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公开(公告)号：KR1020070059941A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060103691
申请日：2006-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04R19/04 , H04R9/08 , H04R17/02 , H04R2499/11
Abstract: A microphone and a speaker having a spring and a sound recognition/synthesizing device using the same are provided to perform simple hardware sound recognition/systemization by receiving sounds classified by frequencies and generating the sound classified by the frequencies. A microphone having a spring includes a frame(400), at least one vibration plate(410), at least on elastic unit(420), and at least one sensor unit(430). The elastic unit(420) has a predetermined plate spring structure and is connected to the frame(400) and the vibration plate(410). The sensor unit(430) is located on the elastic unit(420), and detects a vibration of the vibration plate(410) which is transferred to the elastic unit(420). The sensor unit(430) is located on a part on which a stress is focused. The sensor unit(430) is made of a piezoelectric material or an electric resistance material. The plate spring structure or the vibration plate(410) has a predetermined natural frequency characteristic.
Abstract translation: 提供具有弹簧的麦克风和扬声器以及使用其的声音识别/合成装置，以通过接收按频率分类的声音并产生由频率分类的声音来执行简单的硬件声音识别/系统化。 具有弹簧的麦克风包括框架（400），至少一个振动板（410），至少在弹性单元（420）和至少一个传感器单元（430）上。 弹性单元（420）具有预定的板簧结构，并连接到框架（400）和振动板（410）。 传感器单元（430）位于弹性单元（420）上，并且检测传递到弹性单元（420）的振动板（410）的振动。 传感器单元（430）位于应力集中的部分上。 传感器单元（430）由压电材料或电阻材料制成。 板簧结构或振动板（410）具有预定的固有频率特性。
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公开(公告)号：KR1020070059916A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060085823
申请日：2006-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66 , H01L21/302 , G11B9/14
Abstract: A near-field optical probe based on an SOI(Silicon On Insulator) substrate is provided to restrain the generation of impact between a tip and a sample by using an improved tip structure. A near-field optical probe includes a cantilever arm support part and a cantilever arm. The cantilever arm support part(62) is composed of a lower silicon layer(10) of an SOI substrate(18). The cantilever arm support part includes a through hole at one side of the lower silicon layer. The cantilever arm(64) is composed of a bonding oxide pattern(12) and an upper silicon pattern(16a), a silicon oxide pattern and a light transmission preventing layer. The silicon oxide pattern(26a) includes a tip(38) with an aperture(40). The light transmission preventing layer is formed on the silicon oxide pattern without filling up the aperture. The tip is formed like a cone type structure or a parabola type structure.
Abstract translation: 提供了基于SOI（绝缘体上硅）衬底的近场光学探针，以通过使用改进的尖端结构来限制尖端和样品之间的冲击的产生。 近场光学探针包括悬臂支撑部和悬臂。 悬臂支撑部分（62）由SOI衬底（18）的下硅层（10）组成。 悬臂支撑部分包括在下硅层一侧的通孔。 悬臂（64）由接合氧化物图案（12）和上硅图案（16a），氧化硅图案和防透光层组成。 氧化硅图案（26a）包括具有孔（40）的尖端（38）。 透光防止层形成在氧化硅图案上而不填充孔。 尖端形成为锥形结构或抛物线型结构。
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公开(公告)号：KR100634213B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020050063721
申请日：2005-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: 본 발명은 구동 헤드 및 그를 구비하는 개인용 원자현미경에 관한 것으로, 휨 감지부가 구비되며 탐침을 이동시키는 캔티레버, 캔티레버를 상,하로 이동시키는 구동 헤드 및 시료를 x 축 및 y 축 방향으로 이동시키는 스캐너를 포함한다. 캔티레버는 휨 감지부를 구비하는 간단한 구조로 이루어지고, 구동 헤드 및 스캐너는 양방향 변위가 가능하고 유연 힌지의 탄성에 의해 큰 변위폭을 갖는다. 본 발명의 개인용 원자현미경은 높은 선형성을 갖기 때문에 히스테리시스나 크립 현상이 거의 발생되지 않는다. 그러므로 보정을 위한 별도의 센서 시스템이 필요하지 않으며, 한번의 초기 보정을 통해 원하는 이미지를 얻을 수 있다.
