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公开(公告)号：KR1020030056573A
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020010086835
申请日：2001-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01B11/26
CPC classification number: G01B11/26
Abstract: PURPOSE: A measuring apparatus for a slant angle of a SIL(Solid Immersion Lens) is provided to prevent a focal signal from generating error by measuring a slant degree of the SIL quantitatively with a principle of a collimator. CONSTITUTION: A measuring apparatus for a slant angle of a SIL(Solid Immersion Lens,211) comprises a light generating device(201), a first condenser(203) and a position sensing device(210). The light generating device generates light when projecting to the SIL formed like a hemisphere. The first condenser collects light reflected from a specular surface(208) on a lower portion of the SIL. The position sensing device measures a slant of the SIL according to a focus collected by the first condenser. A light divider(202) is included to project light generated from the light generating device to the first condenser and to progress light horizontally inside the SIL. Therefore, the focus of the SIL is formed correctly by measuring the slant of the SIL and compensating the slant with measured value.
Abstract translation: 目的：提供用于SIL（固体浸没透镜）的倾斜角的测量装置，以通过用准直器的原理定量测量SIL的倾斜度来防止焦点信号产生误差。 构造：用于SIL（固体浸没透镜211）的倾斜角度的测量装置包括发光装置（201），第一冷凝器（203）和位置感测装置（210）。 当投射到如半球形状的SIL时，发光装置产生光。 第一冷凝器收集从SIL的下部的镜面（208）反射的光。 位置检测装置根据由第一冷凝器收集的焦点测量SIL的倾斜度。 包括分光器（202）以将从发光装置产生的光投射到第一冷凝器，并在SIL内水平地进行光。 因此，通过测量SIL的斜度并用测量值补偿斜面，SIL的重点正确形成。
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公开(公告)号：KR1020010076618A
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：KR1020000003869
申请日：2000-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/00
Abstract: PURPOSE: A multi optical recording device is provided to increase a recording speed and a transferring speed according to number of focuses through recording/reproducing information on multiple tracks. CONSTITUTION: A beam progresses from a multi light source a suspension(120) by passing through a beam splitter and an optical waveguide(160). Then, the beam is transferred to an optical probe. A reflected beam progresses to an optical detector by passing through the optical waveguide and the beam splitter. Herein, the suspension is rotated centering upon a rotating shaft to connect information. A flying head body(171) is attached at an end of the suspension. Herein, the flying head is formed by a reflecting mirror(172), lenses(173,174) for concentrating beam reflected on the reflecting mirror, and an SIL(Solid Immersion Lens)(175) forming focuses of beam passed from the lenses.
Abstract translation: 目的：提供一种多光记录装置，通过在多个轨迹上记录/再现信息，根据焦点的数量增加记录速度和传送速度。 构成：光束通过穿过分束器和光波导（160）从多光源进入悬架（120）。 然后，将光束传送到光学探针。 反射光束通过光波导和分束器前进到光学检测器。 这里，悬架以旋转轴为中心旋转以连接信息。 悬挂头的一端附接有飞头体（171）。 这里，飞头由反射镜（172），用于集中反射在反射镜上的光束的透镜（173,174）和形成从透镜通过的光束的光束（Solid Immersion Lens）（175）形成。
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公开(公告)号：KR100298205B1
公开(公告)日：2001-08-07
申请号：KR1019980018328
申请日：1998-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: PURPOSE: A high integrated LED device of three colors and a method for fabricating the same are provided to improve a resolution by forming an LED for emitting a red color, a green color, and a blue color with a single chip. CONSTITUTION: A three-color LED device is formed on a wiring substrate(50) by contacting a metal bump(51) with a multitude of ohmic metal layer(35). The LED device and the wiring substrate(50) are aligned by using an optical microscope. An allowable margin of error is controlled within 2 micro meters. The metal bump(51) and the ohmic contact layers(35) are adhered to each other by using a ultrasonic wave method, a thermo-compression method, and a thermo-sonic method. A red LED, A green LED, a blue LED, and a transparent substrate(10) are located on the wiring substrate(50).
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公开(公告)号：KR100296710B1
公开(公告)日：2001-08-07
申请号：KR1019970047535
申请日：1997-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/68
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a diamond vacuum device is provided to improve efficiency of a vacuum device by using a diamond layer as a field emission layer. CONSTITUTION: A silicon oxide layer(11A) is formed on a silicon substrate. A polysilicon wiring layer is deposited thereon. A diamond layer is deposited selectively on an upper portion of the silicon wiring layer. A diamond cathode(13) is formed by removing the diamond layer from the upper portion of the silicon wiring layer. A metal such as titanium or tungsten is deposited thereon. A gate(15) and an anode(14) are formed by performing a mask process. The silicon oxide layer(11A) is etched by using a photoresist layer as a mask. The photoresist layer is removed. A photoresist layer is filled into the diamond cathode(13), the silicon wiring layer, the gate(15), and the anode(14). A silicon oxide layer(17) is deposited on the whole surface of the above structure. An exhaust hole is formed by etching the silicon oxide layer(17).
