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公开(公告)号：KR1019950009632B1
公开(公告)日：1995-08-25
申请号：KR1019920023359
申请日：1992-12-04
IPC: H01L33/00
Abstract: The device consists of a p-type optical waveguide layer which is formed on a substrate, a cladding layer and a cap layer which are formed sequentially on the optical waveguide layer, the first electrode and a p-type electrode which are formed on the bottom of the substrate and on the cap layer respectively, the second electrode which are formed on the cap layer, and the third electrode which are similar to the first electrode formed on the part of the second electrode.
Abstract translation: 该器件由形成在基板上的p型光波导层，覆盖层和盖层依次形成在光波导层上，第一电极和p型电极形成在底部 分别形成在盖层上的第二电极和与形成在第二电极的部分上的第一电极相似的第三电极。
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公开(公告)号：KR1019950020994A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029350
申请日：1993-12-23
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 결정성장 장비인 유기금속 기상 결정성장 장치의 반응기 구조에 관한 것으로, 특히 균일도가 향상된 양질의 반도체 결정을 성장시키기 위한 수직형 유기금속 기상 결정성장치(MDCVD)의 반응기 구조에 관한 것으로 배기구를 중심으로 대칭된 구조의 서로 다른 구멍크기를 갖는 매쉬밴드(mesh band)를 반응기 마운트에 삽입하게 되나. 이 경우 역시 반응기내의 성장입력이나 속도등의 성장조건 변화에 따라 최적화된 매쉬밴드(mesh band)의 구멍크기비를 찾는데 어려움이 많은 문제점을 해소하기 위하여 상기의 문제점을 달성하기 위하여 본 발명에서는 반응기 마운트의 배기구 양단에 2개의 배기관을 만듬으로서 대칭점을 하나 더 늘려 유체의 분산도를 크게함을 특징으로 함.
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公开(公告)号：KR101695703B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020090119834
申请日：2009-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은레이저발생기를제공한다. 이레이저발생기는직선부및 상기직선부일단으로부터연장되는테이퍼부를포함하는중공광학커플러, 상기직선부및 상기테이퍼부를연속적으로관통하는제1 광섬유, 상기중공광학커플러의상기직선부의타단에연결되는제2 광섬유, 상기제2 광섬유의일단에연결된펌프광원, 상기제1 광섬유의일단과연결된반사체, 상기제1 광섬유의타단과연결되고, 상기반사체와함께레이저캐비티(cavity)를구성하는출력커플러, 상기제1 광섬유의상기일단과상기반사체사이에배치되고, 상기레이저케비티(cavity)의선택도(Q factor)를조절하는변조기를포함하되, 상기중공광학커플러는상기펌프광원을통하여상기제2 광섬유로부터공급되는광을상기제1 광섬유에사이드결합(side coupling) 할수 있다.
Abstract translation: 目的：提供激光发生器，通过使用侧耦合方法和中空光耦合器的控制激光器来最小化泵浦光源的损耗。 构成：第一光纤（120）的一端依次连接到调制器（180）和反射器（182）。 第一光纤的一端用单模光纤（162）连接到调制器。 第一光纤的另一端依次连接到输出耦合器（184）和输出端子（190）。 光耦合装置（100）的锥形部分面向输出端（190）。 光耦合装置位于调制器比输出端更连续的位置。 第一光纤的核心直接连接到单模光纤（162）的核心。
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公开(公告)号：KR101250441B1
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020090053536
申请日：2009-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581 , H04J14/02
CPC classification number: H04J14/0282
Abstract: 본 발명은 파장분할다중 방식의 수동형 광통신망 장치를 제공한다. 이 장치는 광 신호를 발생시키는 제1 광원부, 제1 광원부의 광 신호를 일단으로 입력받아 다중화하여 출력하는 제1 다중화/역다중화기, 및 제1 다중화/역다중화기의 타단에 연결된 제1 처핑된 브래그 격자를 포함한다. 제1 처핑된 브래그 격자는 제1 다중화/역다중화기를 통과한 광을 다시 반사시켜 제1 다중화/역다중화기 및 제1 광원부으로 일정 부분 재입력시킬 수 있다. 제1 다중화/역다중화기는 재입력된 광을 스펙트럼 슬라이싱(spectrun slicing)하고, 제1 다중화/역다중화기의 채널 파장을 주발진 파장으로 광원부을 동작시키어 자체 잠김(self-injection locking) 구조를 제공할 수 있다.
