公开(公告)号：FR3053159A1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：FR1655842

申请日：2016-06-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BRUNET LAURENT ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/98

Abstract: L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une structure de transistors réalisée de manière séquentielle, comprenant au moins les étapes suivantes : - la réalisation d'au moins un premier transistor à partir d'une première couche semiconductrice (102) pouvant être en silicium ; - l'encapsulation d'au moins ledit premier transistor par au moins une couche de premier diélectrique (107) définissant un premier ensemble ; - le collage d'une couche de second diélectrique (207) située à la surface d'une seconde couche semiconductrice (202) pouvant être en silicium, sur la couche de premier diélectrique (107) ; - le dépôt d'une couche de matériau planarisant (500) à la surface de ladite seconde couche semiconductrice; - la gravure sélective de ladite couche de matériau planarisant, jusqu'à ladite seconde couche semiconductrice ; - la réalisation d'au moins un second transistor à partir de ladite seconde couche semiconductrice.

公开(公告)号：FR3051967A1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：FR1654822

申请日：2016-05-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  LANDIS STEPHAN ,  NOURI LAMIA

IPC: H01L21/3065 ,  G02B3/02

Abstract: L'invention concerne notamment un procédé de réalisation de motifs dans une couche à graver (410), à partir d'un empilement comprenant au moins la couche à graver (410) et une couche de masquage (420) surmontant la couche à graver (410), la couche de masquage (420) présentant au moins un motif (421), le procédé comprenant au moins: a) une étape de modification d'au moins une première zone (411a) de la couche à graver (410) par implantation d'ions (500a) à travers la couche de masquage (420); b) au moins les étapes suivantes: b1) une étape de dépôt d'au moins une couche tampon (430a-430n ) b2) une étape de modification d'au moins une autre zone (411b- 41 1n) de la couche à graver (410), par implantation d'ions jusqu'à une profondeur (e500b-e500n) supérieure à la profondeur (e550a) d'implantation de l'étape précédente de modification ; c) au moins une étape de retrait de ladite au moins une couche tampon (430a-430n) ; d) une étape de retrait de la couche de masquage (420) ; e) une étape de retrait des zones modifiées (411a-411n) sélectivement aux zones non modifiées (412) de la couche à graver (410).

公开(公告)号：FR3037717B1

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：FR1555663

申请日：2015-06-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739

公开(公告)号：FR3013895B1

公开(公告)日：2017-04-14

申请号：FR1361585

申请日：2013-11-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

公开(公告)号：FR3037717A1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1555663

申请日：2015-06-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation des espaceurs (152a, 152b) d'une grille (120) d'un transistor (200), comprenant une étape de formation (410) d'une couche de protection (152) recouvrant ladite grille, le procédé comprenant en outre, après l'étape de formation (410) au moins: une étape de formation (420) d'un film carboné (217) sur le transistor; une étape de retrait (430) de portions du film carboné situées sur le sommet de la grille et de part et d'autre de la grille ; une étape de modification (440) de la couche de protection (152) sur le sommet de la grille et de part et d'autre de la grille ; une étape de retrait (450) de la couche de protection modifiée (158).

公开(公告)号：FR3000601B1

公开(公告)日：2016-12-09

申请号：FR1262962

申请日：2012-12-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  APPLIED MATERIALS INC

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  DAVID THIBAUT ,  JOUBERT OLIVIER ,  LILL TORSTEN ,  NEMANI SRINIVAS ,  VALLIER LAURENT

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/336

公开(公告)号：FR3000603B1

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：FR1262954

申请日：2012-12-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  APPLIED MATERIALS INC

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  LEE GENE

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：FR3025938A1

公开(公告)日：2016-03-18

申请号：FR1458759

申请日：2014-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ARVET CHRISTIAN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention concerne la réalisation d'espaceurs (230) au niveau de flancs (206,207) d'une grille (200) de transistor, comprenant une étape de formation d'une couche diélectrique (231) recouvrant la grille (200) et une zone périphérique (220, 221) d'une couche de matériau semi-conducteur (212) entourant la grille (200) comprenant les étapes suivantes : - formation d'une couche superficielle (232) recouvrant la grille (200) et la zone périphérique ; - enlèvement partiel de la couche superficielle (232) configuré pour enlever totalement la couche superficielle (232) au niveau de la zone périphérique (220, 221) tout en préservant une partie résiduelle (234) de la couche superficielle (232) au niveau des flancs (206,207) ; - gravure sélective de la couche diélectrique (231) vis-à-vis du matériau de la partie résiduelle (234) de la couche superficielle (232) et vis-à-vis du matériau semi-conducteur (212).

公开(公告)号：FR3023973A1

公开(公告)日：2016-01-22

申请号：FR1555666

申请日：2015-06-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation des espaceurs (152a, 152b) d'une grille d'un transistor à effet de champ, comprenant une étape de formation d'une couche de protection (152) recouvrant la grille dudit transistor ; une étape de formation d'une couche de protection recouvrant la grille dudit transistor ; au moins une étape de modification de la couche de protection, réalisée après l'étape de formation de la couche de protection, par mise en présence de la couche de protection avec un plasma comprenant des ions plus lourds que l'hydrogène et du CxHy où x est la proportion de carbone et y est la proportion d'hydrogène pour former une couche de protection modifiée et former un film carboné. la couche de protection étant à base de nitrure (N) et/ou de silicium (Si) et/ou de carbone (C) et présentant une constante diélectrique égale ou inférieure à 8.

公开(公告)号：FR3023971A1

公开(公告)日：2016-01-22

申请号：FR1456929

申请日：2014-07-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/335

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation des espaceurs (152a, 152b) d'une grille d'un transistor à effet de champ, comprenant une étape de formation d'une couche de nitrure (152) recouvrant la grille dudit transistor ; au moins une étape de modification de la couche de nitrure, réalisée après l'étape de formation, par mise en présence de la couche de nitrure (152) avec un plasma comprenant des ions plus lourd que l'hydrogène et du CxHy pour former une couche modifiée à base de nitrure (158) et un film carboné (271) ; l'étape de modification étant réalisée de manière à ce que plasma créé un bombardement d'ions à base d'hydrogène (H) provenant du CxHy de manière anisotrope selon une direction privilégiée parallèle à des flancs de la grille et de sorte à modifier uniquement une portion supérieure de l'épaisseur de la couche à base de nitrure au niveau des flancs de la grille, le bombardement anisotrope d'ions plus lourds que l'hydrogène permettant au carbone du CxHy de former un film carboné notamment sur des surfaces parallèles à la direction du bombardement en empêchant de former un film carboné sur les surfaces de la couche à base de nitrure qui sont perpendiculaires à la direction du bombardement ; au moins une étape de retrait de la couche modifiée à base de nitrure à l'aide d'une gravure sélective de la couche modifiée à base de nitrure vis-à-vis dudit film carboné et vis-à-vis des portions non-modifiées (152a, 152b) qui constituent les espaceurs (152a, 152b) pour la grille.