公开(公告)号：KR1019960009244A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940019494

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  안주헌 ,  김홍만

IPC: H01L31/14

Abstract: 본 발명은 광스위치의 광도파로와 반도체 광증폭기를 최적화시키는 반도체 광증폭기의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 n형의 화합물 반도체 기판(15)상에 형성되는 도핑되지 않은 화합물 반도체 도파로층(14)과, 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)이 홈모양으로 선택식각되는 도파로(3)영역과, 상기 홈모양의 도파로(3)영역상에 형성된 홈모양의 광증폭기(1)영역의 도핑되지 않은 반도체 화합물 활성층(11) 및 반도체 화합물 클래드층(10), 화합물 반도체 캡층(9)과, 상기 홈모양의 측면에 형성된 전류차단층을 포함하는 구조를 이루고 있다.
또한 본 발명의 제조방법은 도파로층 도핑되지 않은 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 1차 결정 성장시키는 단계와, 선택식각액으로 증폭기(1)영역의 도파로층 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 홈모양으로 선택식각하는 단계와, 증폭기의 도핑되지 않은 활성층 InGaAsP(11), 클래드층 p-InP(12) 및 p+-InGaAs(9)을 제 2 차 결정시키는 단계와, 도파로를 식각하고 전극을 증착하는 단계로 이루어진다.
상기한 바와같이 본 발명은 2회의 결정 성장만으로도 제작이 가능하며 전류를 차단시킬 수 있으며, 옴저항을 최소화 할 수 있으며 일정 부분에 반송자의 집속시켜 입력광에 대한 효과적인 이득을 얻어 일정한 광이득을 얻기 위한 동작전류를 최소화 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950019795A

公开(公告)日：1995-07-24

申请号：KR1019930027625

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종대 ,  박기성 ,  오광룡 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: G02B6/26

Abstract: 본 발명은 트랜치를 이용한 내부 전반사형 광스위치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 광스위치는 에피의 성장, 식각을 통한 트랜치의 형성, 재성장을 통한 오믹충의 형성, 전극증착등에 의해 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분을 식각한 후 재성장법을 사용하여 종래의 Zn확산법에 의해 형성되는 전반사 영역보다 도핑분포를 조절함이 용이하여 전류주입층과 도파로층간이 도핑이 계단형 분포를 이룸으로 전류주입에 의한 스위칭 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 상승 플래딩에 반절연 InP를 삽입하여 광도파로의 전파손실을 주지 않으면서 전류주입시 전류의 확산을 막는 구조이다.

公开(公告)号：KR100084364B1

公开(公告)日：1995-04-27

申请号：KR1019910021083

申请日：1991-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L27/06

公开(公告)号：KR1019950010147A

公开(公告)日：1995-04-26

申请号：KR1019930018267

申请日：1993-09-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박기성 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

Abstract: 본 발명은 광스위치의 집적도증가 및 도파로 폭설계등의 조건을 완화시켜 우수한 성능의 광스위치를 제작하는 데 목적이 있는 것으로, 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피성장, 홈(groove)식각, Zn확산, 전극증착등에 의하여 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈식각되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈식각되어 Zn 확산이 깊숙이 이루어져 전류주입이 집중되어 지고 홈의 양옆으로는 p/n/p/n 접합이 형성되어 전류주입이 차단되어 진다.
즉, p형 접촉면적은 도파로 폭전체에 형성되어지고 전류 주입은 홈식각된 반사면을 이루고자하는 부분에서만 이루어진다.
그결과 p옴 저항접촉면적을 극대화시켜 접촉저항이 최소화하고, p형 전극증착시에 1㎛정도의 리쏘그라피 정렬조건이 제거되어 제작공정이 수월해진다.
도파로폭이 설계요건을 완화시켜 3~4㎛폭까지 가능해지고, 동작전력의 감소로 집적도 및 교환용량 향상에 기여할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950010144A

公开(公告)日：1995-04-26

申请号：KR1019930018146

申请日：1993-09-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  오광룡 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

公开(公告)号：KR1019940016861A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920024315

