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公开(公告)号：KR1020050040248A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030075402
申请日：2003-10-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/31
Abstract: 본 발명은 자성금속 박막 사이에 미소 두께의 균일한 비자성금속 박막을 형성할 수 있는 다층박막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 자성금속 박막을 형성하는 단계; 자성금속 박막위에 알루미늄을 증착하는 단계; 증착된 알루미늄위에 자성금속을 증착하여 알루미나이드 박막을 형성하는 단계; 그리고 알루미나이드 박막위에 자성금속 박막을 증착하는 단계로 이루어진다. 증착되는 알루미늄의 원자 에너지는 원자당 5eV이하이고, 두께는 5Å 내지 15Å이다. 자성금속은 Co, Fe, Ni, 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어진다. 알루미나이드 박막의 결정학적 정합성을 향상시키기 위해 진공로에서 200℃ 내지 400℃의 온도범위에서 30분 내지 60분동안 열처리하는 단계를 더 포함한다.
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公开(公告)号：KR100465738B1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：KR1020020038706
申请日：2002-07-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/06
Abstract: PURPOSE: A hard carbon film is provided which does not deteriorate mechanical properties even though residual stress is being reduced, and a manufacturing method of the hard carbon film is provided which is capable of freely controlling structure of the thin film as adding a third element to the carbon film. CONSTITUTION: The multi layer hard carbon film comprises first hard carbon film layer which contains 0.025 to 10 at.% of silicon and is formed of diamond-like carbon; and second hard carbon film layer formed of pure diamond-like carbon only, wherein the multi layer hard carbon film is a multi layer formed by alternately laying up the first hard carbon film layer and second hard carbon film layer. The method comprises the processes of generating carbon plasma by impressing a power supply to an anode and a cathode on which a solid phase carbon source is mounted; mounting a silicon target on a sputter gun, and impressing a power supply to the sputter gun as varying the power supply periodically so that silicon is sputtered; and alternately depositing silicon contained first hard carbon film layer and second hard carbon film layer formed of carbon only on a substrate installed in reaction chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种硬质碳膜，其即使在残余应力降低的情况下也不降低机械性能，并且提供了一种硬质碳膜的制造方法，该硬质碳膜能够自由地控制薄膜的结构， 碳膜。 构成：多层硬碳膜包含第一硬碳膜层，其含有0.025-10原子％的硅并由类金刚石碳形成; 以及仅由纯金刚石状碳形成的第二硬碳膜层，其中，所述多层硬碳膜为交替铺设第一硬碳膜层和第二硬碳膜层而形成的多层膜。 该方法包括通过向阳极施加电源来产生碳等离子体的过程和其上安装有固相碳源的阴极; 将硅靶安装在溅射枪上，并且周期性地改变电源以使硅溅射;以及向电子枪施加电源， 仅在安装在反应室中的基板上交替地沉积含硅的第一硬碳膜层和由碳形成的第二硬碳膜层。
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公开(公告)号：KR100436565B1
公开(公告)日：2004-06-19
申请号：KR1020010067540
申请日：2001-10-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/34
Abstract: PURPOSE: A preparation method for reducing residual stress as maintaining superior mechanical properties by adding silicon as a third element to silicon incorporated tetrahedral amorphous carbon thin film is provided. CONSTITUTION: The preparation method of silicon incorporated tetrahedral amorphous carbon thin film is characterized in that the silicon incorporated tetrahedral amorphous carbon thin film contains silicon by sputtering silicon using magnetron sputtering method at the same time when depositing the silicon incorporated tetrahedral amorphous carbon thin film using filtered vacuum arc deposition method, wherein the preparation method comprises the step of generating carbon plasma using the filtered vacuum arc deposition method by mounting a solid carbon source on the filter vacuum arc equipment and impressing a filtered vacuum arc power source to the filter vacuum arc equipment using a filtered vacuum arc equipment comprising arc ion source part (11), magnetic filtering part (12) and raster unit (12), a magnetron sputtering part comprising magnetron sputter gun (15) and sputter power supply system, and a synthesizing equipment comprising reaction chamber, and simultaneously depositing carbon and silicon on a substrate (14) mounted in the reaction chamber by mounting silicon on the sputter gun of the magnetron sputtering part and impressing a magnetron sputtering power source to the sputter gun, thereby sputtering the silicon at the same time.
