자유지지 박막 시험기
    81.
    发明授权
    자유지지 박막 시험기 有权
    独立式薄膜测试仪

    公开(公告)号:KR100670233B1

    公开(公告)日:2007-01-17

    申请号:KR1020050033209

    申请日:2005-04-21

    Abstract: 본 발명은 자유지지 박막 시험기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고정판에 미세기계전자시스템 및 나노기술에 사용되는 마이크로 또는 나노 스케일의 크기를 갖는 자유지지 박막 시편을 고정한 후 자유지지 박막 시편의 위치를 정렬하여 기계적 물성값을 측정하기 위한 자유지지 박막 시험기에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 자유지지 박막 시험기는 내부에는 상부가 개방된 중공부가 구비된 본체와; 상기 중공부의 상부 둘레에 구비되어 외부의 조작을 통해 자유지지 박막 시편을 정렬하는 중공부가 포함된 시편 다축정렬수단과; 상기 시편 다축정렬수단의 중공부 상부에 상기 자유지지 박막 시편의 물성값을 측정할 수 있도록 자유지지 박막 시편을 고정하는 고정판과; 상기 본체를 구성하는 중공부의 일측에 구비되어 상기 자유지지 박막 시편을 눌러 주는 시험수단으로 구성됨을 특징으로 한다.
    자유지지 박막 시험기, 자유지지 박막, 기계적 물성, 시험수단, 유리판

    압입시험을 통한 나노박막의 두께측정방법
    82.
    发明公开
    압입시험을 통한 나노박막의 두께측정방법 失效
    测量纳米尺寸薄膜厚度的方法仅使用不需要复杂测试样品制备工艺的印度测试,使用印度测试来测量薄膜厚度

    公开(公告)号:KR1020050002464A

    公开(公告)日:2005-01-07

    申请号:KR1020030043842

    申请日:2003-06-30

    Abstract: PURPOSE: A method for measuring the thickness of nano-meter sized thin films using an indentation test is provided to measure the thickness of a thin film only through an indentation test without a complex test sample preparing process. CONSTITUTION: An indentation test is performed in a sufficiently deeper place than the thickness of a thin film with respect to a sample including the thin film and a substrate. A graph is drawn according to the indentation test result. If the graph is obtained between P/A and an indentation depth through the indentation test for a sample having a thin film/a substrate, a curve is fit. Three thin film samples having the same materials are manufactured and the thickness of the thin films is measured through a thickness measuring unit. The degree of the thin films and the indentation depth are measured by using a nano indentor. Data having at least the ratio of 1.2 as the ratio of the indentation depth to the thickness of the thin film are removed.

    Abstract translation: 目的:提供使用压痕试验测量纳米尺寸薄膜的厚度的方法,仅通过压痕测试来测量薄膜的厚度,而无需复杂的测试样品制备过程。 构成:相对于包括薄膜和基底的样品,在比薄膜厚度更深的位置进行压痕测试。 根据缩进测试结果绘制图形。 如果通过对具有薄膜/衬底的样品的压痕测试在P / A和压痕深度之间获得曲线图,则拟合曲线。 制造具有相同材料的三个薄膜样品,并且通过厚度测量单元测量薄膜的厚度。 通过使用纳米压痕来测量薄膜的程度和压痕深度。 去除了至少具有1.2的压缩深度与薄膜厚度之比的数据。

    소자 전사방법 및 소자 전사방법을 이용한 전자제품 제조방법

    公开(公告)号:KR101897129B1

    公开(公告)日:2018-09-10

    申请号:KR1020160135330

    申请日:2016-10-18

    CPC classification number: H01L21/447 H01L21/48 H01L21/768

    Abstract: 본발명은소자가캐리어필름및 기판에압입되는압입깊이의제어를통해점착력을조절하여소자를캐리어필름또는기판으로이동시킴으로써소자를기판으로전사시키는캐리어필름, 이를이용한소자(device) 전사방법및 소자전사방법을이용한전자제품제조방법에관한것이다. 이를위해, 본발명은상술한과제를해결하기위하여, 본발명은베이스필름및 제 1 점착층을포함한다. 제 1 점착층은상기베이스필름의일면에형성되고, 전사하고자하는소자가부착된다. 또한, 가압단계, 제 1 점착력형성단계, 제 2 점착력형성단계및 이형단계를포함한다. 가압단계는베이스필름및 상기베이스필름의일면에제 1 점착층이형성된캐리어필름과, 기저면및 상기기저면의일면에형성된제 2 점착층을포함하는기판을가압하되, 전사하고자하는소자가상기제 1 점착층또는상기제 2 점착층에부착되어있다. 제 1 점착력형성단계는상기가압단계에의하여상기소자가상기제 1 점착층에압입되면서상기소자와상기제 1 점착층간의제 1 점착력이형성된다. 제 2 점착력형성단계는상기가압단계에의하여상기소자가상기제 2 점착층에압입되면서상기소자와상기제 2 점착층간의제 2 점착력이형성된다. 이형단계는상기캐리어필름을상기기판으로부터이형시킨다.

    고분자 불순물이 없는 자유지지 나노박막 제조 방법
    90.
    发明授权
    고분자 불순물이 없는 자유지지 나노박막 제조 방법 有权
    自由支撑无聚合物杂质的纳米薄膜的制备方法

    公开(公告)号:KR101827380B1

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:KR1020160002395

    申请日:2016-01-08

    Abstract: 본발명은제1관통홀이형성된폴리머필름을나노박막에밀착시켜, 너비방향으로상기제1관통홀이나노박막의내측부분에배치되도록폴리머필름에나노박막을부착시키는단계(S10); 및상기나노박막이부착된폴리머필름을관통공이형성된타겟기판에밀착시키되나노박막이타겟기판에밀착되도록하며, 너비방향으로상기관통공이제1관통홀의내측부분에배치되도록하여, 상기관통공이형성된타겟기판에나노박막이자유지지되도록전사하는단계(S20); 를포함하여이루어져, 나노박막이관통공에의해자유지지된부분이폴리머나다른물질들에접촉되지않도록전사하여제조될수 있어, 자유지지된나노박막의표면에고분자불순물이없도록할 수있는고분자불순물이없는자유지지나노박막제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明包括所述通孔的第一步骤中,与形成在所述纳米薄膜的聚合物膜,在宽度方向紧密接触所述第一通孔安装在聚合物膜上的纳米薄膜被设置在所述纳米薄膜(S10)的内部部分; 和被放置在所述通孔的内侧部分现在之一是通过聚合物膜的孔,其中通孔形成粘附sikidoe与目标基底紧密接触的纳米薄膜,并且使得所述纳米薄膜粘附到所述目标基板,宽度方向,所述通孔的所述目标被形成 (S20)将纳米薄膜转移以自由支撑在基板上; 包括由纳米薄膜有由贯通孔通过转录从与聚合物或其它材料接触来制备的支撑自由部分的,是自由支承纳米薄膜的表面,能够防止高分子杂质聚合物杂质 免费的纳米薄膜。

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