公开(公告)号：WO2005095997A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：PCT/EP2004/014570

申请日：2004-12-22

Applicant: ETH ZÜRICH ,  HIEROLD, Christofer ,  JUNGEN, Alain ,  STAMPFER, Christoph

Inventor： HIEROLD, Christofer ,  JUNGEN, Alain ,  STAMPFER, Christoph

IPC: G01P15/08

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/025 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  G01L1/005 ,  G01P15/123 ,  Y10S977/724 ,  Y10S977/953 ,  Y10S977/956

Abstract: The resolution and the signal-to-noise ration of known force sensors as e.g. capacitive force sensors decrease when scaling them down. To solve this problem there is a solution presented by the usage of a nanostructure as e.g. a carbo nanotube, which is mechanically deformed by a force to be measured. The proposed force sensors comprises a support with two arms carrying the carbon nanotube. The main advantage of this force sensor is a very high sensitivity as the conductance of carbon nanotubes changes several orders of magnitude when a mechanical deformation arises.

Abstract translation: 已知的力传感器的分辨率和信噪比例如例如 电容式力传感器在缩小时会降低。 为了解决这个问题，存在通过使用纳米结构作为例如， 碳纳米管，其被测量的力机械变形。 所提出的力传感器包括具有携带碳纳米管的两个臂的支撑件。 这种力传感器的主要优点是非常高的灵敏度，因为当机械变形出现时，碳纳米管的电导变化几个数量级。

公开(公告)号：WO2004097895A2

公开(公告)日：2004-11-11

申请号：PCT/US2004011867

申请日：2004-04-16

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  MCNEIL ANDREW C ,  LI GARY ,  O'BRIEN GARY J

Inventor： MCNEIL ANDREW C ,  LI GARY ,  O'BRIEN GARY J

IPC: B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  C23F1/00 ,  G01P3/00 ,  G01P9/04 ,  G01P15/08 ,  H01L20060101 ,  H01L

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/025 ,  G01P15/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/0888 ,  G01P2015/0814 ,  Y10T428/24917

Abstract: A proof mass (11) for a MEMS device is provided herein. The proof mass comprises a base (13) comprising a semiconductor material, and at least one appendage (15) adjoined to said base by way of a stem (21). The appendage (15) comprises a metal (17) or other such material that may be disposed on a semiconductor material (19). The metal increases the total mass of the proof mass (11) as compared to a proof mass of similar dimensions made solely from semiconductor materials, without increasing the size of the proof mass. At the same time, the attachment of the appendage (15) by way of a stem (21) prevents stresses arising from CTE differentials in the appendage from being transmitted to the base, where they could contribute to temperature errors.

Abstract translation: 本文提供了用于MEMS器件的检测质量（11）。 检测质量块包括一个包括半导体材料的基底（13）和至少一个通过杆（21）与所述底座邻接的附属物（15）。 附件（15）包括可以设置在半导体材料（19）上的金属（17）或其他这样的材料。 与仅由半导体材料制成的类似尺寸的检验质量相比，金属与总体质量（11）相比增加，而不增加检测质量。 同时，通过杆（21）附接附件（15）可防止附件中产生的CTE差异的应力传输到基座，在那里它们可能导致温度误差。

公开(公告)号：WO0210684A2

公开(公告)日：2002-02-07

申请号：PCT/US0124200

申请日：2001-07-30

Applicant: HRL LAB LLC ,  KUBENA RANDALL L ,  CHANG DAVID T

Inventor： KUBENA RANDALL L ,  CHANG DAVID T

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/5656 ,  G01P15/08 ,  G01P15/18 ,  H01H1/00 ,  H01H59/00 ,  H01L41/08 ,  G01C19/00

CPC classification number: B81C3/002 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/058 ,  G01C19/5656 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/0894 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842 ,  H01H1/0036 ,  H01H59/0009

Abstract: A three axis MEM tunneling/capacitive sensor and method of making same. Cantilevered beamstructures for at least two orthogonally arranged sensors and associated mating structures aredefined on a first substrate or wafer, the at least two orthogonally arranged sensors havingorthogonal directions of sensor sensitivity. A resonator structure of at least a third sensor is alsodefined, the third sensor being sensitive in a third direction orthogonal to the orthogonal directions of sensor sensitivity of the two orthogonally arranged sensors and the resonatorstructure having a mating structure thereon. Contact structures for at least two orthogonallyarranged sensors are formed together with mating structures on a second substrate or wafer, themating structures on the second substrate or wafer being of a complementary shape to the matingstructures on the first substrate or wafer. The mating structures of the first substrate aredisposed in a confronting relationship with the mating structures of the second substrate orwafer. A eutectic bonding layer associated with one of the mating structures facilitates bondingbetween the respective mating structures. At least a portion of the first substrate or wafer is removed to release the cantilevered beam structures and the resonator structure.