Abstract translation: 目的：提供一种通过向硅结合的四面体非晶碳薄膜添加硅作为第三元素来保持优异的机械性能以减少残余应力的制备方法。 一种硅掺入四面体无定形碳薄膜的制备方法，其特征在于，在掺入硅的四面体无定形碳薄膜的同时，采用磁控溅射方法溅射硅， 其中所述制备方法包括使用经过滤的真空电弧沉积方法通过在所述过滤器真空电弧设备上安装固体碳源并且将过滤后的真空电弧电源施加到所述过滤器真空电弧设备来产生碳等离子体的步骤， 包括电弧离子源部件（11），磁性过滤部件（12）和光栅单元（12）的过滤真空电弧设备，包括磁控溅射枪（15）和溅射电源系统的磁控溅射部件以及包括反应 室，并同时存放汽车 通过将硅安装在磁控溅射部件的溅射枪上，并将磁控溅射电源施加到溅射枪上，从而同时溅射硅，从而在安装在反应室中的衬底（14）
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公开(公告)号：KR1020040003879A
公开(公告)日：2004-01-13
申请号：KR1020020038706
申请日：2002-07-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/06
CPC classification number: C23C28/42 , C22C29/02 , C23C14/0611 , C23C14/35
Abstract: PURPOSE: A hard carbon film is provided which does not deteriorate mechanical properties even though residual stress is being reduced, and a manufacturing method of the hard carbon film is provided which is capable of freely controlling structure of the thin film as adding a third element to the carbon film. CONSTITUTION: The multi layer hard carbon film comprises first hard carbon film layer which contains 0.025 to 10 at.% of silicon and is formed of diamond-like carbon; and second hard carbon film layer formed of pure diamond-like carbon only, wherein the multi layer hard carbon film is a multi layer formed by alternately laying up the first hard carbon film layer and second hard carbon film layer. The method comprises the processes of generating carbon plasma by impressing a power supply to an anode and a cathode on which a solid phase carbon source is mounted; mounting a silicon target on a sputter gun, and impressing a power supply to the sputter gun as varying the power supply periodically so that silicon is sputtered; and alternately depositing silicon contained first hard carbon film layer and second hard carbon film layer formed of carbon only on a substrate installed in reaction chamber.
Abstract translation: 目的：提供即使残留应力降低也不会降低机械性能的硬质碳膜，并且提供了能够自由地控制薄膜结构的硬碳膜的制造方法，因为添加第三元素 碳膜。 构成：多层硬质碳膜由含有0.025〜10原子％的硅，由金刚石状碳构成的第一硬质碳膜层构成， 和仅由纯金刚石碳形成的第二硬质碳膜层，其中多层硬质碳膜是通过交替铺设第一硬质碳膜层和第二硬质碳膜层而形成的多层。 该方法包括通过向其上安装固相碳源的阳极和阴极施加电力来产生碳等离子体的方法; 将硅靶安装在溅射枪上，并且在周期性地改变电源时将电源施加到溅射枪，使得硅被溅射; 并且交替地将含有第一硬碳膜层的硅和由碳形成的第二硬碳膜层沉积在安装在反应室中的基板上。
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公开(公告)号：KR100357007B1
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1020000046263
申请日：2000-08-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/34
Abstract: 본 발명은 기판 상에 내마모성과 윤활성 그리고 내마멸성을 증진시키기 위해 다이아몬드상 카본 필름(diamond-like carbon film: DLC 필름)을 코팅하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 기판과 DLC 필름간에 텅스텐층과 텅스텐-탄소의 혼합물층을 접착력 증진층으로 삽입함으로서 DLC 필름의 접착력을 증진시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000060265A
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019990008426
申请日：1999-03-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method is provided to form an electric field emitting device using a glass-like amorphous carbon of excellent electric conductivity and strong mechanical strength. CONSTITUTION: In a method of forming an electric field emitting device, an electrolytic bath (10) is filled by a solution mixed with a glass-like amorphous carbon powder, and then is processed by a supersonic washer during two hours so that the powder is distributed uniformly. A glass substrate(16) for an electric field emitting device, on which Mo thin film(18) is coated, is connected to a cathode of an electrolysis apparatus, and then a predetermined voltage is applied to each of an anode(14) and a cathode(12), respectively, thus a carbon powder particle is coated on the Mo thin film(18) of the substrate(16).
