公开(公告)号：KR100969520B1

公开(公告)日：2010-07-09

申请号：KR1020080077082

申请日：2008-08-06

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 장홍영 ,  박민 ,  채수항 ,  안승규

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 이 장치는 RF 전력을 공급하는 제1 전원부, 제1 전원부와 직렬 연결되는 제1 정합회로부, 진공을 형성하는 챔버부, 제 1 정합회로부와 전기적으로 연결되고 챔버부 내부에 배치되는 전극부, 전극부의 표면에 형성된 다이아몬드라이크카본층(diamond like carbon layer:DLC layer), 및 다이아몬드라이크카본(DLC) 층에서 이온이 입사하여 중성화된 중성빔을 통과시키는 중성빔 추출부를 포함한다.
중성빔, 축전결합플라즈마

公开(公告)号：KR1020050082503A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：KR1020040010956

申请日：2004-02-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 장홍영 ,  서상훈 ,  정원봉 ,  채수항 ,  김재현 ,  이상원 ,  엄세훈

IPC: H01L21/18 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 나노공정에 적합한 낮은 전자온도를 갖는 플라즈마 발생 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 여기수단을 이용하여 중성가스의 여기 에너지와 비슷한 에너지를 중성가스에 전달하여 중성가스를 여기 상태로 만든 후 이온화 에너지와 여기 에너지 차이에 해당하는 에너지를 가진 광소스를 이용하여 중성가스를 이온화 시켜 플라즈마를 생성시키도록 되어 있고, 그 장치는 내부에 피처리물이 수용될 수 있는 공간이 형성되고, 이 공간의 상부에는 투명 유전체가 씌워지며, 일측에는 내부 공간으로 중성가스를 공급하기 위한 주입구와 내부를 진공분위기로 만들기 위한 진공펌프가 접속된 챔버; 상기 챔버에 주입된 중성가스의 여기 에너지와 비슷한 에너지를 중성가스에 전달하여 중성가스를 여기 상태로 만들기 위한 여기수단; 여기 상태인 중성가스의 이온화 에너지와 여기 에너지 차이에 해당하는 에너지를 가진 광자를 상기 챔버 내부에 조사하여 중성가스를 이온화시켜 플라즈마를 생성시키기 위한 이온화수단;을 포함하여 이루어져 있다.

公开(公告)号：KR1020010108968A

公开(公告)日：2001-12-08

申请号：KR1020000030050

申请日：2000-06-01

Applicant: 주성엔지니어링(주) ,  한국과학기술원

Inventor： 변홍식 ,  권기청 ,  이승원 ,  김홍습 ,  한순석 ,  이용관 ,  이동석 ,  장홍영

IPC: C23C16/48

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 대면적의 기판을 가공할 수 있는 대규모의 초단파 병렬 안테나 유도결합 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 공정장치에 대해 개시한다. 본 발명의 장치에서는, 병렬 안테나를 사용하여 고밀도 플라즈마를 발생시키기 위해 초단파(VHF) 전원과, 이 초단파 전원으로부터 초단파 전력을 공급받는 병렬 안테나 장치가 제공된다. 여기서, 초단파 전원이란 20∼300㎒ 범위의 주파수를 갖는 초단파 전력을 발생시키는 장비를 말한다. 본 발명의 장치에 따르면, 플라즈마 밀도를 높일 수 있을 뿐 아니라 플라즈마 온도를 낮출 수 있으므로, CFx 계열의 식각기체를 사용하여 건식 식각공정을 진행할 경우, 식각반응기체 중 CF
2 , CF
3 등의 존재율은 높은 반면 F 라디칼의 생성율은 낮도록 CF
x 와 F의 라디칼 비율을 적절하게 할 수 있다. 따라서, 공정선택비 향상을 위한 적절한 라디칼 비율로 인해 특히 우수한 건식식각 공정결과를 얻을 수 있다.