Abstract translation: 三轴MEM隧道/电容传感器及其制造方法。 用于至少两个正交布置的传感器和相关联的配合结构的悬臂梁结构被定义在第一衬底或晶片上，所述至少两个正交布置的传感器具有传感器灵敏度的正交方向。 至少第三传感器的谐振器结构被编码，第三传感器在垂直于两个正交布置的传感器的传感器灵敏度的正交方向的第三方向和在其上具有匹配结构的谐振器结构的敏感。 至少两个正交分布的传感器的接触结构与第二衬底或晶片上的配合结构一起形成，第二衬底或晶片上的主题结构与第一衬底或晶片上的匹配结构互补形状。 第一衬底的配合结构以与第二衬底或第二衬底的配合结构相对的关系表示。 与一个配对结构相关联的共晶粘合层便于各个配合结构之间的结合。 去除第一衬底或晶片的至少一部分以释放悬臂梁结构和谐振器结构。

公开(公告)号：WO2013045168A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/065942

申请日：2012-08-15

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  FEYH, Ando

Inventor： FEYH, Ando

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01L9/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0098 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/124 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/16 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66568

Abstract: Die Erfindung schafft eine eine mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate umfasst einen Feldeffekt-Transistor (2) mit einem beweglichen Gate (7), welches durch einen Hohlraum (11) von einem Kanalbereich (K) getrennt ist, wobei der Kanalbereich (K) von einer Gateisolationsschicht (3) bedeckt ist.

Abstract translation: 本发明提供了一种微机械传感器装置，包括一个可动闸门和一个相应的制造方法。 具有可移动门的传感器装置包括一个场效应晶体管（2）具有可动门（7），它是由一沟道区域（K）的一个腔（11）分离，其特征在于，覆盖栅极绝缘层的沟道区域（K）（3） 是。

公开(公告)号：WO2010112051A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/EP2009/002512

申请日：2009-03-31

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  DIENEL, Marco ,  FORKE, Roman ,  SCHEIBNER, Dirk

Inventor： DIENEL, Marco ,  FORKE, Roman ,  SCHEIBNER, Dirk

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0118 ,  Y10T29/49007

Abstract: Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches System (200) mit zumindest einem balkenförmigen Element (210), das ein freistehendes Ende (211) aufweist und an seinem anderen Ende (212) an ein weiteres Element des mikromechanischen Systems (200) angebunden ist. Dabei sind erfindungsgemäß zur Optimierung der mechanischen Eigenschaften des mikromechanischen Systems (200) in dem balkenförmigen Element (210) derart Aussparungen (213) vorgesehen, dass die Masse des balkenförmigen Elementes (210) zu dem freistehenden Ende (211) hin abnimmt. Die Erfindung umfasst des Weiteren ein Verfahren zum Erstellen eines mikromechanischen Systems (200) mit zumindest einem balkenförmigen Element (210).

Abstract translation: 本发明涉及一种微机械系统（200）与具有裸露端部（211）的至少一个梁形元件（210）和在其另一端（212）被连接到微机械系统（200）的另外的元件。 在这种情况下，这样的凹部（213）根据本发明，以优化在梁形元件（210）的微机械系统（200）的机械性能提供，该梁形元件（210）的自支撑端（211）的质量向减小。 本发明还包括一种制造微机械系统（200）与至少一个梁形元件（210）的方法。

公开(公告)号：WO2008088067A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：PCT/JP2008/050724