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公开(公告)号：KR100282607B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019970070317
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계발광 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 전계 발광소자는 투명 기판 또는 불투명 기판의 표면상에 선 형상 또는 매쉬 형상을 가지며, 측면이 경사진 패턴을 형성하고, 기판상에 투명 전극층, 제 1 절연층, 형광층, 제 2 절연층 및 금속 전극층을 차례로 적층하고, 상기 금속 전극층을 패터닝하여, 제 2 절연층의 볼록부 상평면 혹은 상평면과 경사면에 금속 전극을 형성하고, 상기 물질층들을 반대로 적층한 반전소자의 경우에는 제 1 절연층의 오목부의 상평면 혹은 상평면과 경사면에 걸쳐 투명전극을 형성하여 픽셀을 섬모양 또는 우물모양으로 형성하였다.
본 발명은 기판에 패턴을 미리 형성하여 패턴의 경사진 측면이 전계발광 소자의 휘도를 증가시킬 수 있도록 배열하여 전계발광 소자를 형성함으로써 빛의 측면 손실량을 감소시키고 전면 투과량을 증가시킨다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100279737B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019970070316
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출소자와 광소자로 구성된 단파장 및 그의 제작방법에 관한 것으로서, 광전소자 기판상에 초격자 완충층, 광도파층, 양자우물층, 브레그 회절 초격자층을 차례로 증착하고, 상기 기판의 이면상에 1차 절연막, 1차 금속막, 2차 절연막, 2차 금속막을 차례로 적층하고, 상기 2차 금속막상에 마스크 패턴을 형성한 후 노출된 2차 금속막으로부터 기판을 차례로 식각하여 상기 기판의 상표면상에 형성된 초격자 완충층의 표면을 노출시키는 비아홀을 형성하며, 상기 비아홀의 저면에 광반사막을 형성하고, 상기 기판의 상표면상의 브레그 회절 초격자층, 양자우물층, 광도파층을 메사구조를 가지도록 식각하고, 그 표면상에 양전극 금속막을 증착하여 광소자를 제조한 후 전계방출 소자 기판상에 절연막, 1차 금속막, 절연막, 2차 금속막, 고전압 절연막 및 3차 금속막을 차례로 적층하고, 상기 1차 내지 3차 금속막과 절연막을 감광막 패턴을 이용하여 상부로부터 차례로 식각하여 상기 기판의 표면을 노출시키는 개구를 형성하는 것에 의해 기판상에 그리드 금속, 1차 가속 전극 및 1차 집속전극을 형성하며, 상기 노출된 기판상에 음극용 탈침을 형성하는 것에 의해 전계방출 소자 어레이를 제조하고, 상기 광소자와 전계방출 소자 어레이를 지지기둥을 이용하여 소정의 간격으로 유지시켜 합착함으로써, 반도체를 pn 접합을 만들기 위한 불순물도핑이 필요치 않으며, 고에너지의 전자는 하나 이상의 전자-정공쌍을 발생시키게 되므로 매우 높은 효율을 낼 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR100277691B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980038422
申请日：1998-09-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 본 발명에서는 반도체 광전소자 형성을 위해 pn 접합에 전류를 흘리는 소수캐리어 주입이 아닌, 음극선발광 현상 즉, 높은 에너지의 전자빔을 주입하여 전자-정공쌍을 형성하고 그들의 재결합으로 광자를 얻는 방식을 이용한다. 본 발명은 900℃ 이하의 저온 성장이 가능하고, 평탄한 계면을 갖는 고품질의 SiC-AlN 초격자층을 성장시킬 수 있는 PA-MOMBE(plasma-assisted metalorganic molecular beam epitaxy) 시스템을 제안하고, 이를 이용하여 (SiC)
x (AlN)
1-x 의 사원계 혼정화합물의 다층양자우물층을 만들어 4∼6eV의 에너지에 해당되는 광자를 얻을 수 있도록 한다. 즉, 본 발명에 따른 PA-MOMBE 시스템은 종래기술에 비해 저온 성장이 가능하다는 장점이 있어 냉각시의 열팽창계수 차이에 의한 열응력, 확산 및 2차 생성물의 발생과 관련한 문제점을 방지하여 재현성 있는 고품질의 초격자층을 성장시킬 수 있다. 그리고, 플라즈마에 존재하는 이온의 에너지를 조절하여 이온충돌에 의한 결함의 생성문제를 해결하며 원자단위로 평탄한 초격자층을 성장시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100270319B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019970064079
申请日：1997-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B23/066
Abstract: PURPOSE: An evaporation crucible for an epitaxial apparatus is provided to minimize the contamination of the apparatus and the time required to recover the state. CONSTITUTION: A gate valve is installed between an entrance flange and an adapter flange of a vacuum chamber, and maintains the vacuum in the vacuum chamber by being isolated from the external, and is opened/closed to introduce vacuum into the vacuum chamber. An introduction tube comprises a heater providing heat to evaporize a growth material and a supporter supporting the heater. And, a crucible flange(23) is combined with a bottom flange of an adapter by being installed to one end of the introduction tube. And, a fringe tube(25) is extended and shrunken to separate the introduction tube from the vacuum chamber by removing a local vacuum as maintaining the vacuum of the vacuum chamber.