처핑된 회절격자 (chirped grating), 자체 잠김 (self-injection locking), 파장분할다중 방식의 수동형 광통신망(WDM-PON:Wavelength Division Multiplexed-Passive Optical Network), 광다중화기, 페브리-페롯 레이저 다이오드 (Fabry-Perot laser diode), 반사형 반도체 광증폭기 (Reflective Semiconductor Optical Amplifier), 파장무의존 광원 (colorless optical source)-
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公开(公告)号：KR1020120124548A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042251
申请日：2011-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/1028 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/2222 , H01S2301/16 , G02B6/12016 , G02B6/12033
Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical device and a manufacturing method thereof are provided to minimize the leakage of a forward current for light amplification with a current breaking unit by forming the current breaking unit in a PNP structure. CONSTITUTION: A first mode converting core(MCC1), a light amplification core(LAC), a second mode converting core(MCC2), and a light modulating core(LMC) are placed on a first mode converting region(10), a light amplification region(20), a second mode converting region(30), and a light modulating region(40) of a semiconductor substrate respectively. A current breaking unit covers a side wall and an upper surface of the light amplification core. The first mode converting core, the light amplification core, the second mode converting core, and the light modulating core are sequentially arranged in a direction to be butt joint with each other. The current breaking unit includes cladding patterns laminated in order.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体光学器件及其制造方法，其通过在PNP结构中形成电流分断单元，以最大限度地减少用于断电单元进行光放大的正向电流的泄漏。 构成：在第一模式转换区域（10）上放置第一模式转换核心（MCC1），光放大核心（LAC），第二模式转换核心（MCC2）和光调制核心（LMC） 放大区域（20），第二模式转换区域（30）和半导体衬底的光调制区域（40）。 电流断路单元覆盖光放大芯的侧壁和上表面。 第一模式转换核心，光放大核心，第二模式转换核心和光调制核心依次布置在彼此对接的方向上。 电流断路单元包括层叠的覆层图案。
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公开(公告)号：KR101199301B1
公开(公告)日：2012-11-09
申请号：KR1020090027619
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 화합물 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 기판 상에 언도프트 화합물 반도체막을 형성하고, 언도프트 화합물 반도체막 상에 도펀트막을 형성하고, 어닐링 공정을 수행하여 도펀트막내 도펀트들을 언도프트 화합물 반도체막내로 확산시켜 도펀트 확산 영역을 형성하고, 도펀트 확산 영역을 갖는 기판에 액체질소를 사용하는 급속 냉각 처리를 수행한다.
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公开(公告)号：KR101066604B1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020080130496
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
Abstract: 고속 광 통신에 적합한 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 제1 도전형 기판의 전면(全面)에 차례로 제1 도전형 버퍼층, 광 흡수층, 그레이딩층, 제1 도전형 전기장 조절층 및 제1 도전형 증폭층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층을 식각하여 제2 폭을 갖는 제2 리세스부와, 제2 리세스부로부터 연장되고 제2 폭보다 작은 제1 폭을 갖는 제1 리세스부를 포함하는 리세스 영역을 형성한다. 다음, 리세스 영역에 제2 도전형 확산 물질을 제공하고 제2 도전형 증폭층으로 확산시켜 제2 도전형 확산층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층 상에 제2 도전형 확산층과 연결되는 제2 도전형 전극을 형성한 후, 제1 도전형 기판의 후면에 제1 도전형 전극을 형성하여 아발란치 포토 다이오드를 제조한다.
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公开(公告)号：KR1020110065305A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020100091205
申请日：2010-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S3/06708 , G02B6/03694 , G02B6/268 , G02B6/29361 , H01S3/06791
Abstract: PURPOSE: A double clad optical fiber laser device is provided to offer a high amplification rate with respect to an incident light by using a pump light incident into a core as well as a clad. CONSTITUTION: The first and the second optical fiber Bragg gratings(110,150) are formed at both sides of a double clad optical fiber laser device(100). The double clad optical fiber laser device includes a laser diode for core pumping(120), a wave division multiplex optical coupler(125), laser diodes for clad pumping(131-136), a pump light coupler(130) and a double clad optical fiber(140). The first and second fiber optic Bragg gratings are operated as a resonator for the laser oscillation.
Abstract translation: 目的：提供双包层光纤激光器件，通过使用入射到芯中的泵浦光以及包层，提供相对于入射光的高放大率。 构成：第一和第二光纤布拉格光栅（110,150）形成在双包层光纤激光器件（100）的两侧。 双层包层光纤激光器件包括一个用于磁芯泵浦的激光二极管（120），一个波分复用光耦合器（125），用于包层泵浦的激光二极管（131-136），一个泵浦光耦合器（130）和一个双层包层 光纤（140）。 第一和第二光纤布拉格光栅作为激光振荡的谐振器来操作。
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公开(公告)号：KR1020110064148A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120617
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01S5/0265 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/2813 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/50
Abstract: PURPOSE: An optical device module is provided to realize high integration and miniaturization using an embedded multi mode interference coupler integrated with a light modulator which has a ridge structure. CONSTITUTION: A semiconductor light amplifier(10) comprises a first active layer(12) and a second active layer(22) which are different. A light modulator(20) modulates a light signal transferred to the second active layer. The second active layer is formed between the light modulator and the semiconductor light amplifier. A multi-mode interference coupler(30) is integrated with the light modulator. The semiconductor light amplifier and the multi-mode interference coupler are connected to a bonding surface(50).
Abstract translation: 目的：提供一种光器件模块，以实现与具有脊结构的光调制器集成的嵌入式多模干涉耦合器的高集成度和小型化。 构成：半导体光放大器（10）包括不同的第一有源层（12）和第二有源层（22）。 光调制器（20）调制转移到第二有源层的光信号。 第二有源层形成在光调制器和半导体光放大器之间。 多模干涉耦合器（30）与光调制器集成。 半导体光放大器和多模干涉耦合器连接到接合表面（50）。
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