PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PIECE MICROMECANIQUE EN SILICIUM

    公开(公告)号:WO2019076742A1

    公开(公告)日:2019-04-25

    申请号:PCT/EP2018/077842

    申请日:2018-10-12

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication (10) d'une pièce micromécanique (11) en silicium comportant les étapes suivantes : - usinage (50) d'une plaque de silicium (12) de sorte à créer une structure micromécanique (13), ladite structure (13) comportant au moins une face de contact (14) destinée à supporter des efforts et au moins une face de positionnement (15) destinée à positionner ladite structure (13); - dépôt (51) d'une couche de nitrure de silicium (16) sur toutes les faces de ladite structure (13); - gravure (52) de ladite couche de nitrure de silicium (16) sur au moins une face de positionnement (15); et - oxydation (53) de ladite au moins une face de positionnement (15) sur les parties dépourvues de nitrure de silicium.

    DISPOSITIF DE FIXATION DE DEUX ELEMENTS TELS QU'UNE PUCE, UN INTERPOSEUR ET UN SUPPORT

    公开(公告)号:FR3041625A1

    公开(公告)日:2017-03-31

    申请号:FR1559213

    申请日:2015-09-29

    Abstract: L'invention concerne un dispositif de fixation de deux éléments (11-12) tels qu'une puce, un interposeur et un support dont un au moins des deux éléments (11-12) est micro fabriqué, le dispositif comportant : - au moins un plot (25) saillant et structuré dans un premier élément (11) s'étendant en regard du deuxième élément (12), - le plot (25) étant configuré pour créer une zone de fixation (16) entre une extrémité (27) du plot (25) et le deuxième élément (12), - une couche de fixation (14) déposée dans la zone de fixation (16) de sorte à fixer le plot (25) avec le deuxième élément (12), et - une cavité (30) réalisée au niveau de la zone de fixation (16) de sorte que la couche de fixation (14) s'étende au moins en partie à l'intérieur de la cavité (30).

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF MICRO ELECTROMECANIQUE ET DISPOSITIF CORRESPONDANT

    公开(公告)号:FR3045028A1

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:FR1562174

    申请日:2015-12-11

    Inventor: COLLET JOEL

    Abstract: Dispositif électromécanique comportant : - un empilement formé d'une couche isolante (31) interposée entre deux couches massives (10, 30), - une structure micromécanique (60) en suspension au-dessus d'une cavité (4), et - une structure nanométrique (7) en suspension au-dessus de la cavité (4), - la position respective de la structure nanométrique (7) par rapport à la structure micrométrique (60) étant définie par la délimitation des contours des deux structures (7, 60) au moyen d'une gravure d'une première face d'un substrat formé d'une couche massive (10) de sorte à obtenir des tranchées (16) délimitant les structures (7, 60).

    METHOD FOR MANUFACTURING A MICROELECTROMECHANICAL DEVICE AND CORRESPONDING DEVICE

    公开(公告)号:US20180346325A1

    公开(公告)日:2018-12-06

    申请号:US15780478

    申请日:2016-11-15

    Inventor: Joël COLLET

    CPC classification number: B81C1/00333

    Abstract: An electromechanical device includes a stack consisting of an insulating layer inserted between two solid layers. The device also includes a micromechanical structure suspended above a recess and a nanometric structure suspended above the recess. The relevant position of the nanometric structure relative to the micrometric structure is defined by the delimitation of the contours of the two structures by etching a first surface of a substrate consisting of a solid layer so as to obtain trenches that define the structures.

    Mechanical Oscillator and Associated Production Method

    公开(公告)号:US20180004161A1

    公开(公告)日:2018-01-04

    申请号:US15544754

    申请日:2016-02-12

    CPC classification number: G04B17/066 B81B3/0081 F16F1/021 G04B17/04 G04B17/22

    Abstract: A mechanical oscillator endowed with a strip, with the aforesaid strip incorporating a first silicon layer having a crystal lattice extending along a first direction of one plane, a thermal compensation layer composed of a material having a Young's modulus thermal coefficient of opposite sign to that of the silicon, and a second silicon layer having a crystal lattice extending in a second direction of the plane, with the first and direction being offset at an angle of 45° within the plane of the layers, and with the thermal compensation layer extending between the first and second silicon layers.

Patent Agency Ranking