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公开(公告)号：CN104897314B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510098346.4
申请日：2015-03-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/04 , B81B7/0041 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , G01L1/14 , G01L9/0041 , G01L9/0042 , G01L9/0072 , G01L9/0073 , G01L13/025 , H04R19/005 , H04R23/00 , H04R2201/003
Abstract: 本公开涉及用于感测压力波和周围压力的传感器结构。在各种实施例中，提供一种传感器结构。该传感器结构可以包括：第一传导层；电极元件；以及第二传导层，相对于第一传导层布置在电极元件的相反侧上。第一传导层和第二传导层可以形成腔室。腔室中的压力可以低于腔室外的压力。
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公开(公告)号：CN103609141B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201280019024.0
申请日：2012-02-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81C2203/0154 , G01H11/06 , H01L2224/48091 , H01L2924/15151 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195 , H01L2924/1815 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2499/11 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及微机电声音探测装置，包括衬底，壳体，至少一个用于声音穿过的开口和用于拾取声音的微机电元件，其中壳体借助模制被构造用于作为空腔提供前容积和后容积用于通过微机电元件探测声音。本发明同样涉及用于制造微机电声音探测装置的方法以及声音探测装置的应用。
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公开(公告)号：CN104418288B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410423101.X
申请日：2014-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00539 , B81B7/0009 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81C1/00476
Abstract: 公开了用于制造MEMS器件的方法以及MEMS器件。用于制造MEMS器件的方法，包括：在与牺牲层相邻的层内提供腔体。所述腔体延伸到所述牺牲层，并且包括伸出到层中的毛细槽。通过将所述牺牲层暴露于通过所述腔体所引入的刻蚀剂来去除所述牺牲层。
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公开(公告)号：CN104203806B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201380019462.1
申请日：2013-03-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R17/005 , B81B3/007 , B81B3/0086 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158
Abstract: 本发明涉及一种微机电的膜片装置，所述微机电的膜片装置具有：基片，所述基片在表面上具有多个空隙；能够导电的第一电极层，所述第一电极层布置在所述基片的表面上并且所示第一电极层具有多个与所述空隙相一致的第一凹部；以及能够沿着与所述基片的有效的表面垂直的方向偏移的并且能够导电的膜片层，所述膜片层布置在所述第一电极层的上方并且以第一间距值与所述第一电极层隔开。
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公开(公告)号：CN104968599B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480007570.1
申请日：2014-01-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0163 , B81B2203/0307 , B81B2203/04
Abstract: 提出一种用于实现具有尽可能无应力的膜片结构的微机械构件的方案，所述膜片结构具有边缘锚固部，所述方案可以成本有利地借助半导体工艺的标准方法实现。因此，以层结构在衬底(1)上实现所述微机械构件(100)的膜片结构，其中，所述膜片结构包括膜片(11)，所述膜片通过至少一个弹性元件(12)集成到所述层结构中，其中所述膜片(11)跨越空穴(16)，使得所述膜片边缘的至少一个区段延伸到所述空穴(16)的边缘区域上，其中在膜片(11)和空穴边缘区域之间的重叠区域中构造至少一个锚固结构。根据本发明，锚固结构包括至少一个锚固元件(21)和用于所述锚固元件(21)的贯通开口(20)，其中所述锚固元件(21)由层结构在空穴边缘区域上结构化出，而用于所述锚固元件(21)的贯通开口(20)构造在所述膜片(11)的边缘区域中，使得在锚固元件(21)和贯通开口(20)之间存在空隙，所述空隙能够实现所述膜片(11)的机械应力松弛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103935952B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410030527.9
申请日：2014-01-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： H·托伊斯
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81B2207/09 , B81C1/0023 , B81C1/00261 , B81C2203/0109 , B81C2203/0154 , H01L29/84 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1461 , H01L2924/1815 , H04R1/08 , H01L2924/00014
Abstract: 在各种实施例中，提供了一种用于制造芯片封装体的方法。该方法包括：将芯片布置在基板之上，芯片包括传声器结构和通向传声器结构的开口；并且将芯片用包封材料包封，使得开口保持成至少部分地不具有包封材料。
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公开(公告)号：CN106395730A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610004627.3
申请日：2016-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81C2201/053 , B81C2203/0792 , B81B7/007 , B81C1/00301
Abstract: 半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括板，该板包括多个孔；与板相对设置并且包括多个波纹的膜；以及延伸穿过板和膜的导电插塞。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中，导电插塞与接合焊盘接合以将第一器件和第二器件集成，以及该板包括半导体构件和拉伸构件，并且半导体构件设置在拉伸构件内。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN106289386A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610287129.4
申请日：2016-05-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B3/0018 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0278 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , B81C1/00206 , G01N27/223 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003 , G01D21/02 , G01N27/121
Abstract: 本发明涉及用于MEMS换能器的系统和方法。根据实施例，一种微机电系统(MEMS)换能器包括具有第一腔体的衬底，第一腔体从衬底后侧穿过衬底。MEMS换能器还包括：在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔的第一电极板；在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔并且通过间隔区域与穿孔的第一电极板间隔开的第二电极板；以及在穿孔的第一电极板与第二电极板之间的间隔区域中的气敏材料。气敏材料具有取决于目标气体的浓度的电气性质。
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公开(公告)号：CN106241727A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201511017559.6
申请日：2015-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0257 , B81B2207/015 , B81C1/00182 , H04R19/00 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00015 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：板，包括多个孔；隔膜，设置为与板相对并且包括面向多个孔的多个波形件；以及导电塞，从板延伸穿过隔膜。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中导电塞与接合焊盘接合，以将第一器件与第二器件集成，并且板是外延(EPI)硅层或绝缘体上硅(SOI)衬底。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN104291262B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410239450.6
申请日：2014-06-03
Applicant: 应美盛股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B7/0006 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C2203/035 , B81C2203/0785 , H01L41/0926 , H01L41/0973 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H04R7/08 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明涉及具有嵌入式声道的电容性感测结构。MEMS器件包括双膜、电极和互连结构。该双膜具有顶膜和底膜。底膜位于顶膜和电极之间，并且互连结构限定顶膜和底膜之间的间隔。
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