원자현미경, 캔티레버, 구동 헤드, 유연 힌지, 스캐너-
公开(公告)号：KR1020060064496A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050074440
申请日：2005-08-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 초소형 광/자기 헤드 액튜에이터를 제공한다. 본 발명은 디스크의 정보를 읽거나 디스크에 정보를 기록하기 위하여 헤드가 장착되고, 수평 방향 및 수직 방향으로 이동할 수 있는 스윙암과, 상기 스윙암을 디스크에 대하여 수평 방향(트래킹 방향)으로 이동시킬 수 있는 트래킹 액튜에이터를 포함한다. 더하여, 본 발명은 상기 스윙암의 회전 반경을 조절하고 상기 스윙암의 트래킹 방향 이동을 가이드하는 피봇 힌지와, 상기 스윙암을 디스크에 대하여 수직 방향(포커싱 방향)으로 이동시킬 수 있는 포커싱 액튜에이터를 포함한다. 상기 포커싱 액튜에이터는 상기 스윙암의 하부에 부착된 포커싱 코일과 상기 포커싱 코일의 하부에 위치하는 할바 배열 자석으로 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 마찰이나 백래쉬가 없고 비반복 오차도 줄일 수 있고, 할바 배열 자석을 이용하여 초소형 저장 장치의 두께를 대폭적으로 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100566810B1
公开(公告)日：2006-04-03
申请号：KR1020040026951
申请日：2004-04-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B9/14
CPC classification number: G01Q60/22 , G11B7/1387
Abstract: 본 발명은 근접광 현미경이나 근접광 정보 저장 장치 등에 적용되는 근접광 탐침의 제작 방법에 관한 것으로, 캔티레버와 광 팁이 일체형으로 이루어지며 광 팁이 기판의 상부를 향하는 구조의 근접광 탐침을 제공한다. SOI(Silicon On Insulator) 기판의 최상부 실리콘층에 고농도의 붕소 이온을 주입하고, 팁 내부의 실리콘을 에칭하여 구멍을 형성하는 과정에서 붕소 이온이 주입된 실리콘층이 에칭 저지층으로 작용하도록 함으로써 캔티레버가 노출된 상태에서도 팁 내부의 실리콘을 용이하게 제거할 수 있으며, 캔티레버와 팁을 동시에 제작하기 때문에 공정이 간단하다.
근접광, 탐침, 캔티레버, 이온 주입, 에칭 저지층-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040042420A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020070716
申请日：2002-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N13/16
CPC classification number: G01Q60/32
Abstract: PURPOSE: A non-contact type measurement apparatus by using frequency response division and a measuring method thereof are provided to reduce the number of driving sections by measuring a surface level and vibrating a cantilever using one driver. CONSTITUTION: A non-contact type measurement apparatus includes a base section(10). An X-Y scanner(11) is aligned on the X-Y scanner(11). A sample(12) is positioned on the X-Y scanner(11). A cantilever(15) having a sensing section(13) is formed on the sample(12). One end of the cantilever(15) is supported by a driving section(16) and the other end of the cantilever(15) is provided with a tip(14). A fixing member(17) is provided to support the driving section(16). A sensing section(13) detects amplitude of frequency according to a variation of a distance between the tip(14) and the sample(12).
Abstract translation: 目的：提供使用频率响应分割的非接触型测量装置及其测量方法，以通过使用一个驱动器测量表面水平和振动悬臂来减少驱动部分的数量。 构成：非接触型测量装置包括基部（10）。 X-Y扫描仪（11）在X-Y扫描仪（11）上对准。 样品（12）位于X-Y扫描仪（11）上。 在样品（12）上形成具有感测部分（13）的悬臂（15）。 悬臂（15）的一端由驱动部分（16）支撑，并且悬臂（15）的另一端设置有尖端（14）。 设置固定构件（17）以支撑驱动部分（16）。 感测部（13）根据尖端（14）和样本（12）之间的距离的变化来检测频率的振幅。
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公开(公告)号：KR1020020054111A
公开(公告)日：2002-07-06
申请号：KR1020000082806
申请日：2000-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B9/14
CPC classification number: G11B7/14 , B82Y10/00 , G11B7/122 , G11B7/1387 , G11B9/14 , G11B9/1418 , G11B9/1436
Abstract: PURPOSE: A high-speed and high-density optical information storing device using unidimensional multiple-function and multiple probe row is provided to integrate optical probes in a radial direction in one row, and to selectively operate a cantilever system and a connection pad system, so as to contact the probes with a medium surface regularly or intermittently. CONSTITUTION: A recordable area on a disk media(30) is classified into small tracks and large tracks. A probe row between the short tracks and between the large tracks is moved by a dual motion and driving controlling unit in which a high-resolution motion and a low-resolution motion are integrated. The probes(10) are arranged in one row and each probe is attached to a free-end of an arm(22). The arm is moved in a radial direction of the disk media. The arm records and reproduces information while the disk rotates. Each probe has a light source and a light detector and is controlled independently. And the probes are fabricated with electric and thermal conductors, or coated with conductors on surfaces to apply electric and thermal conductivity to the probes.