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡

IPC: H01L27/146

Abstract: 본 발명은 PIN형 광검출기와 증폭용 트랜지스터를 단일칩으로 집적시키는 수신용 광전집적회로 및 그 제조방법에 관한 것으로, PIN형 광검출기는 InP층(5)과 격자정합을 이루는 도핑되지 않은 흡수층(6)을 갖고, 증폭용 트랜지스터는 채널층(2) 상에 형성된 게이트 전극(9)에 의해 자기정렬된 소오스 전극(11a) 및 드레인 전극(11b)을 갖고, PIN형 광검출기와 증폭용 트랜지스터가 상호간 표면단차없이 수평으로 집적됨으로써, 짧은 게이트 길이를 갖는 트랜지스터의 제작이 용이하고 수율 및 재현성을 향상시킬 수 있으며 광검출기와 트랜지스터의 성능을 동시에 독립적으로 극대화시킬 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100061765B1

公开(公告)日：1993-05-03

申请号：KR1019890020674

申请日：1989-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박기성 ,  오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L21/82

公开(公告)号：KR100057505B1

公开(公告)日：1992-12-21

申请号：KR1019890019572

申请日：1989-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박기성 ,  김상배 ,  오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L29/73

公开(公告)号：KR1020140100296A

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：KR1020130013436

申请日：2013-02-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오기 ,  오광룡 ,  한영탁

IPC: H01S5/06

CPC classification number: G02F1/25 ,  G01J3/10

Abstract: A wavelength variable light source according to an embodiment of the present invention includes a superluminescent light emitting diode for generating light in a specific wavelength band; a voltage generating unit for generating a first voltage and a second voltage; a first filter for receiving the first voltage from the voltage generating unit, receiving light emitted from the superluminescent light emitting diode, and passing the light, corresponding to wavelengths spaced with specific wavelength distance apart among the received light, as second light; a second filter for receiving the second voltage from the voltage generating unit, receiving the second light from the first filter, and passing light, corresponding to one wavelength among the spaced wavelengths of the received second light, as third light; a reflective mirror arranged at the output end of the second filter, for reflecting the third light through the second filter, wherein the first filter is configured to adjust the spaced wavelengths according to the first voltage, and the second filter is configured to adjust one wavelength according to the second voltage.

Abstract translation: 根据本发明实施例的波长可变光源包括用于产生特定波长带的光的超发光发光二极管; 用于产生第一电压和第二电压的电压产生单元; 第一滤波器，用于从电压产生单元接收第一电压，接收从超发光发光二极管发射的光，并将对应于在接收的光之间隔开特定波长距离的波长的光作为第二光; 从所述电压产生单元接收所述第二电压的第二滤波器，从所述第一滤波器接收所述第二光，并将对应于所接收的第二光的间隔波长中的一个波长的光作为第三光; 布置在所述第二滤光器的输出端的反射镜，用于通过所述第二滤光器反射所述第三光，其中所述第一滤光器被配置为根据所述第一电压来调节间隔的波长，并且所述第二滤光器被配置为调节一个波长 根据第二电压。

公开(公告)号：KR1020100117815A

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020090036470

申请日：2009-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  김남제 ,  신재헌 ,  심은덕 ,  이철욱 ,  백용순 ,  한상필 ,  오광룡

IPC: H01S3/067

CPC classification number: H01S3/0675 ,  H01S3/0619 ,  H01S5/0657

Abstract: PURPOSE: A dual mode optical fiber laser module is provided to obtain two stable oscillating wavelength by controlling the two oscillating wavelength using injection locking method within the optical fiber laser oscillator. CONSTITUTION: A dual mode optical fiber laser module(200) comprises an optical fiber laser(210), a first injection locking unit(222) offering the first injection locking to the optical fiber laser, and a second injection locking unit(224) offering the second injection locking to the optical fiber laser. A first wavelength of the first injection locking unit and a second wavelength of the second injection locking unit are different from each other.

Abstract translation: 目的：提供双模光纤激光模块，通过光纤激光振荡器内的注入锁定方式控制两个振荡波长，获得两个稳定的振荡波长。 构成：双模光纤激光器模块（200）包括光纤激光器（210），向光纤激光器提供第一注入锁定的第一注入锁定单元（222）和提供光纤激光器的第二注入锁定单元（224） 第二次注射锁定到光纤激光器。 第一注入锁定单元的第一波长和第二注入锁定单元的第二波长彼此不同。