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公开(公告)号：KR101697996B1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：KR1020150103555
申请日：2015-07-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본발명은혼합산을이용한태양광리본의금속회수방법에관한것으로, 상세하게는질산및 불산또는염산및 황산을 99:1 내지 51:49의중량비율로포함하는혼합산에태양광리본을침지시키는단계(단계 1); 및상기단계 1에서침지된태양광리본에서구리를회수하는단계(단계 2)를포함하는태양광리본의구리회수방법에관한것이다. 본발명의혼합산을이용한태양광리본의금속회수방법에있어서, 본발명의혼합산을이용하여태양광리본의구리를회수하게되면, 상기혼합산이리본표면의납, 주석과선택적으로반응하여중심재료이면서고가인구리를회수할수 있다. 또한, 리본에서구리를회수하고난 후에납과주석을더욱회수할수 있다. 따라서, 태양광리본의중심재료인구리를재사용함으로써, 경제적이득을얻을수 있음은물론, 환경오염을예방할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101584172B1
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020130117477
申请日：2013-10-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C25C1/20 , C25C7/00 , C25C7/02 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명의실시예에따른태양전지의금속회수방법은제1 전극과제2 전극을포함하는태양전지로부터상기제1 전극의제1 구성물질을분리하는것에관한것으로, 상기태양전지와고용물질을혼합하는단계; 상기제1 구성물질과상기고용물질의고용체를생성하는단계; 및상기고용체로부터상기제1 구성물질을분리하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101524070B1
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020130034799
申请日：2013-03-29
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 실리콘기판제조장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘기판제조장치는실리콘용탕이공급되는도가니부, 상기도가니부의토출부로부터연장되며, 실리콘기판이형성되는주조공간을갖고, 상기실리콘기판이이동하는방향으로단면적이증가하는가이드부를가지는주조부를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140118598A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130034801
申请日：2013-03-29
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: Disclosed is an apparatus for manufacturing a silicon substrate. The apparatus for manufacturing a silicon substrate according to an embodiment includes: a crucible unit storing silicon molten metal; a cast unit enlarged from a discharge unit of the crucible unit and having a cast space in which the silicon substrate is formed; and a dummy bar inserted from one side of the cast unit to the cast space and having a groove dented toward the inside on one side contacting the silicon molten metal, wherein the groove has a larger inner width than an entrance.
Abstract translation: 公开了一种用于制造硅衬底的装置。 根据实施例的用于制造硅衬底的装置包括：存储硅熔融金属的坩埚单元; 铸造单元从坩埚单元的排出单元放大并具有其中形成有硅基板的铸造空间; 以及从铸造单元的一侧向铸造空间插入的虚拟棒，并且在与硅熔融金属接触的一侧具有向内侧凹陷的凹槽，其中，所述凹槽具有比入口更大的内部宽度。
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公开(公告)号：KR101396474B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020110127510
申请日：2011-12-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C30B15/007 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002
Abstract: 상측이 개방되고 하부에 용융된 실리콘이 토출되는 토출부가 구비된 용기 형태로 이루어지며, 상기 토출부의 상부면에 대해 기울기를 갖고, 상기 토출부와 내벽을 연결하는 경사부를 구비하는 흑연 도가니; 및 상기 흑연 도가니와 대응되는 형상을 갖고, 상기 흑연 도가니의 내측에 끼움 결합되며, 내부에 실리콘 원료가 장입되는 쿼츠 도가니를 포함하는 실리콘 용융용 이중 도가니를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101394158B1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020120114338
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실시예는 실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 공급된 실리콘을 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부; 상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 토출구를 갖는 실리콘 용탕 저장부; 및 상기 실리콘 용탕 저장부 하부에 배치되어 상기 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판을 포함하고, 상기 토출구를 형성하는 상기 실리콘 용탕 저장부의 하측부의 일면은 상기 실리콘 용탕 저장부의 측벽 외측방향으로 소정각도로 경사진 실리콘 기판 제조장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101394156B1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020120114335
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실시예는 실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 공급된 실리콘을 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부; 상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 토출구를 가지는 실리콘 용탕 저장부; 상기 실리콘 용탕 저장부의 토출구와 인접한 지점에 구비되어, 상기 토출구를 통해 토출된 실리콘 용융물의 표면에 상기 실리콘 용융점 이하로 가열하는 표면 가열부; 및 상기 실리콘 용탕 저장부 하부에 배치되어 상기 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판을 포함하는 실리콘 기판 제조장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101387945B1
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020120046801
申请日：2012-05-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본 발명은 실리콘 용융반응기에 관한 것으로서, 하부에 투입된 상기 실리콘원료가 토출되는 토출구가 구비되는 쿼츠도가니 및 상기 쿼츠도가니의 외면을 감싸도록 상기 쿼츠도가니에 대응된 형태로 형성된 흑연도가니를 포함하는 실리콘용융부, 상기 쿼츠도가니 내부로 증기압을 높이기 위한 수증기 또는 불순물 제거를 위한 반응소스를 투입하여 상기 실리콘원료에 포함된 불순물을 제거하는 산화소스투입부 및 상기 흑연도가니 외측에 구비되어 상기 흑연도가니 및 상기 쿼츠도가니를 가열하는 가열부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140027626A
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020120092238
申请日：2012-08-23
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/037 , H01L31/042 , C30B29/06 , C30B28/06
CPC classification number: Y02E10/50 , C01B33/037 , C01P2006/80
Abstract: A silicon refining apparatus is disclosed. A silicon refining apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a first silicon melting section in which a silicon melt is formed and has a first channel section on one end; a second silicon melting section having a second channel section connected to the first channel section and forming a first connected path section and having a third channel section; and an unidirectional solidification section having a fourth channel section connected to the third channel section and forming a second connected path section. The first connected path section is installed at a lower height than the second connected path section.
Abstract translation: 公开了一种硅精炼装置。 根据本发明实施例的硅精炼装置包括：第一硅熔化部分，其中形成硅熔体并且在一端具有第一通道部分; 第二硅熔化部分，具有连接到第一通道部分的第二通道部分，并形成第一连接的路径部分并且具有第三通道部分; 以及具有连接到第三通道部分并形成第二连接路径部分的第四通道部分的单向凝固部分。 第一连接路径部分安装在比第二连接路径部分更低的高度处。
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公开(公告)号：KR1020130113126A
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120035462
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , C01B33/021
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , C01B33/021 , H01L31/042
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon substrate is provided to prevent silicon melt from being contaminated by fitting an inclined quartz crucible into a graphite crucible. CONSTITUTION: A first crucible part (203) has a top side and a lateral side. The lateral side is downwardly extended from the top side. A second crucible part (204) is installed on the inner side of the first crucible part. The second crucible part has a second inclined part (245). A casting part (300) includes a first casting part and a second casting part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造硅衬底的方法，以通过将倾斜的石英坩埚装配到石墨坩埚中来防止硅熔体被污染。 构成：第一坩埚部分（203）具有顶侧和侧面。 侧面从顶侧向下延伸。 第二坩埚部分（204）安装在第一坩埚部分的内侧。 第二坩埚部分具有第二倾斜部分（245）。 铸造部件（300）包括第一铸造部件和第二铸造部件。
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