Abstract translation: 目的：提供一种使用具有优异导电性和强机械强度的玻璃状无定形碳形成电场发射装置的方法。 构成：在形成电场发射装置的方法中，电解槽（10）用与玻璃状无定形碳粉末混合的溶液填充，然后在两小时内用超音速洗涤器处理，使粉末为 均匀分布。 在其上涂覆有Mo薄膜（18）的电场发射装置的玻璃基板（16）与电解装置的阴极连接，然后将预定的电压施加到阳极（14）和 阴极（12），因此碳粉末颗粒被涂覆在基板（16）的Mo薄膜（18）上。
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公开(公告)号：KR1019960005455A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940018059
申请日：1994-07-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/53
Abstract: 본 발명은 고 경도 다이아몬드상 경질 카본 필름인 1차 코팅층 위에 저경도의 다이아몬드상 경질 카본 필름인 2차 코팅층이 합성되는 서로 다른 특성의 이중막으로 코팅되는 헤드 드럼에 관한 것이다. 2차 코팅층의 경도는 1차 코팅층의 경도보다 작으며, 양호하게는 테이프의 자기기록층의 경도보다 작다. 상기 이중코팅은 헤드 드럼이 적층되고 전원 전극에 부착되는 시편 지지대, 적층된 헤드 드럼의 표면으로부터 선정된 거리만큼 떨어진 동심원 상에 배치된 원형의 접지 전극을 포함하는 반응기를 갖고 있는 합성 장치에 의해 달성되며, 상기 시편 지지대는 헤드 드럼을 안정하게 적층하기 위한 공간 보상 링을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1019950023737A
公开(公告)日：1995-08-18
申请号：KR1019940000201
申请日：1994-01-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/26
Abstract: 본 발명은 기판에 탄소 공급원을 플라즈마 화학 증착하여 다이아몬드상 경질 카본 필름을 합성할 때, 100 KHz 내지 500KHz 대의 고주파 전원과 직류 전원을 중첩시켜 사용함으로써 플라즈마 전류와 기판의 바이어스 전압을 독립적으로 조절하여, 다이아몬드상 경질 카본 필름을 합성하는 방법이 기재되어 있다. 이에 따라 다이아몬드상 경질 카본 필름의 광범위한 구조와 특성 변화를 유도하는 것이 가능하여진다.
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公开(公告)号：KR1019950023735A
公开(公告)日：1995-08-18
申请号：KR1019940000202
申请日：1994-01-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C8/12
Abstract: 본 발명은 공기 또는 산소플라즈마를 이용하여 기판을 세척하여 기판 표면에 잔류하는 오일이나 유기물 등을 제거하고, 아르곤 플라즈마를 이용하여 기판의 표면을 스퍼터링(sputtering)한 후, 본 합성에 들어가기 전에 전이 합성 처리를 행하는 것으로 이루어진 다이아몬드상 경질 카본 필름의 접착력 증진방법에 관한 것이다.
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