申请日：2008-01-21

Applicant: 学校法人 早稲田大学 ,  荒川 貴博 ,  草川 寛之 ,  庄子 習一

Inventor： 荒川 貴博 ,  草川 寛之 ,  庄子 習一

IPC: G01N35/08 ,  B01J19/00 ,  B81C1/00 ,  G01N37/00

CPC classification number: C23F1/02 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/06 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/053 ,  C12N5/0075 ,  Y10T428/24479

Abstract: 三次元構造のフルオロカーボン微小構造体を容易に作製できるフルオロカーボン微小構造体の製造方法を提供することを目的とする。 基板２をエッチングすることにより貫通孔状からなる所定パターンの膜堆積部９を前記基板２上に形成する第一の加工ステップと、前記膜堆積部９の内周面にフルオロカーボン膜６を形成し、前記フルオロカーボン膜６で取り囲んだフルオロカーボン領域を作製する作製ステップと、前記基板２の前記フルオロカーボン領域以外の所定領域をエッチングすることにより、前記基板２の加工面から突出したフルオロカーボン微小構造体４を作製する第二の加工ステップとを備えるようにしたことより、従来作製し難かった複雑な構造でなる三次元構造のフルオロカーボン微小構造体４を作製でき、かくして三次元構造のフルオロカーボン微小構造体４を備えたマイクロ流路１を容易に製造できる。

Abstract translation: 一种氟碳微结构的制造方法，其中可以容易地制备三维排列的氟碳微结构。 该方法包括蚀刻底层（2）的第一工作步骤，从而提供由基底（2）上的通孔构造组成的给定图案的成膜区域（9）。 在所述成膜区域（9）的内周面上形成氟碳膜（6）的准备工序，由此制作由所述氟碳膜（6）包围的碳氟化合物区域。 以及蚀刻除了基底（2）的碳氟化合物区域之外的给定区域的第二工作步骤，从而制备从基体（2）的工作平面突出的氟碳微结构（4）。 因此，可以制备三维布置的碳氟化合物微观结构（4），其复杂结构难以准备，从而可以容易地安装配有氟碳微结构（4）的微流路（1） 产生的。

公开(公告)号：WO2007061056A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：PCT/JP2006/323455

申请日：2006-11-24

Applicant: 松下電工株式会社 ,  奥戸 崇史 ,  鈴木 裕二 ,  竹川 宜志 ,  馬場 徹 ,  後藤 浩嗣 ,  宮島 久和 ,  片岡 万士 ,  西條 隆司

Inventor： 奥戸 崇史 ,  鈴木 裕二 ,  竹川 宜志 ,  馬場 徹 ,  後藤 浩嗣 ,  宮島 久和 ,  片岡 万士 ,  西條 隆司

IPC: H01L23/02 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/025 ,  B81C2203/038 ,  G01C19/5719 ,  G01P1/023 ,  G01P15/125 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　センサ特性のバラツキが小さく、且つ良好な耐電気ノイズ性を有するセンサ装置を提供する。このセンサ装置は、開口を有するフレームと、フレームに対して可動に開口内に保持される可動部と、可動部の位置変位に基づいて電気信号を出力する検出部とを含むセンサユニット、および半導体材料で形成され、センサユニットの表面に接合されるパッケージ基板を具備する。パッケージ基板は、センサユニットに対向する表面に電気絶縁膜を有し、前記電気絶縁膜の活性化表面とセンサユニットの活性化表面を常温下で直接接合することにより、パッケージ基板がセンサユニットに接合される。

Abstract translation: 提供具有小的传感器特性波动和优异的电气噪声特性的传感器装置。 传感器装置设置有传感器单元，其包括具有开口的框架，可移动地保持在开口中的框架的可移动部分，以及用于基于可移动部分的位置错位输出电信号的检测部分。 传感器装置还设置有由半导体材料形成并结合在传感器单元的表面上的封装基板。 封装基板在面向传感器单元的表面上具有电绝缘膜，并且电绝缘膜的激活表面在室温下直接接合在传感器单元的激活表面上。 因此，封装基板接合在传感器单元上​​。

公开(公告)号：WO02062698A3

公开(公告)日：2003-07-17

申请号：PCT/DE0200397

申请日：2002-02-04

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  FISCHER FRANK ,  FREY WILHELM ,  METZGER LARS