Abstract translation: 目的：提供使用一维多功能和多探针行的高速和高密度光学信息存储装置，以一行的方式将光学探针沿径向整合，并选择性地操作悬臂系统和连接垫系统， 以便定期或间歇地与中等表面接触探针。 规定：磁盘介质（30）上的可记录区域分为小轨道和大轨道。 短轨道之间和大轨道之间的探针行由双运动和驱动控制单元移动，其中高分辨率运动和低分辨率运动被集成。 探针（10）布置成一排，并且每个探针附接到臂（22）的自由端。 臂沿磁盘介质的径向方向移动。 手臂在磁盘旋转时记录和再现信息。 每个探头都有一个光源和一个光检测器，并独立控制。 并且探针由电导体和热导体制成，或者在表面上涂覆有导体以对探针施加电和导热性。
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公开(公告)号：KR1020020051537A
公开(公告)日：2002-06-29
申请号：KR1020000080893
申请日：2000-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B9/12
CPC classification number: G11B9/14 , B82Y10/00 , G11B7/0937 , G11B7/12 , G11B7/1387 , G11B9/1409 , G11B11/007 , G11B2005/0021
Abstract: PURPOSE: A device for writing and reading high density data using a multifunction near-field probe is provided to locally heat a near-field light coming from an aperture and media by a current induced from an end of a conducting cantilever when recording data on media, thereby increasing a recording speed. CONSTITUTION: A conducting cantilever(10) forms a cantilever stage(12) and a near-field optical aperture probe(11) as one body, and locally heats a near-field light coming from the near-field optical aperture probe and media by a current induced to media from the probe or induced from the probe, then writes data. An optical detector(42) reads the written data by reflectivity of a light coming from the near-field optical aperture probe or transmissivity of the media. A conducting protruding probe(13) and the near-field optical aperture probe are formed side by side in one cantilever. Intervals of the two probes are within dozens of nanometers for exact tracking or seeking. The conducting protruding probe writes data. The written data is read by the near-field optical aperture probe. When writing the data, heat is generated by resistivity generated to media(25) from the conducting protruding probe. The protruding probe having big resistivity uses heat by self resistance.
Abstract translation: 目的：提供一种使用多功能近场探头写入和读取高密度数据的装置，以便在将介质上记录数据时从导电悬臂的末端引起的电流局部加热来自孔径和介质的近场光 ，从而提高记录速度。 构成：导电悬臂（10）形成悬臂台（12）和近场光孔探针（11）作为一体，并且局部加热来自近场光学孔径探针和介质的近场光 从探针引起的电流或从探针诱发的电流，然后写入数据。 光学检测器（42）通过来自近场光学孔径探测器的光的反射率或介质的透射率来读取写入的数据。 导电突出探针（13）和近场光学孔探针在一个悬臂中并排形成。 两个探针的间隔在几十纳米内，用于精确跟踪或寻找。 导电突出探针写入数据。 写入的数据由近场光学孔径探头读取。 当写入数据时，通过从导电突出探针向介质（25）产生的电阻产生热量。 具有较大电阻率的突出探针通过自身阻力使用热量。
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公开(公告)号：KR100279739B1
公开(公告)日：2001-04-02
申请号：KR1019980049310
申请日：1998-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 나노미터 크기의 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 위에 반응성이 뛰어난 저에너지의 질소 이온을 이용하여 실리콘 나이트라이드 박막을 형성하여 실리콘 표면을 불활성화하는 공정과, 상기 실리콘 나이트라이드 박막 위에 실리콘을 기상 증착하여 수 나노미터 두께의 실리콘 박막을 균일한 높이로 형성하는 공정과, 상기 실리콘 나이트 라이드 박막과 실리콘 박막이 차례로 형성된 기판을 800℃ 정도로 유지하고, 질소 기체를 주입하여 크기가 수-수십 나노미터 정도이고 두께가 단일층 정도인 실리콘 나이트라이드 섬들을 균일하게 형성하는 공정과, 상기 공정에 의해 형성된 구조체의 온도를 700℃정도로 유지하고 산소기체를 주입하여 실리콘 나이트라이드로 덮이지 않은 실리콘 층만 산소에 의해 식각하여 실리콘 양� �점을 형성하는 공정과, 반응성 이온을 이용하여 상기 실리콘 양자점을 덮고 있는 단일층의 실리콘 나이트 라이드 막을 제거하는 공정으로 구성되어, 비용 및 시간을 크게 절감시킬 수 있으며, 초고순도의 구조 형성을 기대할 수 있고, 상호 전기적으로 분리된 나노미터 크기의 실리콘 양자점을 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000032755A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980049310
申请日：1998-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/3086 , Y10S438/947 , Y10S438/962
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating silicon quantum dots of a nanometer size is provided to form silicon quantum dots of the same height at low cost and in a short time. CONSTITUTION: A method for fabricating silicon quantum dots of a nanometer size comprises forming a silicon nitride layer(12) on a silicon substrate(11) by using nitrogen ions to make the surface of the silicon inert, forming a silicon layer(13) of uniform thickness by vapor-phase deposition, forming silicon nitride islands(14) of a nanometer size and uniform thickness at 800°C and nitrogen atmosphere, forming silicon quantum dots(13) by etching the silicon layer(13) which is not covered with the silicon nitride layer(12) at 700°C and oxygen atmosphere, and removing the silicon nitride layer(12) with reactive ions.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米尺寸硅量子点的方法，以低成本和短时间形成相同高度的硅量子点。 构成：用于制造纳米尺寸的硅量子点的方法包括通过使用氮离子在硅衬底（11）上形成氮化硅层（12）以使硅的表面成为惰性的，形成硅层（13）为 通过气相沉积均匀的厚度，在800℃和氮气氛下形成纳米尺寸和均匀厚度的氮化硅岛（14），通过蚀刻未被覆盖的硅层（13）形成硅量子点（13） 氮化硅层（12）在700℃和氧气氛下，用反应离子去除氮化硅层（12）。
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