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公开(公告)号：KR1020110003698A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090061100
申请日：2009-07-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L21/02118 , H01L51/0053 , H01L2924/12044 , H01L2924/13069 , Y02B20/36
Abstract: PURPOSE: A transparency information transfer window is provided to maintain the transparency status and to display information, thereby displaying varying information without special restraint not being distracted by viewing. CONSTITUTION: A transparency display(110) displays information in transparency status. A driving unit(130) sanctions a driving signal to the transparency display. A wireless communication unit(150) transceives information wirelessly with an external terminal. A memory unit(170) stores display information.
Abstract translation: 目的：提供透明度信息传输窗口，以保持透明度状态并显示信息，从而显示不同信息，而不受特殊限制，不会因观看而分心。 构成：透明度显示（110）以透明度状态显示信息。 驾驶单元（130）将驾驶信号制裁到透明度显示器。 无线通信单元（150）与外部终端无线地收发信息。 存储单元（170）存储显示信息。
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公开(公告)号：KR101007618B1
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：KR1020080104592
申请日：2008-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 P형 산화물 반도체 박막용 조성물 및 P형 산화물 반도체 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 P형 산화물 반도체 박막용 조성물은 희토류계 원소가 도핑된 아연산화물에 구리 금속을 포함하며, P형 산화물 반도체 박막은 희토류계 원소가 도핑된 아연산화물과 구리 금속을 별도의 타겟으로 제작하여 이를 공동-증착하여 제조된다. 본 발명은 간단하면서도 재현 가능한 공정으로 P형 도전성을 갖는 반도체 박막을 제조할 수 있다.
P형 반도체, 희토류계 원소, 아연산화물, 구리-
公开(公告)号：KR100999501B1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020080087342
申请日：2008-09-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 금속이 도핑된 투명 전도성 산화물 박막의 제조방법 및 이를 소스·드레인 전극에 적용한 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속이 도핑된 투명 전도성 산화물 박막은 금속과 산화물을 동시에 증착하여 형성된다. 이를 박막 트랜지스터에 적용함으로서, 낮은 구동 전압하에서도 전류포화가 가능하다는 효과를 갖는다.
금속 도핑, 투명, 전도성, 산화물, 소스 전극, 드레인 전극-
公开(公告)号：KR100993776B1
公开(公告)日：2010-11-12
申请号：KR1020070132751
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/38
Abstract: 본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 투명 디스플레이를 이용함으로써 상부 패널 하우징을 펼치지 않고서도 영상 출력이 가능한 폴더 타입의 디스플레이 장치를 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 디스플레이를 이용한 폴더형 디스플레이 장치는, 빛을 투과시키는 투명 모드 또는 영상 데이터를 출력하는 디스플레이 모드로의 전환이 가능하며 접힘과 펼침이 가능하게 연결된 두 개 이상의 투명 디스플레이를 포함하는 투명 디스플레이부; 장치의 활성화 상태 중에 수신되는 신호를 기반으로 상기 투명 디스플레이를 투명 모드 또는 디스플레이 모드로 전환하며, 상기 디스플레이 모드 중에 상기 두 개 이상의 투명 디스플레이가 펼침 상태인 경우 설정에 따라 또는 사용자의 입력 신호에 따라 각각의 상기 투명 디스플레이에 서로 다른 영상 데이터를 출력하는 제어부; 및 접힘과 펼침이 가능하도록 상기 투명 디스플레이부와 연결되는 하부 패널 하우징을 포함한다.
투명 디스플레이, 폴더형, 입체 영상-
公开(公告)号：KR100993775B1
公开(公告)日：2010-11-12
申请号：KR1020080081810
申请日：2008-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3063
Abstract: 본 발명은 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막의 식각용 조성물 및 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 식각용 조성물은 과산화수소, 질산, 염산, 황산 및 인산으로 이루어진 군에서 선택된 식각용 산; 산화물층 및 금속층과 동시에 착화합물을 형성할 수 있는 산; 및 물을 포함하며, 식각 방법은 상기 식각용 조성물을 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막에 분사하여 식각하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 식각 방법은 단면 특성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다
식각, 다층, 전도성, 박막-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100990217B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080058878
申请日：2008-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01B1/08
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막용 조성물은 알루미늄 함유 산화물, 아연 함유 산화물 및 주석 함유 산화물을 포함하며, 400℃ 이하에서 비정질 상태이다. 상기 조성물로 형성된 활성층을 구비한 전계 효과 트랜지스터는 전기적 특성의 개선 뿐만 아니라 저온 공정도 가능하며, 인듐과 갈륨과 같은 비싼 원료 물질이 사용되지 않아 경제성도 갖는다.
