公开(公告)号：CN105916801B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201480058712.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司

Inventor： E·凯尔维斯滕 ,  T·埃贝福斯 ,  N·斯维丁

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0153 ,  B81C2201/036 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/50 ,  H01L23/08 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。

公开(公告)号：CN107084817A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710073064.8

申请日：2017-02-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 田中信幸

IPC: G01L19/06

CPC classification number: G01L19/14 ,  B81B7/0058 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  G01L7/08 ,  G01L19/06

Abstract: 本发明提供一种能够容易地赋予防水性能的防水部件、防水部件的制造方法、压力传感器及电子模块。防水部件(1)具有：层压体(2)，其具备第二硅层(23)以及第二氧化硅层(24)；贯穿孔(3)，其被设置在层压体(2)上，并阻止液体的通过且容许气体的通过，贯穿孔(3)具有第一贯穿孔(31)和第二贯穿孔(32)，第一贯穿孔(31)贯穿第二硅层(23)，第二贯穿孔(32)贯穿第二氧化硅层(24)且与第一贯穿孔(31)连通，第二贯穿孔(32)的宽度与第一贯穿孔(31)的宽度相比较小。

公开(公告)号：CN107032290A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611195878.0

申请日：2016-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张凯峯 ,  吕联沂 ,  蔡连尧

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/09 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0172 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/81805 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181

Abstract: 本发明实施例提供了一种MEMS器件及其形成方法。图案化第一衬底的介电层以通过介电层暴露导电部件和底部层。将第二衬底的第一表面接合至介电层并且图案化介电层以形成膜和可移动元件。将覆盖晶圆接合至第二衬底，在将覆盖晶圆接合至第二衬底的位置形成包括可移动元件的第一密封腔并且第二密封腔以膜部分地为界。去除覆盖晶圆的部分以将第二密封腔暴露于环境压力。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法，更具体地涉及微机电器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN104124244B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201410100511.0

申请日：2014-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  G01L1/14 ,  G01L9/12

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00952 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  G01L9/0042 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/84

Abstract: 在压力传感器区域（16）形成压力传感器，该压力传感器包含固定电极（23b）、真空室（51）以及可动电极（39），在CMOS区域（17）形成有存储器单元晶体管和场效应型晶体管。与真空室（51）连通的蚀刻孔（46）由第1封装膜（49）等闭塞。真空室（51）通过将由与存储器单元晶体管的栅极电极（30c）相同的膜构成的部分去除而形成。

公开(公告)号：CN106796151A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580045566.9

申请日：2015-07-23

Applicant: 卡尔·弗罗伊登伯格公司

Inventor： T·凯撒 ,  R·塔珀 ,  S·海因茨 ,  M·纽伯特

IPC: G01L9/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0023 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  G01L9/0073 ,  G01L2009/0069 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种传感器(2、2'、2")，其具有设置在功能体积(3)内的电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")，所述功能体积最多4mm至5mm长、最多2mm至3mm宽并且最多0.5mm至0.8mm高，其解决如下任务，即，给出一种具有紧凑的传感器的成本低的过滤元件。

公开(公告)号：CN106794983A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580045554.6

申请日：2015-07-23

Applicant: 卡尔·弗罗伊登伯格公司 ,  埃蒂克电子设计开姆尼茨有限公司

Inventor： T·凯撒 ,  R·塔珀 ,  S·海因茨 ,  M·纽伯特

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0023 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  G01L9/0073 ,  G01L2009/0069 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种传感器(2、2'、2")，其具有设置在功能体积(3)内的电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")，所述功能体积最多4mm至5mm长、最多2mm至3mm宽并且最多0.5mm至0.8mm高，其解决如下任务，即，给出一种紧凑的传感器。

公开(公告)号：CN104634487B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201510084563.8

申请日：2015-02-16

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 周文卿

IPC: G01L1/22 ,  G01L1/14 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/99 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0073

Abstract: 一种MEMS压力传感器及其形成方法，形成方法包括：提供包括相对的第一表面和第二表面的第一衬底，包括至少一层导电层，导电层位于第一衬底的第一表面一侧；提供包括相对的第三表面和第四表面的第二衬底，包括第二基底和压敏电阻元件，第二衬底包括压力传感区，压敏电阻元件位于压力传感区内，压敏电阻元件位于第二衬底的第三表面一侧；将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定；在第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔；去除第二基底，形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面；自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层导电层表面的第一导电插塞。MEMS压力传感器的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。

公开(公告)号：CN104025622B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201280065518.2

申请日：2012-11-14

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 笠井隆 ,  井上匡志

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01R27/2605 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00873 ,  G01H11/06 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 振动膜(33)被设置在硅基板(32)的顶面上，板部(39)被固定到硅基板(32)的顶面以便具有间隙地覆盖活动电极膜。板部(39)由绝缘材料制成。固定电极膜(40)形成在板部(39)的底面上，并且振动膜(33)和固定电极膜(40)构成电容器。在板部(39)周围的区域中，硅基板(32)的顶面的整个外周缘从板部(39)暴露。在基板(32)的顶面上，由绝缘材料制成的绝缘片(47)形成在从板部(39)暴露的区域的一部分中，并且电连接到振动膜(33)的电极垫(48)和电连接到固定电极膜(40)的电极垫(49)设置在绝缘片(47)的顶面上。

公开(公告)号：CN104040361B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280065860.2

申请日：2012-11-02

Applicant: 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司

Inventor： S·甘特奈尔 ,  B·施密德

IPC: G01P15/08

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00357 ,  G01P15/0802

Abstract: 本发明涉及一种组件和一种用于制造组件的方法。该组件具有基底(100)，该基底具有第一腔(112)和第二腔(113)，其中，在第一腔(112)中布置有第一微机械结构(117)并且在第二腔一腔(112)具有第一气体压力，第二腔(113)具有第二气体压力。在此，第一气体压力通过第一腔(112)的封闭而被提供，其中，第一通道(115)通入到第二腔(113)中，第二气体压力能够通过第一通道(115)调节第二气体压力与第一气体压力不同。(113)中布置有第二微机械结构(118)。此外，第

公开(公告)号：CN104280182B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410305822.0

申请日：2014-06-30

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 矢泽久幸 ,  菊入胜也 ,  高桥亨

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0264

Abstract: 本发明的目的在于提供一种探测精度优异的、利用压阻效应来探测物理量的物理量传感器。为此，本发明的物理量传感器(1)利用压阻效应来探测物理量，所述物理量传感器(1)的特征在于，具有：第1导电型的阱层(4)，其形成在第1绝缘层(10)上；多个第2导电型的压阻层(2)，其形成在第1导电型的阱层(4)的表面侧；和第2导电型的分离层(5)，其在多个第2导电型的压阻层第1绝缘层(10)的表面。(2)之间，从第1导电型的阱层(4)的表面贯通至