公开(公告)号：US5376252A

公开(公告)日：1994-12-27

申请号：US946332

申请日：1992-11-10

Applicant: Bjorn Ekstrom ,  Gunilla Jacobson ,  Ove Ohman ,  Hakan Sjodin

Inventor： Bjorn Ekstrom ,  Gunilla Jacobson ,  Ove Ohman ,  Hakan Sjodin

IPC: B01D57/02 ,  B01L3/00 ,  B29C33/42 ,  B29C35/08 ,  B29C45/00 ,  B29D24/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/447 ,  G01N30/60 ,  G01N37/00 ,  G01N27/26 ,  B01D15/08

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B01D57/02 ,  B01L3/502707 ,  B29C33/42 ,  B29D24/002 ,  G01N27/44704 ,  G01N27/44791 ,  G01N30/6052 ,  G01N30/6095 ,  B01L2200/025 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0874 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0421 ,  B29C35/08 ,  B29C45/00 ,  B29K2105/24 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/034

Abstract: The microfluidic structure comprises first and second substantially planar form-stable base layers and an intermediate spacing layer of elastic material, said spacing layer being recessed to define a microcavity or channel system with at least one of said first and second base layers. The structure is produced by moulding the spacing layer, optionally applied to or integral with a first base layer, against a planar mould, and the microcavity or channel system is completed by applying a second base layer, and optionally said first base layer, to the spacing layer.

Abstract translation: 微流体结构包括第一和第二基本上平面的形式稳定的基层和弹性材料的中间间隔层，所述间隔层被凹入以限定具有所述第一和第二基层中的至少一个的微腔或通道系统。 该结构通过将间隔层模制成任意地施加于第一基底层或与第一基底层一体的方式制成平面模具，并且通过将第二基底层和任选地所述第一基底层施加到所述第一基底层而完成微腔或通道系统 间隔层。

公开(公告)号：JP5642850B2

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：JP2013151540

申请日：2013-07-22

Applicant: 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー

Inventor： 秀樹 益田 ,  秀樹 益田 ,  崇 柳下 ,  崇 柳下 ,  和之 西尾 ,  和之 西尾

IPC: B29C59/02 ,  C08J9/00

CPC classification number: B81C99/0085 ,  B01D67/0065 ,  B01D71/025 ,  B01D2325/021 ,  B81C2201/034 ,  C25D11/045

公开(公告)号：JP5623763B2

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：JP2010057497

申请日：2010-03-15

IPC: C25D1/00 ,  C25D1/10

CPC classification number: C25D1/10 ,  B29C33/3842 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/034

公开(公告)号：JP4787738B2

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：JP2006503829

申请日：2004-02-24

Applicant: コリウム インターナショナル, インコーポレイテッド

Inventor： ブラディミアー ガートステイン， ,  ファイズ フェイサル シャーマン，

IPC: B81C99/00 ,  A61M37/00 ,  B26F1/24 ,  B26F1/26 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00111 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/003 ,  A61M2037/0053 ,  B26F1/24 ,  B26F1/26 ,  B81B2201/055 ,  B81C2201/034 ,  B81C2201/036

公开(公告)号：JP4705742B2

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：JP2001539803

申请日：2000-11-23

Applicant: フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー.ファオ.

Inventor： クエンザー，ハンス−ヨアヒム ,  シュルツ，アルネ，ヴェイト ,  メルツ，ペーター

IPC: C03B23/02 ,  G02B3/00 ,  C03B11/00 ,  C03B11/08 ,  C03B23/025 ,  C03B23/203 ,  C03C19/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/047 ,  B81C99/008 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/034 ,  C03B11/082 ,  C03B23/0252 ,  C03B23/203 ,  C03B2215/41 ,  C03B2215/412

公开(公告)号：JP4508876B2

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：JP2004561759

申请日：2003-11-20

Applicant: コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

Inventor： ウィッツ，クリスティアーネ エム エル デ ,  イェー ブルール，ディルク ,  エヌ モル，フリーチェ

IPC: H02N10/00 ,  B29C33/42 ,  B29C35/08 ,  B29C37/00 ,  B29C39/00 ,  B29C43/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  C08J5/18 ,  G02B26/08

CPC classification number: B29C37/0053 ,  B29C33/42 ,  B29C43/021 ,  B29C2035/0827 ,  B29L2011/0016 ,  B29L2031/756 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/034

公开(公告)号：JP2008503364A

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：JP2007514999

申请日：2005-05-24

Applicant: エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ ,  ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガンThe Regents Of The University Of Michigan

Inventor： アルバート・エフ・イェー ,  イェン・ペン・コン ,  ステラ・ダブリュー・パン ,  ホン・イェー・ロウ

IPC: B29C59/04 ,  B28B11/08 ,  B29C59/02 ,  B29C69/02 ,  B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  G02B1/10 ,  G03C5/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: A61M25/00 ,  B27N3/08 ,  B28B3/06 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/034 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/038 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/254

