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公开(公告)号：CN106684225A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610421876.2
申请日：2016-06-14
Applicant: 凌北卿
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/60 , H01L2224/96 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L33/48 , H01L2933/00 , H01L2933/0033
Abstract: 一种封装结构及其制法，该封装结构包括：发光元件、荧光层、透光层以及反射层，其中该发光元件具有相对的第一表面与第二表面、及邻接该第一表面与该第二表面的侧面；荧光层覆盖该发光元件的该第一表面；透光层覆盖该荧光层，其中该透光层外侧缘形成有一斜面；以及反射层形成于该斜面上，而遮盖该荧光层的外侧缘，以藉由形成于该斜面上的反射层遮盖该荧光层的外侧缘，可避免光线从荧光层的外侧缘外泄出去。
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公开(公告)号：CN106334659A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610421718.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 凌北卿
CPC classification number: G01F11/00 , B05D1/28 , B05D3/14 , B05D2401/32 , H01L2933/0041 , B05C19/00 , H01L31/1876
Abstract: 一种布设粉体的方法及装置，该方法其先提供一布设粉体的装置，该布设粉体的装置包含框体；结合至该框体的多个经线；用以装载粉体的槽体；用以位移该框体或槽体的至少一者的带动件；以及作用源，其用以使该粉体脱离该多个经线，而布设于待布设的物件上。接着，供应粉体至该多个经线，再产生电场，使该粉体带电荷成为该带电粉体，之后该作用源提供作用力至该框体及该多个经线的至少一者上，使该带电粉体脱离该多个经线，且该带电粉体配合电场移动，而布设于待布设的物件上。因该多个经线上的每一处的带电粉体数量均匀，故能使带电粉体均匀分布。
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公开(公告)号：CN115117111A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210059879.1
申请日：2022-01-19
Applicant: 凌北卿
Abstract: 一种具有肖特基二极管的非易失性存储元件。该非易失性存储元件包含：绝缘层，为电绝缘；肖特基二极管，形成于绝缘层上的一单晶半导体层，其材料可以是硅、锗、六方氮化硼或砷化镓；写入导线，具有导电性，且该写入导线与该肖特基二极管的前端电连接；存储单元，位于肖特基二极管上，该存储单元与该肖特基二极管的后端电连接；以及选择导线，位于存储单元上，与存储单元电连接；其中，于该非易失性存储元件被选择写入一数据时，一电流流经该肖特基二极管，以将该数据写入该存储单元。
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公开(公告)号：CN114823776A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210059377.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 凌北卿
Abstract: 一种具有PN二极管的非易失性存储元件。该非易失性存储元件包含：绝缘层，为电绝缘；PN二极管，形成于绝缘层上的一单晶硅层中；写入导线，具有导电性，且该写入导线与该PN二极管的前端电连接；存储单元，位于PN二极管上，该存储单元与该PN二极管的后端电连接；以及选择导线，位于存储单元上，与存储单元电连接；其中，于该非易失性存储元件被选择写入一数据时，一电流流经该PN二极管，以将该数据写入该存储单元。
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公开(公告)号：CN106505129A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610481879.5
申请日：2016-06-27
Applicant: 凌北卿
CPC classification number: H01L33/50 , B05D1/04 , B05D1/06 , H01L2933/0041
Abstract: 一种带电粉体导引装置，包括：供承载被涂布物件的本体、以及结合于该本体上的导电元件，且该导电元件对应该被涂布物件的位置，以通过该导电元件略微调整电场方向，使带电粉体的向上移动轨迹呈弧线方向，增加附着于该被涂布物件的侧面上的粉体量，使该粉体于该被涂布物件的各外露表面的厚度能趋近相等，达到均匀度的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105826447A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610051576.X
申请日：2016-01-26
Applicant: 凌北卿
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3135 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/64 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/73267 , H01L2224/8592 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/18162 , H01L2924/18165 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/647 , H01L2933/0041 , H01L2933/0075