산화물, 비정질, 저온 공정, 전계효과, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100968886B1
公开(公告)日：2010-07-09
申请号：KR1020080100439
申请日：2008-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 백색 유기발광 다이오드(OLED)와 컬러 필터로 구현하는 색재현율이 개선된 풀 컬러 OLED 디스플레이에 관한 것이다. 본 발명에 따른 풀 컬러 OLED 디스플레이는 백색 유기발광 다이오드와 컬러 필터를 포함하되, 컬러 필터 하부에 해당 화소 컬러의 방출을 최대로 만들 수 있는 광학적 공진 두께 또는 굴절률을 갖도록 형성된 공진 제어층을 포함한다.
본 발명은 컬러 필터에 공진 제어층을 형성함으로써, 높은 색재현율을 확보할 수 있으면서, 동시에 OLED 공정에 영향을 미치지 않으면서, 컬러를 제어할 수 있어, 대면적 제조 및 양산성이 우수하다는 장점을 갖는다.
백색 OLED, 컬러 필터, 색재현율-
公开(公告)号：KR1020100071230A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080129869
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for preparing Ag doped transparent conductive tin oxide is provided to allow a user to apply the device to an electronic component by reducing resistance. CONSTITUTION: Silver and tin oxide are deposited at the same time. The metal is doped inside the oxide film. The silver and tin oxide are deposited at the same time of the oxidation formation. The tin oxide is heat-treated.
Abstract translation: 目的：提供一种制备Ag掺杂透明导电氧化锡的方法，以允许用户通过降低电阻将该器件施加到电子部件。 构成：银和氧化锡同时沉积。 金属掺杂在氧化物膜内部。 在氧化形成的同时沉积银和氧化锡。 氧化锡被热处理。
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公开(公告)号：KR1020100070937A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129691
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/06
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor applying an oxide semiconductor thin film doped with boron and a manufacturing method thereof are provided to increase stability at high temperature by applying the oxide semiconductor thin film doped with boron to a channel layer. CONSTITUTION: A source/drain electrode(20) is formed on a substrate(10). A channel layer(30) is formed on the source/drain electrode. A gate insulation layer(40) is formed on the channel layer. A gate electrode(50) is formed on the gate insulation layer. The channel layer is an oxide semiconductor thin film doped with boron. A channel protective layer(A) is formed on the upper side of the channel layer.
Abstract translation: 目的：提供掺杂硼的氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管及其制造方法，以通过将掺杂硼的氧化物半导体薄膜施加到沟道层来提高高温下的稳定性。 构成：在衬底（10）上形成源极/漏电极（20）。 沟道层（30）形成在源极/漏极上。 在沟道层上形成栅绝缘层（40）。 栅电极（50）形成在栅极绝缘层上。 沟道层是掺杂有硼的氧化物半导体薄膜。 沟道保护层（A）形成在沟道层的上侧。
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公开(公告)号：KR100957781B1
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080066177
申请日：2008-07-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 하이브리드 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 유기 전계 발광 소자 내부의 형광 발광층과 전자 수송층의 HOMO 준위차를 다른 층들간의 HOMO 준위차 보다 크게 하거나, 또는 형광 발광층과 정공 수송층의 LUMO 준위차를 다른 층들간의 LUMO 준위차 보다 크게 함으로써, 재결합 영역을 발광층의 일부로 제한하여 높은 효율로 형광 발광을 얻을 수 있으며, 형광 발광층에서 사용되지 않는 삼중항 엑시톤을 재결합 영역과 소정 거리 떨어진 곳에 형성된 보조 발광층으로 전이시켜 형광 발광층과 다른 색상으로 발광되도록 함으로써, 유기 전계 발광 소자에서 형성되는 일중항 엑시톤과 삼중항 엑시톤을 모두 사용하여 매우 높은 효율로 백색 발광을 얻을 수 있는 것을 특징으로 한다.
유기 전계 발광 소자, 백색, 하이브리드, 삼중항, 일중항
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