Abstract: 本発明は、マイクロおよびナノスケールのインプリント方法、ならびにポリマ、セラミックおよび／または金属材料からなる支持されたおよび／または独立した３Ｄマイクロおよび／またはナノ構造体を作製するための上記方法の使用に関する。 いくつかの実施形態において、これらの構造物を作製する際に、二重モールドアプローチが採用されている。 この方法において、表面処理を用いて、異なるモールドおよび／またはモールドの異なる部分に、異なる界面エネルギを与えている。 このように表面処理することにより、構造体をインプリントし、基板に移転させて、３次元（３Ｄ）構造体を形成することができる。 いくつかの実施形態において、表面処理および用いられるポリマのガラス転移温度の差異により、独立したマイクロおよび／またはナノ構造体をフィルム状および／または個別に形成するために、３Ｄ構造体をモールドから分離しやすくすることができる。

公开(公告)号：JP2004525357A

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：JP2002556235

申请日：2002-01-08

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： カイア シルバーブルック，

IPC: B29C35/08 ,  B29C43/36 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/315 ,  B29C33/0022 ,  B29C43/36 ,  B29C2035/0822 ,  B29C2043/503 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00904 ,  B81C2201/034 ,  B81C2203/0127 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  H01L23/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: The present invention relates to a method for forming a protective cap for a device. Typically, the device would be formed on a silicon wafer and is, for example, a MEMS device. The method involves the steps of locating thermosplastic material between a first wafer including a first recess and a second wafer including two second recesses. The first and second wafers are positioned relative to one another so that the first recess is in register with the two second recesses and the thermoplastic material is heated. The first and second wafers are pressed together so that heated thermosplastic material enters the first and second recesses and thereby forms the cap. A method for forming a plurality of protective caps for devices is also provided.

公开(公告)号：JP2002370199A

公开(公告)日：2002-12-24

申请号：JP2001217353

申请日：2001-06-13

Applicant: Takashi Nishi ,  孝 西

Inventor： NISHI TAKASHI

IPC: G03F7/004 ,  B81B5/00 ,  B81C1/00 ,  F16H49/00 ,  F16H55/17 ,  G03F7/095

CPC classification number: B81C99/0085 ,  B81B2201/035 ,  B81C2201/034

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micron-sized and submicron-sized gear incorporated into a micro-machine.
SOLUTION: A gear having a projecting tooth on a peripheral surface, or a gear having a magnetic tooth on a peripheral surface, or a gear having a static electricity gear on a peripheral surface, and its manufacturing method form a gear such as a worm gear, a spur gear, and a bevel gear by applying the said either tooth, and a complicated-shaped gear by using a thin film forming technology such as deposition, sputtering, a plating technology, CVD, and an oxidation processing, and a fine processing technology such as photolithography and etching for collectively forming the tooth and the gear in the same process, and are characterized by particularly using an exposure quantity control exposure method and a transfer etching method.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Abstract translation: 要解决的问题：提供结合到微型机器中的微米尺寸和亚微米尺寸的齿轮。 解决方案：在外周表面具有突出齿的齿轮，或在外周表面具有磁齿的齿轮，或在外周表面具有静电齿轮的齿轮，其制造方法形成齿轮，例如蜗轮 ，正齿轮和锥齿轮，通过使用诸如沉积，溅射，电镀技术，CVD和氧化处理的薄膜形成技术施加所述两个齿和复杂形状的齿轮，以及精细加工 特别是使用曝光量控制曝光方法和转印蚀刻方法，其特征在于，在相同的工艺中共同地形成齿和齿轮的光刻技术和蚀刻技术。

公开(公告)号：KR101509529B1

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：KR1020130090733

申请日：2013-07-31

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 조성운 ,  김창구

IPC: C23C18/22 ,  C23C18/31 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F1/12 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0044 ,  B22F9/02 ,  B22F2001/0037 ,  B22F2304/05 ,  B81C1/00492 ,  B81C2201/0187 ,  B81C2201/034 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1657 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/405 ,  C23F4/00 ,  H01J2237/0203 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/288 ,  Y10T29/49982

Abstract: 본발명은 3차원형태의구리나노구조물형성방법에관한것으로, 본발명은, SiO마스크를포함하는구조로시편을제작하는단계; 상기시편에 3차원식각구조물층을형성하기위해다방향경사플라즈마식각을수행하는단계; 상기다방향경사플라즈마식각부위에금속이충진되도록도금하는단계; 상기금속에서과도금된부분과상기 SiO마스크를제거하는단계; 및상기시편표면에서 3차원식각구조물층인금속을제외한부분을제거하는단계를포함한다. 본발명에의하면, 기존의집속이온빔식각법(focused ion beam etching, FIBE)에의해제작된구리나노구조물제작법의한계를극복하기위하여고밀도플라즈마를사용하여파라데이상자에배치된대면적시편에다방향경사플라즈마식각을진행한후, 식각된시편틈에구리막을형성하고, 과도금된구리막과 SiO마스크를제거함으로써균일한배열(array)의구리나노구조물을형성할수 있으며, 구리나노구조물의직경을임의로조절할수 있으므로높은응용가능성을구현할수 있는효과가있다.