Abstract translation: 目的：提供用于外延装置的蒸发坩埚，以最小化装置的污染和恢复状态所需的时间。 构成：闸阀安装在真空室的入口法兰和适配器法兰之间，通过与外部隔离而将真空保持在真空室中，并打开/关闭以将真空引入真空室。 引入管包括提供热量以蒸发生长材料的加热器和支撑加热器的支撑件。 并且，坩埚凸缘（23）通过安装在导入管的一端与适配器的底部凸缘组合。 并且，通过在保持真空室的真空的情况下去除局部真空，使边缘管（25）伸长和缩小以将引入管与真空室分离。
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公开(公告)号：KR1019990085730A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980018328
申请日：1998-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 SiC, AlN, GaN, ZnSe InGaAlP, GaAsP, AlGaAs와 같은 고상의 화합물 반도체를 이용하여 폭넓게 에너지밴드갭 (wide energy band gap; WBG)을 조절함으로써, 적색, 녹색, 청색 세 종류의 빛을 발하는 이종접합구조의 세 가지 발광소자를 단일칩에 수직으로 집적시켜, 광의 삼원색을 동일한 위치에서 동시에 복합적으로 발광시킬 수 있는 집적형 발광소자 제공하고, 집적화된 금속배선을 통하여 각 발광소자의 활성층에 전자와 정공쌍을 집중시키는 동시에 그들의 에너지 준위를 조절하여 방출되는 광자의 에너지를 조절하고 재결합 효율을 높이기 위한 것으로, 기판 상에 형성된 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 클래드층으로 이루어진 적색 발광소자, 상기 제2 클래드층 상에 형성된 투명절연막, 상기 투명절연막 상에 형성된 제3 클래드층, 제2 활성층 및 제4 클래드� �으로 이루어진 녹색 발광소자 및 상기 제4 클래드층 상에 형성된 제5 클래드층, 제3 활성층 및 제6 클래드층으로 이루어진 청색 발광소자를 포함하여 이루어진다. 상기 청색, 녹색 및 적색 발광소자는 공통의 출력부로 광을 발하며, 상기 제4 클래드층 및 제5 클래드층은 단일층으로 이루어지기도 한다. 본 발명에 따라 기존의 전광판에 이용되는 세 개의 발광소자를 단일 삼색 발광소자로 대체할 수 있으며, CRT, PDP, LCD 등의 기술보다 해상도를 2배 이상으로 높일 수 있고, 전극을 포함하는 두께를 매우 얇게 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990025772A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047535
申请日：1997-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/68
Abstract: 본 발명은 다이아몬드 진공 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 다이아몬드 박막을 전계 방출용으로 이용하는 진공 소자 제조 방법에 관한 것이다.
진공 소자는 전자의 방출 팁으로 텅스텐이나 타이타늄 합금등의 내화 금속을 사용하는데, 이들 금속의 전자방출을 위해서는 가열을 하거나 수 십 ∼ 수 백 V 이상의 높은 전압을 걸어 주어야 한다. 따라서 반도체 칩 위에 장착할 수 있는 만큼의 크기로 축소시키기도 어렵고 기대하는 만큼의 성능을 얻기가 어렵다. 또한 공정이 매우 복잡하고 정밀한 장치 및 제어기술이 필요한 문제점 및 제작 단가가 비싸고 수율도 높지 않은 것이 단점이다.
본 발명에서는, 낮은 전압에서도 전자 방출이 가능하고 화학적인 변화에 강하며 음성 전자친화력을 가지고 있는 다이아몬드를 사용하여 고속 및 고전압용 진공 소자를 제조하는 방법을 제시한다.
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