Abstract: 一种封装结构及其制法，该封装结构包括：具有相对的第一侧及第二侧的发光元件、接触结合该发光元件侧面的包覆体、设于该第二侧的荧光层、以及设于该第一侧的金属结构。以藉由该发光元件的侧面接触结合该包覆体，使该发光元件的侧面不发光，以减少热能产生，故可避免胶体黄化、荧光粉易受热而使发光效率降低等问题，特别是藉由该金属结构以提升散热效果。
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公开(公告)号：TWI589358B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104129482
申请日：2015-09-07
Applicant: 凌北卿 , LING, PEICHING
Inventor： 凌 北卿 , LING, PEICHING , 劉 德忠 , LIU, DEZHONG
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公开(公告)号：TWI506825B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW099110252
申请日：2010-04-01
Applicant: 凌北卿 , LING, PEICHING
Inventor： 凌北卿 , LING, PEICHING
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H05B33/10 , C09K11/02 , C09K11/7774 , C23C24/06 , C23C24/08 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2933/0041
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9.发明专利於表面上形成螢光材料均勻顆粒層之方法與裝置 METHODS AND APPARATUS FOR FORMING UNIFORM PARTICLE LAYERS OF PHOSPHOR MATERIAL ON A SURFACE 失效于表面上形成萤光材料均匀颗粒层之方法与设备 METHODS AND APPARATUS FOR FORMING UNIFORM PARTICLE LAYERS OF PHOSPHOR MATERIAL ON A SURFACE
公开(公告)号：TW201101544A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099110251
申请日：2010-04-01
Applicant: 凌北卿
Inventor： 凌北卿
CPC classification number: H05B33/10 , C09K11/02 , C09K11/7774 , C23C24/06 , C23C24/08 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2933/0041
Abstract: 一種供形成一層發光二極體(light emitting diode;LED)螢光材料之方法,包括以下步驟:將一第一表面設置於鄰近一包括有LED螢光材料之粉體的位置;於前述第一表面上形成靜電電荷;至少部分地利用該靜電電荷,而於該第一表面上形成一層LED螢光材料。於一實施例中,該方法包括:將該第一表面設置於一腔室之內部,並於前述腔室內,將前述粉體分佈於鄰近該第一表面之空氣中。於另一實施例中,該方法包括:提供一承載前述粉體之儲存容器,並將與位於第一表面上之靜電電荷呈相反極性之一靜電電荷施用於前述螢光粉體。
Abstract in simplified Chinese: 一种供形成一层发光二极管(light emitting diode;LED)萤光材料之方法,包括以下步骤:将一第一表面设置于邻近一包括有LED萤光材料之粉体的位置;于前述第一表面上形成静电电荷;至少部分地利用该静电电荷,而于该第一表面上形成一层LED萤光材料。于一实施例中,该方法包括:将该第一表面设置于一腔室之内部,并于前述腔室内,将前述粉体分布于邻近该第一表面之空气中。于另一实施例中,该方法包括:提供一承载前述粉体之存储容器,并将与位于第一表面上之静电电荷呈相反极性之一静电电荷施用于前述萤光粉体。
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公开(公告)号：TW324860B
公开(公告)日：1998-01-11
申请号：TW085114288
申请日：1996-11-20
Applicant: 凌北卿
Inventor： 凌北卿
IPC: H01L
Abstract: 本發明係有關一種電感器電路。該電感電路被製造於包含一基片層和一介電層的半導體晶片上面。該電感電路包含有被一介電層所圍繞的高磁化材料(HMSM)所組成的感應蕊心。圍繞感應蕊心的介電層進一步地被一導線所圍繞，該導線包含有底部導線，經過周圍介電層的「穿孔」之內的導線以及頂部導線。該等導線被採用IC製造程序而成型。因此該感應蕊心，圍繞該感應蕊心的介電層，以及周圍的導線形成一組電感電路並且該電感電路形成於包含有基片層和介電層的半導體晶片上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种电感器电路。该电感电路被制造于包含一基片层和一介电层的半导体芯片上面。该电感电路包含有被一介电层所围绕的高磁化材料(HMSM)所组成的感应蕊心。围绕感应蕊心的介电层进一步地被一导线所围绕，该导线包含有底部导线，经过周围介电层的“穿孔”之内的导线以及顶部导线。该等导线被采用IC制造进程而成型。因此该感应蕊心，围绕该感应蕊心的介电层，以及周围的导线形成一组电感电路并且该电感电路形成于包含有基片层和介电层的半导体芯片上。
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