의하면대면적의합성다이아몬드웨이퍼를피팅현상없이고속으로랩핑(lapping)시킬수 있는저비용의환경친화적반응합금을이용하여평탄화및 연마방법을제공할수 있다. 또한공정이매우단순하여제조장비의구성이쉽고, 대량으로여러장의웨이퍼를동시에팡탄화시킬수 있어연마비용을절감할수 있는평탄화및 연마방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR100314931B1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR1019990040683
申请日：1999-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B24B9/16
Abstract: 본발명은인발다이(wire drawing die)용천연또는합성다이아몬드단결정의양면평행연마방법에관한것으로, 다수의다이아몬드단결정의양면에금속판재를접촉시키고, 이접촉물을액상형성이없는고상(solid state)의일정온도까지가열한후 상기온도에서일정시간유지하는다이아몬드단결정의양면평행연마방법을제공한다. 본발명의방법으로다량의다이아몬드단결정에대하여양면을동시에평행하게평탄화시킬수 있으며, 평탄화된(planarized) 평행한양면에수직하게홀을형성하여이를인발용다이로사용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010046149A
公开(公告)日：2001-06-05
申请号：KR1019990049787
申请日：1999-11-10
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a field emission device using diamond is provided which realizes a field emission device that emits maximum current with a minimum voltage and reduces gate leakage current while increasing a gate voltage. CONSTITUTION: The surface of a substrate(10) is pre-processed to apply a fine scratch on the substrate. An insulating layer and the first photoresist are sequentially deposited on the pre-processed substrate. Subsequently, the first photoresist is patterned, and the insulating layer is etched using the first photoresist pattern as a mask. The first photoresist is removed. Then, diamond is deposited on the substrate and etched using gas plasma to form a whisker. The etched insulating layer is removed, and then a gate insulating layer(14), gate metal layer(15) and the second photoresist are sequentially deposited on the whisker. The second photoresist is patterned, and the gate metal layer is etched using the second photoresist pattern as a mask. Thereafter, the second photoresist pattern is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造使用金刚石的场发射器件的方法，其实现了以最小电压发射最大电流并减小栅极漏电流同时增加栅极电压的场致发射器件。 构成：衬底（10）的表面被预处理以在衬底上施加细小的划痕。 绝缘层和第一光致抗蚀剂依次沉积在预处理衬底上。 随后，对第一光致抗蚀剂进行图案化，并且使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻绝缘层。 去除第一光致抗蚀剂。 然后，将金刚石沉积在衬底上并使用气体等离子体进行蚀刻以形成晶须。 去除蚀刻的绝缘层，然后在晶须上依次沉积栅极绝缘层（14），栅极金属层（15）和第二光致抗蚀剂。 图案化第二光致抗蚀剂，并且使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻栅极金属层。 此后，除去第二光致抗蚀剂图案。
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