Inventor： FISCHER FRANK ,  FREY WILHELM ,  METZGER LARS

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: The invention relates to a method for producing surface micromechanical structures having a high aspect ratio. At least one sacrificial layer (20) is provided between a substrate (30) and a functional layer (10). Trenches (60, 61) are provided in said functional layer (10) by means of a plasma etching process, said trenches uncovering at least some surface areas (21, 22) of the sacrificial layer (20). According to the invention, a further layer (70) is deposited at least partially on the lateral walls of the trenches, but not on the uncovered surface areas (21, 22) of the sacrificial layer (20), in order to increase the aspect ratio of said trenches. The invention also relates to a sensor, especially an acceleration or rotational rate sensor.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造表面微机械结构具有高的纵横比，其特征在于，在基板（30）和一个功能层（10）的至少一个牺牲层（20）之间设置，其特征在于，在所述功能层（10）（由Palsma蚀刻沟槽 60，61）被提供，其中至少所述牺牲层（20）的某些表面区域（21，22）暴露。 根据本发明，在为了扩大至少在沟槽的侧壁上的部分的沟槽的深宽比但没有在牺牲层（20）的暴露表面区域（21，22），另外的层（70）沉积。 此外，本发明涉及一种，特别是加速或旋转速率传感器。

公开(公告)号：WO2002062698A2

公开(公告)日：2002-08-15

申请号：PCT/DE2002/000397

申请日：2002-02-04

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  FISCHER, Frank ,  FREY, Wilhelm ,  METZGER, Lars

Inventor： FISCHER, Frank ,  FREY, Wilhelm ,  METZGER, Lars

IPC: B81B3/00

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von Oberflächenmikromechanikstrukturen mit hohem Aspektverhältnis, bei dem zwischen einem Substrat (30) und einer Funktionsschicht (10) zumindest eine Opferschicht (20) vorgesehen wird, wobei in der Funktionsschicht (10) durch einen Palsma-Ätzprozess Gräben (60, 61) vorgesehen werden, von denen zumindest einige Oberflächenbereiche (21, 22) der Opferschicht (20) freilegen. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass zur Vergrösserung des Aspektverhältnisses der Gräben zumindest abschnittsweise auf den Seitenwände der Gräben, nicht jedoch auf den freigelegten Oberflächenbereichen (21, 22) der Opferschicht (20), eine weitere Schicht (70) abgeschieden wird. Weiterhin betrifft die Erfindung einen, insbesondere eine Beschleunigungs- oder Drehratensensor.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造表面微机械结构具有高的纵横比，其特征在于，在基板（30）和一个功能层（10）的至少一个牺牲层（20）之间设置，其特征在于，在所述功能层（10）（由Palsma蚀刻沟槽 60，61）被提供，其中至少所述牺牲层（20）的某些表面区域（21，22）暴露。 根据本发明，在为了扩大至少在沟槽的侧壁上的部分的沟槽的深宽比但没有在牺牲层（20）的暴露表面区域（21，22），另外的层（70）沉积。 此外，本发明涉及一种，特别是加速或旋转速率传感器。

公开(公告)号：WO2014102507A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/FR2013/053265

申请日：2013-12-24

Applicant: TRONIC'S MICROSYSTEMS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： BOILLOT, François-Xavier ,  LAOUBI, Rémi ,  JOURDAN, Guillaume

IPC: B81B3/00 ,  G01C19/00 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0154 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/051 ,  B81B2203/058 ,  G01P15/123 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0817 ,  G01P2015/0871

Abstract: La présente invention se rapporte à un dispositif micro-électromécanique utilisé comme capteur de force, comprenant une masse mobile, reliée par des ressorts ou éléments déformables à une ou plusieurs zones d'ancrages, et des moyens de détection du déplacement de la masse mobile, la masse mobile présentant un cadre extérieur et un corps intérieur, le cadre extérieur et le corps intérieur étant reliés par au moins deux portions flexibles formant ressorts de découplage solidaires de deux côtés distincts du cadre extérieur.

Abstract translation: 本发明涉及一种用作力传感器的微机电装置，其包括通过弹簧或可变形元件与至少一个固定区连接的移动体，以及用于检测移动体的运动的装置，所述移动体具有 外框架和内体，外框架和内主体通过在外框架的两个分开的侧面上形成整体解耦弹簧的至少两个柔性部分连接。